| iCoupler®隔離產(chǎn)品的ESD/閂鎖考慮因素 | |
| 所屬分類：技術(shù)論文 | |
| 上傳者：ADI | |
| 文檔大小：500 K | |
| 標(biāo)簽： 信號(hào)調(diào)理 | |
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| 文檔介紹：由于iCoupler采用CMOS技術(shù)，因此在系統(tǒng)級(jí)ESD(靜電放電)、電涌電壓、快速瞬變或其它過壓條件下，它比光耦更容易受到閂鎖或ESD的破壞。本應(yīng)用筆記提供關(guān)于避免這些問題的指南。針對(duì)各種系統(tǒng)級(jí)測(cè)試配置，本文舉例說明了其可能影響性能的機(jī)制。針對(duì)每個(gè)示例，本文都給出了推薦解決方案。 | |
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