| 針對(duì)總劑量效應(yīng)4H-SiC功率器件的加固設(shè)計(jì)方法 | |
| 所屬分類：技術(shù)論文 | |
| 上傳者：wwei | |
| 文檔大?。?span>3818 K | |
| 標(biāo)簽： 4H-SiC 器件 總劑量效應(yīng) 電路加固 | |
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| 文檔介紹：介紹了總劑量效應(yīng)對(duì)4H-SiC功率器件的影響以及對(duì)應(yīng)的加固方案。首先介紹了4H-SiC功率器件的電氣特性以及工作時(shí)面臨的輻照環(huán)境。接著根據(jù)輻射對(duì)器件特性的影響，識(shí)別輻射缺陷，并建立了退化機(jī)制。然后，分析了單極性器件和雙極性器件的輻照的特性。最后，針對(duì)器件在輻照環(huán)境中的退化機(jī)理，分別從工藝、器件結(jié)構(gòu)、版圖與電路方面提出了加固設(shè)計(jì)方法。 | |
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