| MOS管驅(qū)動基礎(chǔ)和時間功耗計算 | |
| 所屬分類：技術(shù)論文 | |
| 上傳者：serena | |
| 標(biāo)簽： MOS | |
| 所需積分：1分積分不夠怎么辦？ | |
| 文檔介紹： MOS關(guān)模型 Cgs：由源極和溝道區(qū)域重疊的電極形成的，其電容值是由實際區(qū)域的大小和在不同工作條件下保持恒定。Cgd：是兩個不同作用的結(jié)果。第一JFET區(qū)域和門電極的重疊，第二是耗盡區(qū)電容（非線性）。等效的Cgd電容是一個Vds電壓的函數(shù)。Cds：也是非線性的電容，它是體二極管的結(jié)電容，也是和電壓相關(guān)的。這些電容都是由Spec上面的Crss，Ciss和Coss決定的。由于Cgd同時在輸入和輸出，因此等效值由于Vds電壓要比原來大很多，這個稱為米勒效應(yīng)。由于SPEC上面的值按照特定的條件下測試得到的，我們在實際應(yīng)用的時候需要修改Cgd的值。 | |
| 現(xiàn)在下載 | |
| VIP會員，AET專家下載不扣分；重復(fù)下載不扣分，本人上傳資源不扣分。 | |
Copyright ? 2005-2024 華北計算機(jī)系統(tǒng)工程研究所版權(quán)所有 京ICP備10017138號-2