| 基于STT-MRAM的位邏輯運(yùn)算方案及靈敏放大器設(shè)計(jì) | |
| 所屬分類：技術(shù)論文 | |
| 上傳者：aetmagazine | |
| 文檔大小：646 K | |
| 標(biāo)簽： 自旋轉(zhuǎn)移矩-磁隨機(jī)存儲器(STT-MRAM) 位邏輯運(yùn)算 高速 | |
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| 文檔介紹：基于1T1MTJ的自旋轉(zhuǎn)移矩-磁隨機(jī)存儲器(STT-MRAM)提出了一種改進(jìn)型存內(nèi)位邏輯計(jì)算方案。該方案通過精簡2T2MTJ存內(nèi)位邏輯運(yùn)算方案提升了存儲陣列密度，通過互補(bǔ)型讀出電路增加了“與非”和“或非”的運(yùn)算功能。此外，還通過增加支路電壓穩(wěn)定電路的方法，提出了一種適用于上述方案的改進(jìn)型高速靈敏放大器。基于中芯國際55 nm LL邏輯工藝的仿真結(jié)果表明，相較于傳統(tǒng)的靈敏放大器，該方案不僅讀取速度提升了33%，在適配大型存儲陣列(CB≥0.8 pF)時(shí)還擁有更強(qiáng)的讀取能力與更優(yōu)的功率積(PDP)。 | |
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