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清洗封裝產(chǎn)品面臨哪些挑戰(zhàn)？

　　先進(jìn)封裝工藝正朝著更高密度的方向迅速發(fā)展。不同于傳統(tǒng)的SMT表面貼裝，封裝技術(shù)如倒裝芯片、2.5D/3D TSV硅通孔、BGA植球、MEMS、QFN和晶圓級(jí)封裝等都有復(fù)雜的結(jié)構(gòu)和微小的間隙，制造過程中產(chǎn)生的殘留物（如助焊劑、粉塵等）更難以去除。因此為了達(dá)到符合要求的清潔度，必須制定合適的清洗工藝。

發(fā)表于：8/29/2023

亞信新品亮相：AX88279探索2.5G以太網(wǎng)嶄新世界

　　亞信電子AX88279 USB 3.2轉(zhuǎn)2.5G以太網(wǎng)芯片解決方案，支持macOS、Windows 11/10/8.x、Linux/Android/Chrome OS及任天堂Switch等不同平臺(tái)內(nèi)置的網(wǎng)絡(luò)驅(qū)動(dòng)程序，透過這個(gè)免驅(qū)動(dòng)安裝（ Driverless）的特點(diǎn)，可輕松地實(shí)現(xiàn)便利的即插即用（Plug and Play）連網(wǎng)功能。

發(fā)表于：8/29/2023

意法半導(dǎo)體量產(chǎn)PowerGaN器件，讓電源產(chǎn)品更小巧、更清涼、更節(jié)能

　　2023年8月3日，中國(guó) -意法半導(dǎo)體宣布已開始量產(chǎn)能夠簡(jiǎn)化高效功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)設(shè)計(jì)的增強(qiáng)模式PowerGaN HEMT（高電子遷移率晶體管）器件。STPOWER? GaN晶體管提高了墻插電源適配器、充電器、照明系統(tǒng)、工業(yè)電源、可再生能源發(fā)電、汽車電氣化等應(yīng)用的性能。

發(fā)表于：8/29/2023

逐點(diǎn)半導(dǎo)體為真我GT5智能手機(jī)打造越級(jí)畫質(zhì)體驗(yàn)

　　中國(guó)上海，2023年8月28日——專業(yè)的視覺處理方案提供商逐點(diǎn)半導(dǎo)體攜手科技潮牌realme正式宣布，新發(fā)布的真我GT5智能手機(jī)搭載逐點(diǎn)半導(dǎo)體X7視覺處理器。通過集成該處理器先進(jìn)的超低延時(shí)插幀、低功耗超分、全時(shí)HDR等技術(shù)，這款新機(jī)可為消費(fèi)者在玩游戲和看視頻時(shí)提供更全面的畫質(zhì)保證和更舒適的屏幕體驗(yàn)。同時(shí)，作為逐點(diǎn)半導(dǎo)體IRX游戲體驗(yàn)認(rèn)證的首款真我手機(jī)，真我GT5智能手機(jī)的用戶還可在多款人氣手游上享受逐點(diǎn)半導(dǎo)體與真我?guī)淼姆嫌螒騼?nèi)容與手機(jī)性能特色的畫質(zhì)調(diào)優(yōu)，進(jìn)一步增強(qiáng)游戲的畫面表現(xiàn)力。

發(fā)表于：8/29/2023

東芝開發(fā)出業(yè)界首款2200V雙碳化硅（SiC）MOSFET模塊

　　中國(guó)上海，2023年8月29日——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出業(yè)界首款[1]2200V雙碳化硅（SiC）MOSFET模塊---“MG250YD2YMS3”。新模塊采用東芝第3代SiC MOSFET芯片，其漏極電流（DC）額定值為250A，適用于光伏發(fā)電系統(tǒng)和儲(chǔ)能系統(tǒng)等使用DC 1500V的應(yīng)用。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。

發(fā)表于：8/29/2023

基于PG網(wǎng)絡(luò)的全流程優(yōu)化在高性能CPU內(nèi)核中的應(yīng)用

隨著高性能計(jì)算芯片的集成度不斷提高以及工藝的進(jìn)步，金屬連線的寬度越來越窄，芯片電源網(wǎng)絡(luò)上電阻增加和高密度的邏輯門單元同時(shí)有邏輯翻轉(zhuǎn)動(dòng)作時(shí)會(huì)在電源網(wǎng)絡(luò)上產(chǎn)生電壓降（IR Drop），導(dǎo)致芯片產(chǎn)生時(shí)序問題，甚至可能發(fā)生邏輯門的功能故障。

發(fā)表于：8/29/2023

比亞迪電子醞釀158億元大并購(gòu)！

8月28日，比亞迪發(fā)布公告稱，旗下比亞迪電子與捷普電路(新加坡)有限公司于8月26日簽署框架協(xié)議，將以約158億元(約為22億美元)現(xiàn)金收購(gòu)捷普電路位于成都、無錫的產(chǎn)品生產(chǎn)制造業(yè)務(wù)，包括現(xiàn)有客戶的零部件生產(chǎn)制造業(yè)務(wù)。

發(fā)表于：8/29/2023

e絡(luò)盟現(xiàn)貨供應(yīng)23000多款A(yù)DI產(chǎn)品

　　中國(guó)上海，2023年8月25日–安富利旗下全球電子元器件產(chǎn)品與解決方案分銷商e絡(luò)盟將持續(xù)擴(kuò)大Analog Devices（ADI）的產(chǎn)品范圍，新增7000多款新品庫(kù)存，在售ADI產(chǎn)品總數(shù)達(dá)到23300多款。

發(fā)表于：8/25/2023

一種基于Quantus-reduce加速模擬仿真驗(yàn)證分析的解決方案

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步，芯片的設(shè)計(jì)規(guī)模不斷擴(kuò)大，這使得電路設(shè)計(jì)需要考慮的寄生效應(yīng)更加復(fù)雜，電路的后仿真工作也變得更加繁重。介紹了如何應(yīng)用Cadence公司的寄生抽取工具Quantus進(jìn)行post-layout寄生抽取，利用Quantus的Standalone Reduction （簡(jiǎn)稱Qreduce）功能對(duì)后仿網(wǎng)表進(jìn)行精簡(jiǎn)，以達(dá)到縮減網(wǎng)表的規(guī)模，提高仿真速度的目的。Cadence的Qreduce功能是通過數(shù)學(xué)的運(yùn)算，將RC網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行等效運(yùn)算，以減少節(jié)點(diǎn)，從而達(dá)到縮減網(wǎng)表的規(guī)模，但同時(shí)保證了不會(huì)對(duì)精度造成比較大的損失。從后仿網(wǎng)表的縮減程度、仿真精度的影響、仿真速度以及內(nèi)存消耗等方面進(jìn)行論述，給出關(guān)鍵對(duì)比指標(biāo)。

發(fā)表于：8/25/2023

使用Xcelium Machine Learning技術(shù)加速驗(yàn)證覆蓋率收斂

隨著設(shè)計(jì)越來越復(fù)雜，受約束的隨機(jī)化驗(yàn)證方法已成為驗(yàn)證的主流方法。一般地，驗(yàn)證激勵(lì)做到不違反spec描述條件下盡量隨機(jī)，這樣驗(yàn)證能跑到的空間才更充分。但是，這給功能覆蓋率收斂帶來極大挑戰(zhàn)，為解決這一難題，Cadence率先推出了仿真器的機(jī)器學(xué)習(xí)功能——Xcelium Machine Learning，采用機(jī)器學(xué)習(xí)技術(shù)讓功能覆蓋率快速收斂，大大提高驗(yàn)證仿真效率。介紹了Xcelium Machine Learning的使用流程，并給出在相同模擬（simulation）驗(yàn)證環(huán)境下應(yīng)用Machine Learning前后情況對(duì)比。最后Machine Learning在模擬（simulation）驗(yàn)證中的應(yīng)用前景進(jìn)行了展望。

發(fā)表于：8/25/2023

基于Cadence Integrity 3D-IC的異構(gòu)集成封裝系統(tǒng)級(jí)LVS檢查

隨著硅工藝尺寸發(fā)展到單納米水平，摩爾定律的延續(xù)越來越困難。2D Flip-Chip、2.5D、3D等異構(gòu)集成的先進(jìn)封裝解決方案將繼續(xù)滿足小型化、高性能、低成本的市場(chǎng)需求，成為延續(xù)摩爾定律的主要方向。但它也提出了新的挑戰(zhàn)，特別是對(duì)于系統(tǒng)級(jí)的LVS檢查。采用Cadence Integrity 3D-IC平臺(tái)工具，針對(duì)不同類型的先進(jìn)封裝，進(jìn)行了系統(tǒng)級(jí)LVS檢查驗(yàn)證，充分驗(yàn)證了該工具的有效性和實(shí)用性，保證了異構(gòu)集成封裝系統(tǒng)解決方案的可靠性。

發(fā)表于：8/25/2023

Concurrent Multi-die Optimization物理實(shí)現(xiàn)方案的應(yīng)用

隨著芯片制造工藝不斷接近物理極限，使用多die堆疊的3DIC Chiplets設(shè)計(jì)已經(jīng)成為延續(xù)摩爾定律的最佳途徑之一。Integrity 3D-IC平臺(tái)將設(shè)計(jì)規(guī)劃、物理實(shí)現(xiàn)和系統(tǒng)分析統(tǒng)一集成于單個(gè)管理界面中，為3D設(shè)計(jì)提供了系統(tǒng)完善的解決方案。其中傳統(tǒng)的die-by-die流程在3D結(jié)構(gòu)建立后分別對(duì)兩個(gè)die進(jìn)行2D物理實(shí)現(xiàn)，同時(shí)工具也開發(fā)了多die協(xié)同（concurrent multidie）的物理實(shí)現(xiàn)流程，并行式進(jìn)行多顆die的布局布線。此工作在實(shí)際項(xiàng)目中，使用Cadence Integrity 3D-IC 工具，針對(duì)性地建立concurrent multidie的流程，將兩顆die在同一個(gè)設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)并行擺放、3D結(jié)構(gòu)單元（Hybrid Bonding bump）的位置優(yōu)化、時(shí)鐘樹綜合和繞線。協(xié)同優(yōu)化的3D物理實(shí)現(xiàn)方案相比于die-by-die方案在設(shè)計(jì)整體結(jié)果上有更好的表現(xiàn)。

發(fā)表于：8/25/2023

DDR5仿真精度研究及在內(nèi)存升級(jí)中的應(yīng)用

使用Cadence公司的SystemSI對(duì)DDR信號(hào)通道進(jìn)行整體仿真，同時(shí)，借助一博科技自研的Interposer夾具進(jìn)行測(cè)試，經(jīng)過多次的仿真測(cè)試擬合，所介紹的DDR仿真測(cè)試方法可以達(dá)到較高的精度。隨著對(duì)內(nèi)存帶寬的需求不斷提升，作為當(dāng)前主流的DDR4局限性日益明顯，通過具體案例說明了DDR5信號(hào)完整性提升的具體技術(shù)，并通過仿真對(duì)比，展示了DDR5在內(nèi)存升級(jí)過程中的優(yōu)勢(shì)。

發(fā)表于：8/25/2023

英偉達(dá)Q2凈利潤(rùn)同比暴增843%，AI芯片還能狂飆？

據(jù)英偉達(dá)8月24日公布的財(cái)報(bào)，2023年第二季度，其實(shí)現(xiàn)營(yíng)收135.07億美元，同比增長(zhǎng)101%，環(huán)比增長(zhǎng)88%；凈利潤(rùn)61.88億美元，同比大增843%，環(huán)比增長(zhǎng)203%。這也是英偉達(dá)首次在季度營(yíng)收上超過英特爾（129億美元），迎來前所未有的歷史性時(shí)刻。

發(fā)表于：8/25/2023

東芝推出用于直流無刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)的600V小型智能功率器件

　　中國(guó)上海，2023年8月24日——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出兩款600V小型智能功率器件（IPD）---“TPD4163F”和“TPD4164F”，可用于空調(diào)、空氣凈化器和泵等直流無刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。“TPD4163F”和“TPD4164F”的輸出電流（DC）額定值分別為1A和2A，于今日開始支持批量出貨。

發(fā)表于：8/24/2023