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愛特梅爾帶有唯一標(biāo)識符的新型串行EEPROM產(chǎn)品系列簡化設(shè)計并降低聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品成本

微控制器及觸摸技術(shù)解決方案的領(lǐng)導(dǎo)廠商愛特梅爾公司(Atmel® Corporation)宣布推出兩個新的串行EEPROM產(chǎn)品系列。AT24MAC系列器件具有預(yù)編程媒體存取控制(Media Access Control，MAC)/擴(kuò)展唯一標(biāo)識符(Extended Unique Identifier，EUI)的節(jié)點(diǎn)身份地址，緩減客戶對自行對MAC/EUI地址進(jìn)行編程和維護(hù)相關(guān)的復(fù)雜數(shù)據(jù)的需求，使得所有類型聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品的開發(fā)更簡單、更快速、和更廉宜。AT24CS系列器件包括工廠編程唯一只讀序列號，可以幫助客戶簡化批量生產(chǎn)線的存貨控制并增強(qiáng)產(chǎn)品的可追溯性。

發(fā)表于：7/13/2012

瑞薩電子推出具有長外部爬電距離（14.5 mm）、符合安全標(biāo)準(zhǔn)要求、需要690 V（或更高）高絕緣電壓的光電耦合器

高級半導(dǎo)體解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商瑞薩電子株式會社（TSE：6723）今天宣布推出用于逆變器的長爬電距離光電耦合器PS9905，其適用于采用690 V最高商業(yè)電源電壓的工業(yè)設(shè)備或者采用1,000 V高壓的太陽能發(fā)電系統(tǒng)之類的應(yīng)用。新款PS9905器件是一款外部爬電距離（注釋2）為14.5 mm的光電耦合器（化合物半導(dǎo)體，注釋1），其超過安全標(biāo)準(zhǔn)（IEC 61800）指定的防止電擊等事故發(fā)生所需的爬電距離- 13.8 mm。

發(fā)表于：7/10/2012

瑞薩電子推出新款超級結(jié)MOSFET，具有業(yè)界領(lǐng)先的低導(dǎo)通電阻，低柵極電荷并采用快速體二極管，以提高反向恢復(fù)的性能

瑞薩電子公司(TSE: 6723)，高級半導(dǎo)體解決方案的主要供應(yīng)商，今天宣布推出三款新型超級結(jié)金屬氧化物場效應(yīng)三極管（超級結(jié)MOSFET）（注1），具有如下的特點(diǎn)：600V功率半導(dǎo)體器件中的導(dǎo)通電阻X柵極電荷，適用于高速電機(jī)驅(qū)動、DC-DC轉(zhuǎn)換器和DC-AC逆變器應(yīng)用。這一行業(yè)領(lǐng)先的低導(dǎo)通電阻和低柵極電壓的組合平臺，同時結(jié)合了快速體二極管的性能，使新型RJL60S5DPP、RJL60S5DPK和RJL60S5DPE這三款器件有助于提高家用電器電機(jī)驅(qū)動的效率，如空調(diào)等采用帶逆變控制的高速電機(jī)的家電。

發(fā)表于：7/10/2012

Molex為第二代Intel® Core? CPU提供 LGA 1155插座組件

全球領(lǐng)先的全套互連產(chǎn)品供應(yīng)商Molex公司現(xiàn)提供觸點(diǎn)陣列封裝(Land Grid Array，LGA) 1155 Intel® CPU插座組件。LGA 1155 CPU插座又被稱為Socket H2插座，設(shè)計用于英特爾(Intel)代號為Sandy Bridge的第二代Core? i7/i5/i3系列臺式電腦微處理器。這款1155電路插座是用于Nehalem處理器的LGA 1156(或Socket H1)插座的替代產(chǎn)品。

發(fā)表于：6/26/2012

英飛凌推出采用直驅(qū)技術(shù)的革命性CoolSiCTM 1200V SiC JFET系列器件：讓太陽能逆變器的能效達(dá)到更高水平

在“2012年歐洲電力電子、智能運(yùn)動、電能品質(zhì)國際研討會與展覽會”上，英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）推出新的CoolSiCTM 1200V SiC JFET 系列，該產(chǎn)品系列增強(qiáng)了英飛凌在SiC（碳化硅）產(chǎn)品市場的領(lǐng)先地位。這個革命性的新產(chǎn)品系列，立足于英飛凌在SiC技術(shù)開發(fā)以及高質(zhì)量、大批量生產(chǎn)方面十多年的豐富經(jīng)驗。

發(fā)表于：6/19/2012

恩智浦推出全球首款2 mm x 2 mm、采用可焊性鍍錫側(cè)焊盤的MOSFET

恩智浦半導(dǎo)體（納斯達(dá)克代碼：NXPI）今日推出業(yè)內(nèi)首款2 mmx 2 mm、采用可焊性鍍錫側(cè)焊盤的超薄DFN （分立式扁平無引腳）封裝MOSFET。這些獨(dú)特的側(cè)焊盤提供光學(xué)焊接檢測的優(yōu)勢，與傳統(tǒng)無引腳封裝相比，焊接連接質(zhì)量更好。

發(fā)表于：6/19/2012

論如何保證硬盤播出系統(tǒng)的安全

分析硬盤播出系統(tǒng)的原理、硬件系統(tǒng)及軟件系統(tǒng)組成，闡述了從體系結(jié)構(gòu)方面構(gòu)建安全的硬盤播出系統(tǒng)，從安全運(yùn)行方面做好硬盤播出系統(tǒng)的軟件系統(tǒng)和硬件系統(tǒng)的維護(hù),總結(jié)了保證硬盤播出系統(tǒng)安全的方法和策略。

發(fā)表于：6/18/2012

基于EPG3231和閃存的聲音播放器設(shè)計

提出一種在單片機(jī)系統(tǒng)中比較簡單地使用大容量 NAND Flash存儲器的方法。與一般方法相比，編寫應(yīng)用程序的程序員不需要掌握計算機(jī)文件系統(tǒng)的規(guī)范，只要按照NAND Flash的讀、寫、擦除等時序?qū)ζ溥M(jìn)行操作，把NANDFlash當(dāng)成NOR Flash或SRAM來對待

發(fā)表于：6/11/2012

Diodes新型 MOSFET離板高度減半

Diodes Incorporated 推出一系列采用薄型DFN2020-6封裝的高效率N通道及P通道MOSFET。DFN2020H4封裝的DMP2039UFDE4，離板高度只有0.4毫米，占板面積只有四平方毫米，是一款額定電壓為-25V的P通道器件，體積較同類器件纖薄50%。同系列另一采用DFN2020E封裝的MOSFET則具有0.5毫米離板高度，較其他一般離板高度為0.6毫米的MOSFET纖薄20%。

發(fā)表于：5/2/2012

基于無線傳感網(wǎng)絡(luò)的智能溫室大棚監(jiān)控系統(tǒng)

針對傳統(tǒng)人工采集費(fèi)時費(fèi)力和有線監(jiān)控布線復(fù)雜、維護(hù)困難的局限性，將傳感器與ZigBee無線網(wǎng)絡(luò)技術(shù)相結(jié)合，提出了無線傳感網(wǎng)絡(luò)的智能溫室大棚監(jiān)控系統(tǒng)的設(shè)計方案。該系統(tǒng)利用ZigBee技術(shù)實現(xiàn)對采集數(shù)據(jù)及信息的無線收發(fā)，通過公共網(wǎng)關(guān)接口CGI將數(shù)據(jù)和控制信息傳送到互聯(lián)網(wǎng)。操作人員可從遠(yuǎn)距離的PC機(jī)上實時查看數(shù)據(jù)、實施控制，從而實現(xiàn)了真正意義的遠(yuǎn)程監(jiān)控。

發(fā)表于：4/27/2012

基于單片機(jī)的無線病房呼叫系統(tǒng)設(shè)計

在傳統(tǒng)病房呼叫系統(tǒng)的基礎(chǔ)上提出一種基于單片機(jī)實現(xiàn)的無線病房呼叫系統(tǒng)設(shè)計方法，給出了基于單片機(jī)和射頻通信芯片nRF401而設(shè)計的硬件原理圖，并對影響無線通信性能的通信協(xié)議的設(shè)計、數(shù)據(jù)幀和防信息碰撞方法的實現(xiàn)及混合信號PCB板設(shè)計等做了較詳細(xì)的探討。

發(fā)表于：4/25/2012

瑞薩電子推出低功耗，超小型功率MOSFET，為便攜式裝置提供更高的功效和更小的封裝尺寸

全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體和解決方案的主要供應(yīng)商瑞薩電子株式會社（TSE：6723，以下簡稱“瑞薩電子”）今天宣布推出八款低功耗P通道和N通道功率金屬氧化半導(dǎo)體場效晶體管（MOSFET）產(chǎn)品，理想用于包括智能手機(jī)和筆記本在內(nèi)的便攜式電子產(chǎn)品。具有業(yè)界領(lǐng)先的低功耗（低導(dǎo)通電阻），新器件包括20 V (VDSS) µPA2600和30 V µPA2601，配置了超緊湊型2 mm× 2 mm封裝，從而具有提升的功率效率并實現(xiàn)了小型移動器件封裝尺寸的小型化。

發(fā)表于：4/19/2012

能源計量的多傳感器信息系統(tǒng)解決方案

節(jié)能減排以能源計量技術(shù)為基礎(chǔ)，作為分支計量學(xué)科的能源計量是技術(shù)與管理結(jié)合體的、復(fù)雜的、邊沿性的重要社會活動。以量、質(zhì)、損、殘、存等的能源計量系統(tǒng)是能源量及使用程度的計量系統(tǒng)。

發(fā)表于：4/12/2012

存儲技術(shù)變局為中國制造帶來了什么機(jī)遇？

縱觀半導(dǎo)體發(fā)展歷史，一種新興技術(shù)的出現(xiàn)，影響的不只是個別公司的興衰，更是推動了某個產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)型，新技術(shù)是變革者趕超傳統(tǒng)技術(shù)列強(qiáng)的利器，也是產(chǎn)業(yè)升級的動力源，當(dāng)年的光盤存儲技術(shù)興起，就帶動了中國整體光盤機(jī)產(chǎn)業(yè)，現(xiàn)在，我們又將迎來新一輪的存儲技術(shù)變局---以NAND FLASH為代表的半導(dǎo)體存儲技術(shù)會給我們的本土企業(yè)帶來了什么機(jī)遇？這里結(jié)合自己的體會聊做分析。

發(fā)表于：3/29/2012

進(jìn)化論讓MEMS產(chǎn)業(yè)在震后變得更加強(qiáng)大

進(jìn)化論認(rèn)為適者生存，這有時是一個殘酷的自然選擇過程，幸存的都是比較強(qiáng)壯和適應(yīng)能力較強(qiáng)的生物體。對于MEMS市場來說，日本地震就相當(dāng)于一個進(jìn)化論事件，災(zāi)后供應(yīng)鏈變得更加豐富、更加多樣化，也更適應(yīng)成長。

發(fā)表于：3/27/2012