| 19~21 GHz GaAs高線性功率放大器MMIC | |
| 所屬分類：技術論文 | |
| 上傳者：wwei | |
| 文檔大小：5134 K | |
| 標簽： 自適應穩(wěn)壓偏置 冷模 高線性 | |
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| 文檔介紹：基于0.15 μm GaAs高電子遷移率晶體管（pHEMT）工藝研制了一款19~21 GHz的高線性功率放大器單片微波集成電路。高峰均比信號傳輸場景中，功率放大器的效率和線性度對射頻前端性能具有關鍵影響。該放大器在功放柵極級聯(lián)冷模線性化電路，以補償放大器輻相失真特性，進而實現(xiàn)線性度和效率的提升，為克服冷模對電壓敏感問題，采用片上有源穩(wěn)壓及溫度補償偏置電路擴展動態(tài)范圍，降低大動態(tài)失真，抑制工藝離散、外部離散等帶來的線性度惡化問題。測試結果表明，在19~21 GHz頻帶內，飽和輸出功率為22.3~22.8 dBm，飽和功率附加效率為35.3%~36.5%。在19 GHz、20 GHz和21 GHz頻點，輸出功率19 dBm時，三階互調失真均小于-30 dBc；6 dB峰均比、100 MHz正交頻分多路復用的64-QAM調制信號激勵下，平均輸出功率及對應的功率附加效率為19 dBm和27%，實現(xiàn)了-31.9 dBc、-33.2 dBc和-31.2 dBc的鄰道功率比及4.32%、4.13%和5.3%的誤差矢量幅度。 | |
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