| CMOS和TTL電路探討 | |
| 所屬分類：技術論文 | |
| 上傳者：serena | |
| 標簽： CMOS TTL | |
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| 文檔介紹： 通常以為TTL門的速度高于CMOS門電路。影響TTL門電路工作速度的主要因素是電路內部管子的開關特性、電路結構及內部的各電阻數值。電阻數值越大，作速度越低。管子的開關時間越長，門的工作速度越低。門的速度主要體現在輸出波形相對于輸入波形上有傳輸延時。將tpd與空載功耗P的乘積稱速度-功耗積，做為器件性能的一個重要指標，其值越小，表明器件的性能越 好（一般約為幾十皮（10-12）焦耳）。與TTL門電路的情況不同，影響CMOS電路工作速度的主要因素在于電路的外部，即負載電容CL。CL是主要影響器件工作速度的原因。由CL所決定的影響CMOS門的傳輸延時約為幾十納秒。 | |
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