| 大功率IGBT器件內(nèi)部載流子控制方法綜述 | |
| 所屬分類：技術(shù)論文 | |
| 上傳者：aetmagazine | |
| 文檔大小：703 K | |
| 標(biāo)簽： 絕緣柵雙極晶體管 載流子控制方法 器件性能 | |
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| 文檔介紹：絕緣柵雙極晶體管(IGBT)的內(nèi)部載流子控制方法對器件的導(dǎo)通狀態(tài)電壓降、關(guān)斷損耗、SOA、熱可靠性和瞬態(tài)穩(wěn)定性等器件性能至關(guān)重要。已經(jīng)報(bào)道的許多載流子控制方法都側(cè)重于發(fā)射極(或陰極)、集電極(或陽極)和漂移區(qū)的設(shè)計(jì)。重點(diǎn)介紹了當(dāng)前和未來幾代IGBT的載流子控制方法。回顧發(fā)射極、集電極和漂移區(qū)的設(shè)計(jì)如何影響正向壓降和關(guān)斷能量損耗之間的權(quán)衡。最后，總結(jié)展望未來大功率IGBT器件內(nèi)部載流子控制方法的發(fā)展趨勢。 | |
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