| X波段寬帶高效率連續類功率放大器芯片設計 | |
| 所屬分類：技術論文 | |
| 上傳者：wwei | |
| 文檔大?。?span>3985 K | |
| 標簽： 功率放大器 高效率 X波段 | |
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| 文檔介紹：為提高功率放大器的帶寬和效率，基于0.25 μm GaAs pHEMT ED工藝，通過控制輸出級二次諧波阻抗進行波形控制，實現連續B/J類波形，設計了一款單片集成的X波段高效率連續B/J類功率放大器。放大器由兩級構成，驅動級使用增強型晶體管實現高增益，輸出級使用耗盡型晶體管實現高效率與瓦級的輸出功率。仿真結果顯示，該功率放大器在7.3~12.2 GHz的頻帶內實現了29~30.6 dBm的輸出功率，功率增益為17~18.6 dB，功率附加效率大于50%，峰值效率為59%，輸入回波損耗小于10 dB，芯片尺寸僅為2.1 mm×1.3 mm。 | |
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