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Gartner：2024年全球半導(dǎo)體收入增長(zhǎng)21%

根據(jù)Gartner的最終統(tǒng)計(jì)結(jié)果，2024年全球半導(dǎo)體總收入為6559億美元，較2023年的5421億美元增長(zhǎng)了21%。同時(shí)，英偉達(dá)超越了三星電子和英特爾，首次躍居首位。 Gartner研究副總裁Gaurav Gupta表示：“前十大半導(dǎo)體廠(chǎng)商收入排名變動(dòng)的主要原因在于強(qiáng)勁的AI基礎(chǔ)設(shè)施需求以及73.4%的內(nèi)存收入增長(zhǎng)。英偉達(dá)之所以能夠躍至首位，主要在于其獨(dú)立圖形處理單元（GPU）需求顯著增長(zhǎng)，GPU已成為數(shù)據(jù)中心AI工作負(fù)載的首選。” Gupta表示：“供需失衡引起價(jià)格大幅反彈，三星電子的DRAM和閃存收入增長(zhǎng)，得以繼續(xù)保持在第二位。英特爾2024年的半導(dǎo)體收入僅增長(zhǎng)了0.8%，原因在于其主要產(chǎn)品線(xiàn)面臨的競(jìng)爭(zhēng)威脅正在加劇，而且英特爾未能把握AI處理需求強(qiáng)勁增長(zhǎng)這一機(jī)遇。”2023-2024年全球排名前十半導(dǎo)體廠(chǎng)商收入（單位：百萬(wàn)美元）

軟銀宣布65億美元全現(xiàn)金收購(gòu)美國(guó)芯片設(shè)計(jì)公司Ampere

發(fā)表于：2025/3/20

美國(guó)EPC專(zhuān)利被判決無(wú)效英諾賽科獲ITC案件終極勝利

美國(guó)GaN技術(shù)廠(chǎng)商宜普公司（EPC）于2023年向加州地區(qū)法院和ITC提起訴訟，聲稱(chēng)國(guó)產(chǎn)GaN芯片廠(chǎng)商英諾賽科侵犯了EPC的4項(xiàng)專(zhuān)利，并尋求禁售與侵權(quán)賠償。

發(fā)表于：2025/3/20

我國(guó)科學(xué)家攻克超低溫量子接口技術(shù)

我國(guó)科學(xué)家攻克超低溫量子接口技術(shù)：首提無(wú)需修調(diào)的超低溫低功耗 CMOS 電壓基準(zhǔn)，成果登頂刊 JSSC

發(fā)表于：2025/3/20

西門(mén)子計(jì)劃全球裁員6000人

德國(guó)西門(mén)子計(jì)劃全球裁員6000人：數(shù)字化部門(mén)受重創(chuàng)

發(fā)表于：2025/3/20

基于卡爾曼融合的雙通道微弱信號(hào)采集系統(tǒng)設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

針對(duì)設(shè)備在水下磁異常信號(hào)檢測(cè)中難以有效采集、模數(shù)轉(zhuǎn)換器動(dòng)態(tài)范圍受限導(dǎo)致信噪比較低、微弱信號(hào)易被噪聲淹沒(méi)等問(wèn)題，設(shè)計(jì)一種基于國(guó)產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列（Field-Programmable Gate Array， FPGA）的高精度磁異常信號(hào)采集系統(tǒng)。為了提升信號(hào)的信噪比與動(dòng)態(tài)范圍，在分別采用2倍和8倍的增益前級(jí)處理后，通過(guò)高精度多通道模數(shù)轉(zhuǎn)換芯片ADS1278與紫光Logos系列FPGA對(duì)三軸磁通門(mén)輸出的微弱磁異常信號(hào)進(jìn)行采集，并將采集的信號(hào)平均加權(quán)進(jìn)行初步數(shù)據(jù)融合后使用卡爾曼濾波對(duì)融合數(shù)據(jù)進(jìn)行二次修正。試驗(yàn)結(jié)果表明，融合后的信號(hào)精度明顯優(yōu)于單通道的采集信號(hào)，在使用雙通道A/D采集頻率為200 Hz、幅值為500 μV的微弱信號(hào)時(shí)，信噪比提高26.099 dB，有效提高了數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的動(dòng)態(tài)范圍。

發(fā)表于：2025/3/19

基于碳化硅MOSFET半橋驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路設(shè)計(jì)

針對(duì)碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)難度較大、門(mén)極易受串?dāng)_、保護(hù)功能不齊全以及全國(guó)產(chǎn)化的問(wèn)題，基于國(guó)產(chǎn)芯片設(shè)計(jì)了一款碳化硅MOSFET半橋驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路。重點(diǎn)分析總結(jié)了碳化硅MOSFET有源米勒鉗位保護(hù)、退飽和保護(hù)以及橋臂互鎖保護(hù)原理與模型。在隔離原邊信號(hào)與副邊信號(hào)的同時(shí)，采用18 V/-3.3 V的高低電平，實(shí)現(xiàn)對(duì)上、下橋臂碳化硅MOSFET的控制，同時(shí)集成了欠壓鎖定、退飽和保護(hù)、橋臂互鎖、有源米勒鉗位保護(hù)的功能。與國(guó)際先進(jìn)水平Wolf Speed的碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)板CGD1200HB2P-BM2進(jìn)行了參數(shù)對(duì)比和功能測(cè)試。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，該電路開(kāi)關(guān)參數(shù)與CGD1200HB2P-BM2驅(qū)動(dòng)板相近，滿(mǎn)足碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)需求，并能可靠觸發(fā)保護(hù)功能。電路已實(shí)際應(yīng)用于碳化硅MOSFET的驅(qū)動(dòng)中。

發(fā)表于：2025/3/19

基于深度學(xué)習(xí)的桑葉病害識(shí)別方法研究

為提高桑葉病害檢測(cè)精度，實(shí)現(xiàn)將模型方便快速部署到移動(dòng)端，針對(duì)自然環(huán)境下桑葉病害病斑小、背景復(fù)雜等問(wèn)題，以YOLOv8為基線(xiàn)模型進(jìn)行改進(jìn)，提出了一種YOLOv8-Evo的桑葉病害識(shí)別算法。首先在Backbone模塊中加入了可變形卷積模塊從而更靈活地捕捉病害的細(xì)節(jié)和形狀，其次在Neck模塊中增加了CBAM（Convolutional Block Attention Module）注意力機(jī)制，發(fā)掘圖像中的關(guān)鍵特征和區(qū)域，最后在18 849張桑葉病害數(shù)據(jù)集上進(jìn)行驗(yàn)證，相較YOLOv8s模型，YOLOv8-Evo的識(shí)別精度提高2.4%，召回率提高1.5%，mAP50提高1%，mAP50-95提高0.7%，實(shí)驗(yàn)證明改進(jìn)的YOLOv8-Evo模型為桑葉病害識(shí)別的自動(dòng)化提供了理論依據(jù)與技術(shù)支持。

發(fā)表于：2025/3/19

電力物聯(lián)網(wǎng)智能巡檢業(yè)務(wù)與無(wú)線(xiàn)通信適配技術(shù)研究

隨著電力物聯(lián)網(wǎng)的建設(shè)，安全、高效的智能巡檢技術(shù)是電力行業(yè)健康發(fā)展的重要保障。智能巡檢具有通信要求高、工作環(huán)境復(fù)雜等特點(diǎn)，通信技術(shù)匹配難度較大。首先分析智能巡檢業(yè)務(wù)的特點(diǎn)及其對(duì)各類(lèi)無(wú)線(xiàn)通信技術(shù)的性能需求，然后提出了一種基于貝葉斯最佳-最差法（Bayesian Best-Worst Method， BBWM）和改進(jìn)多準(zhǔn)則折衷排序法（VIKOR）的智能巡檢業(yè)務(wù)與無(wú)線(xiàn)通信適配方法，最后對(duì)三種智能巡檢業(yè)務(wù)與無(wú)線(xiàn)通信技術(shù)進(jìn)行仿真實(shí)驗(yàn)。仿真結(jié)果表明，所提方法可以較好解決智能巡檢業(yè)務(wù)與無(wú)線(xiàn)通信技術(shù)的適配難題。

發(fā)表于：2025/3/19

復(fù)雜場(chǎng)景下SAR圖像多尺度艦船檢測(cè)算法

針對(duì)復(fù)雜場(chǎng)景下的多尺度SAR艦船目標(biāo)檢測(cè)存在誤檢漏檢的問(wèn)題，提出了一種改進(jìn)的SAR艦船目標(biāo)檢測(cè)方法。首先，利用多尺度目標(biāo)特征提取網(wǎng)絡(luò)提取特征信息，以提升多尺度目標(biāo)的檢測(cè)能力并減少冗余計(jì)算。其次，引入可形變卷積（DConv）通過(guò)自適應(yīng)調(diào)整卷積核的形狀來(lái)提升復(fù)雜場(chǎng)景下SAR艦船目標(biāo)的檢測(cè)性能。最后，引入了注意力機(jī)制來(lái)抑制背景雜波并增強(qiáng)特征信息。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，在SSDD數(shù)據(jù)集和HRSID數(shù)據(jù)集上改進(jìn)方法的檢測(cè)精度分別達(dá)到了97.9%和 93.1%，整體性能優(yōu)于現(xiàn)有主流目標(biāo)檢測(cè)算法。

發(fā)表于：2025/3/19

美光和SK海力士公布新型SOCAMM內(nèi)存模組

美光和SK海力士公布新型SOCAMM內(nèi)存模組，將用于英偉達(dá)GB300平臺(tái)

發(fā)表于：2025/3/19