| 一種基于130 nm CMOS工藝的K波段上/下雙向混頻器 | |
| 所屬分類：技術(shù)論文 | |
| 上傳者：aetmagazine | |
| 文檔大?。?span>916 K | |
| 標(biāo)簽： 上/下雙向混頻器 K波段 CMOS | |
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| 文檔介紹：基于130 nm RF CMOS工藝，提出了一種可實(shí)現(xiàn)上/下雙向變頻功能的K波段有源混頻器。當(dāng)收發(fā)機(jī)工作于接收模式時(shí)，雙向混頻器執(zhí)行下變頻功能，將低噪放大器放大后的射頻信號(hào)轉(zhuǎn)換為中頻信號(hào)；當(dāng)收發(fā)機(jī)工作于發(fā)射模式時(shí)，雙向混頻器則實(shí)現(xiàn)上變頻功能，將輸入的基帶信號(hào)轉(zhuǎn)換為射頻信號(hào)并輸出至功率放大器。后仿真結(jié)果表明，在0 dBm的本振驅(qū)動(dòng)下，混頻器工作于上變頻模式時(shí)的轉(zhuǎn)換增益、噪聲系數(shù)、輸出1 dB壓縮點(diǎn)在23~25 GHz范圍內(nèi)分別為-1.1~-0.4 dB、12.9~3.3 dB、-8.2 dBm@24 GHz；工作于下變頻工作模式時(shí)的轉(zhuǎn)換增益、噪聲系數(shù)、輸入1 dB壓縮點(diǎn)在23~25 GHz范圍內(nèi)分別為2.4~3.4 dB、15.2~15.6 dB、-3.6 dBm@24 GHz?；祛l器芯片面積為0.6 mm2；在1.5 V供電電壓下，消耗功率12 mW。 | |
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