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如何選擇MOSFET——電機控制
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MOSFET價格下跌 英飛凌新建12寸廠擴產
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安世半導體宣布推出最低導通阻抗,且優化關鍵性能的LFPAK56和LFPAK33封裝MOSFET
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安森美半導體推出碳化硅(SiC) MOSFET，完善生態系統
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Vishay攜最新MOSFET、IC、無源器件和二極管技術亮相APEC 2019
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2019年中國功率半導體市場規模逾2900億元
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業界最小尺寸的GaN FET將亮相2019慕尼黑上海電子展
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穩健的汽車40V功率MOSFET提高汽車安全性
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基本半導體發布高可靠性1200V碳化硅MOSFET
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基本半導體發布國內首款工業級碳化硅MOSFET
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意法半導體推出高效超結MOSFET，瞄準節能型功率轉換拓撲
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華虹宏力卡位又一重點市場！
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Trinamic大功率步進電機的完美電流控制
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需求激增 SiC晶圓市場供應不足
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在高頻直流—直流轉換器內使用650V碳化硅MOSFET的好處
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如何用碳化硅(SiC)MOSFET設計一個高性能門極驅動電路
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對SiC-MOSFET和IGBT的區別
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VHF寬帶E類高效率功率放大器設計
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漲價缺貨的野火擴散至CMOS傳感器
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短溝道MOSFET的毫米波噪聲建模
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MOSFET需求持續強勁，英飛凌稱部分產品交期超過26周
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如何選擇MOSFET - 熱插拔
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Diodes Incorporated 推出脫機式變壓器專用的小型同步整流 MOSFET 驅動器
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力源信息上半年業績預增37.99%至43.20%
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使用創新的加載技術加速穩定性測試和測量
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后MOSFET時代，TFET是芯片的新選擇？
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UnitedSiC’s 1200 V Silicon Carbide FETs deliver industry’s highest-performance upgrade path for IGBT, Si and SiC-MOSFET users
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安世半導體Nexperia標準器件行業峰會圓滿落幕
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