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解決方案

增強(qiáng)型MOS晶體管,增強(qiáng)型MOS晶體管是什么意思[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

根據(jù)導(dǎo)電方式的不同，MOSFET又分增強(qiáng)型、耗盡型。所謂增強(qiáng)型是指：當(dāng)VGS=0時(shí)管子是呈截止?fàn)顟B(tài)，加上正確的VGS后，多數(shù)載流子被吸引到柵極，從而“增強(qiáng)”了該區(qū)域的載流子，形成導(dǎo)電溝道。

發(fā)表于：8/18/2016 6:28:00 PM

什么是耗盡型MOS晶體管[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

據(jù)導(dǎo)電方式的不同，MOSFET又分增強(qiáng)型、耗盡型。耗盡型是指，當(dāng)VGS=0時(shí)即形成溝道，加上正確的VGS時(shí)，能使多數(shù)載流子流出溝道，因而“耗盡”了載流子，使管子轉(zhuǎn)向截止。耗盡型MOS場(chǎng)效應(yīng)管，是在制造過(guò)程中，預(yù)先在SiO2絕緣層中摻入大量的正離子，因此，在UGS=0時(shí)，這些正離子產(chǎn)生的電場(chǎng)也能在P型襯底中“感應(yīng)”出足夠的電子，形成N型導(dǎo)電溝道。

發(fā)表于：8/18/2016 6:08:00 PM

最新耐用型大功率LDMOS晶體管耐用測(cè)試及應(yīng)用類(lèi)型[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受?chē)?yán)重的失配，即使在滿(mǎn)輸出電平時(shí)也是如此。現(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體（LDMOS）晶體管，這種產(chǎn)品能夠承受相當(dāng)于65.0:1的電壓駐波比（VSWR）的負(fù)載失配。但這些晶體管真的無(wú)懈可擊嗎？這種耐用性適用于哪些類(lèi)型的應(yīng)用？本報(bào)告將介紹一些最新的耐用型大功率LDMOS晶體管以及它們的電氣特性，并通過(guò)比較測(cè)試過(guò)程來(lái)判斷它們的耐用水平。

發(fā)表于：8/18/2016 6:00:00 PM

新型高耐壓功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

?摘要：分析了常規(guī)高壓MOSFET的耐壓與導(dǎo)通電阻間的矛盾，介紹了內(nèi)建橫向電場(chǎng)的高壓MOSFET的結(jié)構(gòu)，分析了解決耐壓與導(dǎo)通電阻間矛盾的方法與原理，介紹并分析了具有代表性的新型高壓MOSFET的主要特性。

發(fā)表于：8/18/2016 5:24:00 PM

場(chǎng)效應(yīng)晶體管放大器[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

場(chǎng)效應(yīng)晶體管放大器是電壓控制器件，具有輸入阻抗高、噪聲低的優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用在電子電路中，特別是具有上述要求前級(jí)放大器顯示器出越性。根據(jù)場(chǎng)效應(yīng)管兩大類(lèi)型--結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管可構(gòu)成相應(yīng)的場(chǎng)效應(yīng)管放大器。以下以結(jié)型管為例給出三種基本組態(tài)放大器的等效電路和性能指標(biāo)計(jì)算表達(dá)式，見(jiàn)表5.2-7。圖為場(chǎng)效應(yīng)管具有與晶體管類(lèi)似的正向受控作用，它也可構(gòu)成共源極、共漏極、共柵極三種基本放大器。

發(fā)表于：8/18/2016 5:09:00 PM

MOS管技術(shù):電源應(yīng)用中場(chǎng)效應(yīng)晶體管的崩潰效應(yīng)[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

在 SMPS(Switching Mode POWER Supply) 以及 DC-DC 轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)中 , 使用場(chǎng)效應(yīng)晶體管當(dāng)作切換開(kāi)關(guān)已經(jīng)越來(lái)越普遍。在設(shè)計(jì)中為了減少尺寸大小和提升電源密度 , 其電源操作工作頻率也要求越來(lái)越高。如此會(huì)造成較高的 di/dt 產(chǎn)生使得雜散電感效應(yīng)加諸于場(chǎng)效應(yīng)晶體管兩端 (Drain & Source) 的瞬間電壓會(huì)更加明顯。尤其在電源開(kāi)機(jī)的霎那間 , 此瞬間電壓會(huì)達(dá)到最大值。這是由于變壓器一次側(cè)電感值相當(dāng)于漏電感 ( 最小電感值 ) 而且輸出電容完全未充電的狀態(tài)所致。幸運(yùn)的是一般場(chǎng)效應(yīng)晶體管皆可承受高于某些程度的額定電壓范圍 , 在此條件范圍內(nèi)設(shè)計(jì)者并不需要增加額外的保護(hù)線(xiàn)路以避免不必要的成本支出。此篇文章可帶領(lǐng)各位去判斷何種條件下對(duì)場(chǎng)效應(yīng)晶體管所造成的影響 , 進(jìn)而幫助設(shè)計(jì)者去衡量成本及可靠度以取得最佳的平衡點(diǎn)。

發(fā)表于：8/17/2016 6:28:00 PM

增強(qiáng)型和耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

　總的來(lái)說(shuō)，場(chǎng)效應(yīng)晶體管可區(qū)分為耗盡型和增強(qiáng)型兩種。耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(D-FET)就是在0柵偏壓時(shí)存在溝道、能夠?qū)щ姷腇ET;增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(E-FET)就是在0柵偏壓時(shí)不存在溝道、不能夠?qū)щ姷腇ET。

發(fā)表于：8/17/2016 6:26:00 PM

電力雙極型晶體管(GTR)詳解[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

電力雙極型晶體管(GTR)是一種耐高壓、能承受大電流的雙極晶體管，也稱(chēng)為BJT，簡(jiǎn)稱(chēng)為電力晶體管。它與晶閘管不同，具有線(xiàn)性放大特性，但在電力電子應(yīng)用中卻工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài)，從而減小功耗。GTR可通過(guò)基極控制其開(kāi)通和關(guān)斷，是典型的自關(guān)斷器件。

發(fā)表于：8/17/2016 6:12:00 PM

單結(jié)晶體管工作原理[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

單結(jié)晶體管（簡(jiǎn)稱(chēng)UJT）又稱(chēng)基極二極管，它是一種只有一個(gè)PN結(jié)和兩個(gè)電阻接觸電極的半導(dǎo)體器件，它的基片為條狀的高阻N型硅片，兩端分別用歐姆接觸引出兩個(gè)基極b1和b2。在硅片中間略偏b2一側(cè)用合金法制作一個(gè)P區(qū)作為發(fā)射極e。其結(jié)構(gòu)、符號(hào)和等效電呼如圖1所示。

發(fā)表于：8/17/2016 6:05:00 PM

光敏晶體管工作原理[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

光敏二極管和光敏三極管是光電轉(zhuǎn)換半導(dǎo)體器件，與光敏電阻器相比具有靈敏度高、高頻性能好，可靠性好、體積小、使用方便等優(yōu)。一、光敏二極管 1．結(jié)構(gòu)特點(diǎn)與符號(hào) 光敏二極管和普通二極管相比雖然都屬于單向?qū)щ姷姆蔷€(xiàn)性半導(dǎo)體器件，但在結(jié)構(gòu)上有其特殊的地方。光敏二極管在電路中的符號(hào)如圖Z0129 所示。光敏二極管使用時(shí)要反向接入電路中，即正極接電源負(fù)極，負(fù)極接電源正極。

發(fā)表于：8/17/2016 4:48:00 PM

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