頭條 英偉達官宣：CUDA將全面支持RISC-V架構！ 早在2024年10月，英偉達在RISC-V北美峰會上透露，其在2015年就選定將RISC-V選定為其專有Falcon微控制器（MCU）的繼任架構。由于 MCU 內核是通用的，因此可以在英偉達的產品中廣泛使用。根據英偉達當時的預計，2024年英偉達將交付10億個內置于其 GPU、CPU、SoC 和其他產品中的 RISC-V 處理器，這也凸顯了定制 RISC-V 內核在英偉達硬件中的普遍性和重要性。 在此次RISC-V中國峰會上，Frans Sijstermanns也指出，英偉達是RVI和RISE的董事會成員和技術委員會代表，也是相關規范的貢獻者。英偉達產品中的微控制器都是基于RISC-V架構，具有可配置、可擴展和安全保護功能，并且也被集成在30多個IP中，每年出貨量超過10億個RISC-V MCU。 最新資訊 2024年汽車半導體行業收入將面臨下降 TechInsights的最新報告預測，2024年汽車半導體行業的收入將面臨短缺，原因是Tier 1和OEM客戶正在消化2020年至2022年積累的庫存。此外，2023年下半年電動汽車需求的放緩也將在2024年進一步加劇，影響整個汽車行業。盡管長期趨勢看，汽車半導體需求依然存在，但2024年的早期收入預測顯示，增幅將趨于平緩，直至2025年才能恢復增長。從英飛凌、恩智浦、意法半導體、德州儀器、瑞薩電子、安森美半導體、博世、ADI等模擬芯片大廠近期業績來看，受新能源汽車產銷量不及預期影響，相關企業業績仍然在低谷徘徊，汽車芯片市場疲軟局勢依舊。 發表于：12/6/2024 我國首枚可回收火箭朱雀三號有望明年運營 12 月 5 日消息，據央視新聞報道，今年 9 月，朱雀三號火箭完成 10 公里級垂直起降飛行試驗。朱雀三號預計明年下半年發射，有望成為中國第一枚投入運營的可回收運載火箭。藍箭航天創始人張昌武在《魯健訪談》中介紹，2030 年前后能實現兩級重復使用火箭的工程落地。 發表于：12/6/2024 鴻海科技發力布局護理機器人領域 12 月 5 日消息，鴻海科技集團 B 事業群暨數字健康總經理姜志雄今天表示，集團正在依循「3+3」核心戰略展開相關規劃，布局護理機器人產品。 他強調，「護理機器人」正是鴻海董事長劉揚偉的重要布局，希望藉此整合 AI 技術，幫助護工及醫護人員解決機械性工作問題，但一切尚處于規劃當中，暫時還無法對外透露太多細節。 發表于：12/6/2024 蘋果OLED屏幕路線圖曝光 12 月 6 日消息，根據市場調查機構 Omdia 公布新產品路線圖，蘋果計劃在 2026 年起，為 iPad mini、iPad Air 和 MacBook Air 等產品線推進搭載 OLED 屏幕。 發表于：12/6/2024 消息稱Intel正尋求外部空降CEO 基辛格突然退休 Intel正尋求外部空降CEO！候選人包括陳立武、Marvell CEO等 發表于：12/5/2024 Marvell推出業界首款3nm制程PAM4光學DSP芯片Ara 12 月 4 日消息，Marvell 美滿電子美國當地時間昨日宣布推出業界首款 3nm 制程 PAM4 光學 DSP 芯片 Ara。該芯片可將 1.6Tbps 高速光模塊的功耗降低 20% 以上，不僅降低了運行成本還能在受限功耗下滿足 AI 工作負載對高性能光通信的需求。 發表于：12/5/2024 國內首款磁陽極霍爾電推進產品成功在軌應用 12月4日消息，據“中國航天科技集團”官微發文，由中國航天科技集團有限公司六院801所研制的國內首款磁陽極霍爾推力器在國際上實現首次飛行應用。 11月18日～11月20日，磁陽極霍爾電推進產品完成首次在軌點火運行，產品工作正常、穩定，各項遙測參數均在設計范圍，在軌測定性能與地面標定數據一致，滿足總體要求。本次成功在軌飛行，有力支撐了該型產品的后續應用。 發表于：12/5/2024 恩智浦計劃為客戶建立一條中國芯片供應鏈 12月4日消息，今天，荷蘭半導體企業恩智浦與中國臺灣合作伙伴世界先進的VSMC合資公司，在新加坡動工興建一家12英寸（300mm）晶圓廠。 恩智浦執行副總裁Andy Micallef在儀式上透露，恩智浦還在努力尋找一種方式來服務那些需要中國產能的客戶，“我們將建立一條中國供應鏈”。 Micallef表示，中國是世界上最大的電動汽車和電信市場，恩智浦在試圖找到一種方式，為那些需要在中國境內生產能力的客戶提供服務。 式成立。 發表于：12/5/2024 三星將推出400+層第10代V-NAND 12月4日消息，據Tom's hardware報道，三星將在即將舉行的國際固態電路會議（ISSCC）上展示新的超過400層3D NAND Flash，接口速度為5.6 GT/s。 報道稱，三星的第10代V-NAND保持了TLC（三級單元，或每個單元 3 位）架構，每個芯片的容量為1Tb（128 GB）。三星聲稱其新的超400層 3D TLC NAND Flash的存儲密度為 28 Gb/mm²，僅略低于三星的1Tb 3D QLC V-NAND，后者的存儲密度為 28.5 Gb/mm²，是目前世界上存儲密度最高的NAND Flash。 發表于：12/5/2024 中國汽車芯片聯盟白名單2.0正式發布 12 月 4 日消息，中國汽車芯片產業創新戰略聯盟（簡稱“中國汽車芯片聯盟”）本周一宣布，聯盟汽車芯片白名單 2.0 發布，覆蓋車身、底盤、動力、座艙、智駕、整車控制等各應用領域中的 10 大類芯片。 發表于：12/4/2024 ?…105106107108109110111112113114…?
