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德路推出用于智能消費(fèi)設(shè)備微透鏡的新型高科技材料

德路工業(yè)膠粘劑公司開(kāi)發(fā)了新型的、用于透鏡生產(chǎn)的光固化環(huán)氧樹(shù)脂和丙烯酸酯。用于微透鏡的創(chuàng)新型光學(xué)材料對(duì)全球消費(fèi)電子產(chǎn)業(yè)來(lái)說(shuō)具有劃時(shí)代意義，因?yàn)檫@些材料最大程度滿足了微光學(xué)系統(tǒng)所有的質(zhì)量要求，并且使快速和低成本生產(chǎn)成為可能。如今，高科技透鏡應(yīng)用于陣列相機(jī)、手機(jī)、LED閃光燈以及3D屏幕中。

發(fā)表于：9/6/2013

Vishay的新款超小外形尺寸的TrenchFET® Gen III P溝道功率MOSFET具有極低導(dǎo)通電阻

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，擴(kuò)充其采用超小PowerPAK® SC-70封裝的TrenchFET® Gen III P溝道功率MOSFET。今天推出的Vishay Siliconix MOSFET是為在便攜式電子產(chǎn)品中節(jié)省空間及提高效率而設(shè)計(jì)的，占位面積只有2mm x 2mm，在-4.5V和-10V柵極驅(qū)動(dòng)下的導(dǎo)通電阻是-12V、-20V和-30V(12V VGS和20V VGS)器件中最低的。

發(fā)表于：9/6/2013

LSI發(fā)布SandForce閃存控制器創(chuàng)新技術(shù)

LSI 公司(NASDAQ: LSI)發(fā)布其最新LSI®SandForce®閃存控制器的創(chuàng)新技術(shù)，并在近期舉行的美國(guó)加州閃存存儲(chǔ)器峰會(huì)上進(jìn)行了演示。

發(fā)表于：9/5/2013

Vishay的新款MOS勢(shì)壘肖特基整流器具有10A和15A器件中業(yè)內(nèi)最低的正向壓降

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新款高電流密度的50V TMBS®Trench MOS勢(shì)壘肖特基整流器---V10PN50和V15PN50。這兩款器件是業(yè)內(nèi)首批在10A和15A下的典型正向壓降低至0.40V和0.41V，兼具優(yōu)化的漏電流的器件，采用薄形TO-277A(SMPC)封裝，可用于智能手機(jī)和平板電腦的充電器。

發(fā)表于：9/5/2013

意法半導(dǎo)體(ST)發(fā)布擁有頂級(jí)性能的MEMS加速度計(jì)，提升豐富的用戶體驗(yàn)

橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商、世界最大的MEMS產(chǎn)品制造商、世界最大的消費(fèi)電子及便攜設(shè)備MEMS傳感器供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）日前發(fā)布了最新的高性能3軸MEMS加速度計(jì)LIS344AHH。新產(chǎn)品擁有達(dá)±18g的滿量程、高帶寬、低噪聲、高機(jī)械穩(wěn)定性和熱穩(wěn)定性，可提升游戲、用戶界面和增強(qiáng)實(shí)境的用戶體驗(yàn)，以及工業(yè)控制和碰撞監(jiān)視的性能。

發(fā)表于：9/3/2013

Molex擴(kuò)展Stac64產(chǎn)品系列推出14回路混合連接系統(tǒng)

全球領(lǐng)先的全套互連產(chǎn)品供應(yīng)商Molex公司擴(kuò)展其Stac64?產(chǎn)品系列，推出14回路混合連接系統(tǒng)，Stac64混合連接系統(tǒng)由一個(gè)14回路混合插座連接器和14回路垂直和直角接頭構(gòu)成，以期滿足日益增長(zhǎng)的擴(kuò)展汽車和商業(yè)車輛中車載功能的端接需求。典型應(yīng)用包括車載娛樂(lè)系統(tǒng)、內(nèi)部照明和導(dǎo)航、電動(dòng)座椅和車門(mén)區(qū)域模塊，以及儀表板群組。

發(fā)表于：9/2/2013

美高森美提供世界唯一自加密0.5TB 2.5” SATA SLC固態(tài)驅(qū)動(dòng)器應(yīng)對(duì)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)安全威脅

致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào)：MSCC)發(fā)布全球唯一的安全性0.5 TB (half-terabyte) 固態(tài)驅(qū)動(dòng)器(solid state drive, SSD)產(chǎn)品，用于移動(dòng)視頻監(jiān)控運(yùn)作、存儲(chǔ)域網(wǎng)絡(luò)(SAN)和其它需要出色的實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)保護(hù)的大容量存儲(chǔ)應(yīng)用。堅(jiān)固耐用的TRRUST-Stor? Series 200 2.5” SATA SSD在持續(xù)的200 MB/s速率下運(yùn)作，并且提供低于10s的業(yè)界最快速完全硬件基礎(chǔ)擦除時(shí)間，這款自加密0.5TB SSD現(xiàn)在可以供貨，目前付運(yùn)至數(shù)家客戶，用于支持需要大容量安全存儲(chǔ)能力的應(yīng)用。

發(fā)表于：8/29/2013

意法半導(dǎo)體(ST)進(jìn)一步擴(kuò)大市場(chǎng)領(lǐng)先的MEMS產(chǎn)品組合，推出世界最小的電子羅盤(pán)模塊，實(shí)現(xiàn)更順暢且更智能的功能

意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST；紐約證券交易所代碼：STM），利用其先進(jìn)MEMS技術(shù)在一個(gè)封裝內(nèi)整合3軸加速度計(jì)和3軸磁力計(jì)，成功開(kāi)發(fā)出世界上最小的電子羅盤(pán)模塊。

發(fā)表于：8/1/2013

一種基于閃存固態(tài)盤(pán)的內(nèi)存交換區(qū)空間分配方案

針對(duì)閃存固態(tài)盤(pán)語(yǔ)義缺失特性，提出了一種帶有語(yǔ)義感知的交換區(qū)空間分配方案，減少了交換系統(tǒng)中Trim命令的使用次數(shù)，進(jìn)而減少內(nèi)存交換系統(tǒng)中的時(shí)間開(kāi)銷，提高程序運(yùn)行的性能。

發(fā)表于：7/30/2013

Molex MX150 非密封連接器系統(tǒng)以經(jīng)過(guò)現(xiàn)場(chǎng)驗(yàn)證的MX150 端子系統(tǒng)為基礎(chǔ)，采用成本設(shè)計(jì)方法構(gòu)建

全球領(lǐng)先的全套互連產(chǎn)品供應(yīng)商Molex公司推出用于汽車工業(yè)直接連接或同軸(in-line)中等功率車身電子應(yīng)用的MX150?非密封連接器系統(tǒng)，用于內(nèi)部照明、控制臺(tái)、梳妝鏡、座椅和門(mén)鎖等空間受限場(chǎng)合。新型非密封連接系統(tǒng)使用目前獲得眾多線束制造商部署使用及經(jīng)過(guò)現(xiàn)場(chǎng)驗(yàn)證的Molex MX150端子設(shè)計(jì)，較傳統(tǒng)USCAR 1.50mm接口顯著節(jié)省空間。

發(fā)表于：7/15/2013

Diodes芯片尺寸封裝的肖特基二極管實(shí)現(xiàn)雙倍功率密度

Diodes公司(Diodes Incorporated) 推出首款采用了晶圓級(jí)芯心尺寸封裝的肖特基(Schottky)二極管，為智能手機(jī)及平板電腦的設(shè)計(jì)提供除微型DFN0603器件以外的又一選擇。新器件能夠以同樣的電路板占位面積，實(shí)現(xiàn)雙倍功率密度。

發(fā)表于：7/4/2013

中國(guó)成為富士通FRAM最大市場(chǎng)，電表工控汽車等領(lǐng)域全面開(kāi)花

近五年之內(nèi)，一些新型的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)如FRAM、PRAM、ReRAM、MRAM不斷涌現(xiàn)，但達(dá)到出色市場(chǎng)量產(chǎn)業(yè)績(jī)的只有FRAM。那么現(xiàn)如今FRAM在中國(guó)的應(yīng)用進(jìn)展如何？在哪些更多的應(yīng)用領(lǐng)域正在取代傳統(tǒng)的EEPROM、SRAM和閃存和閃存呢？

發(fā)表于：7/3/2013

意法半導(dǎo)體（ST）過(guò)壓保護(hù)二極管創(chuàng)小型化記錄，為移動(dòng)應(yīng)用釋放更多電路板空間

意法半導(dǎo)體推出全球最小的瞬態(tài)電壓抑制二極管，為消費(fèi)電子產(chǎn)品和手持產(chǎn)品內(nèi)的敏感電子元器件提供過(guò)壓保護(hù)功能。

發(fā)表于：4/10/2013

英飛凌推出采用創(chuàng)新芯片嵌入式封裝技術(shù)的新一代DrMOS器件DrBlade

英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/ OTCQX代碼：IFNNY）近日在2013應(yīng)用電力電子會(huì)議暨展覽會(huì)（APEC）中宣布推出DrBlade：全球第一款采用創(chuàng)新芯片嵌入式封裝技術(shù)的集成式器件，它集成了DC/DC 驅(qū)動(dòng)器及MOSFET VR功率級(jí)。DrBlade包含最新一代低壓DC/DC驅(qū)動(dòng)器技術(shù)及OptiMOS? MOSFET器件。該MOSFET 技術(shù)擁有最低的單位面積導(dǎo)通阻抗及針對(duì)應(yīng)用優(yōu)化的品質(zhì)因數(shù)，能達(dá)到最高的DC/DC調(diào)壓系統(tǒng)效率，適用于計(jì)算及電信應(yīng)用，包括刀片服務(wù)器和機(jī)架服務(wù)器、PC主板、筆記本電腦和游戲機(jī)等。

發(fā)表于：3/27/2013

恩智浦推出全球首款采用2 mm x 2 mm無(wú)引腳封裝的低VCEsat雙晶體管

智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V.)（納斯達(dá)克代碼：NXPI）近日推出業(yè)內(nèi)首款雙晶體管產(chǎn)品，具有低飽和電壓特性，采用2 mm x 2 mm DFN（分立式扁平無(wú)引腳）封裝。15種采用無(wú)引腳、薄型DFN2020-6 (SOT1118)封裝的全新產(chǎn)品即將上市，它們的集電極電壓(VCEO)為30 V、60 V和120 V (PBSS4112PAN)。

發(fā)表于：3/25/2013