| 一種新型自毀芯片監測和執行電路的設計 | |
| 所屬分類：技術論文 | |
| 上傳者：aetmagazine | |
| 文檔大小：896 K | |
| 標簽： 自毀芯片 實時自毀監測 自毀行 | |
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| 文檔介紹：針對當前自毀技術中，自毀監測方式單一且自毀執行較長和自毀不徹底、不穩定導致自毀成功率較低的問題，設計了一種同時具備自毀實時監測和執行的電路系統。該電路系統設計了封裝拆卸和上電時序兩種自毀監測方式，使自毀監測的方式更加多樣，提高結果的準確性。同時利用MOS管作為開關特性，來減少自毀執行的時間。實驗結果表明，該電路系統在3.3 V的供電電壓且鉭電容存儲電壓為20 V時，可以通過自毀監測電路對工作芯片進行實時的監測，同時經過測試表明，從監測到自毀信號到自毀執行開始，需要時間為0.28 ms。 | |
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