《電子技術(shù)應(yīng)用》
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DSP內(nèi)嵌PLL中的CMOS壓控環(huán)形振蕩器設(shè)計(jì)
微計(jì)算機(jī)信息 賀磊
摘要: 本文提出了一種采用四級延遲單元的CMOS環(huán)形壓控振蕩器,每級采用調(diào)節(jié)電流源大小,改變電容放電速度的方式,在方便的提供正交輸出時(shí)鐘的同時(shí),具有2MHz至90MHz頻率調(diào)節(jié)范圍以及較低的功耗,可滿足DSP芯片時(shí)鐘系統(tǒng)的應(yīng)用要求。
關(guān)鍵詞: DSP PLL CMOS 振蕩器
Abstract:
Key words :

 

    1 引言
  在現(xiàn)代高性能DSP芯片設(shè)計(jì)中,鎖相環(huán)(PLL)被廣泛用作片內(nèi)時(shí)鐘發(fā)生器,實(shí)現(xiàn)相位同步及時(shí)鐘倍頻。壓控振蕩器(VCO)作為PLL電路的關(guān)鍵模塊,其性能將直接決定PLL的整體工作質(zhì)量。目前,在CMOS工藝中實(shí)現(xiàn)的VCO主要有兩大類:LC壓控振蕩器和環(huán)形壓控振蕩器。其中LC壓控振蕩器具有較低的相位噪聲和較低的功耗,但需要采用片上集成電感,因而占用很大的芯片面積,且調(diào)諧范圍較小。而CMOS環(huán)形振蕩器有著頻率調(diào)節(jié)范圍大,芯片面積小,制造工藝簡單等優(yōu)點(diǎn),且可以通過調(diào)整振蕩器的級數(shù),方便的獲得不同相位的一系列時(shí)鐘,因此在系統(tǒng)芯片(SOC)中有著更為廣泛的應(yīng)用。
  本文提出了一種采用四級延遲單元的CMOS環(huán)形壓控振蕩器,每級采用調(diào)節(jié)電流源大小,改變電容放電速度的方式,在方便的提供正交輸出時(shí)鐘的同時(shí),具有2MHz至90MHz頻率調(diào)節(jié)范圍以及較低的功耗,可滿足DSP芯片時(shí)鐘系統(tǒng)的應(yīng)用要求。
  2 VCO電路設(shè)計(jì)
  在鎖相環(huán)系統(tǒng)中VCO的作用是根據(jù)不同的控制電壓.輸出相應(yīng)振蕩頻率的波形,并將其輸入至分頻器,從而反饋到輸入端。因此理想的VCO其特性函數(shù)應(yīng)為:
  其中Kvco為常數(shù),表示電路的靈敏度。而實(shí)際的VCO調(diào)節(jié)特性表現(xiàn)出非線性,也就是Kvco不是常數(shù),這種非線性使鎖相環(huán)的穩(wěn)定性退化,因此我們希望在盡可能寬的頻率調(diào)節(jié)范圍內(nèi)Kvco的變化最小。
  2.1 整體電路結(jié)構(gòu)
  壓控環(huán)形振蕩電路的整體結(jié)構(gòu)框圖如圖1所示,整個(gè)環(huán)路由四級延遲單元構(gòu)成,每級延遲為TD,其中前三級電路接成反相的,最后一級電路正相連接,因此電路不會被鎖定,且每級振蕩電路的輸出時(shí)鐘相移為45°。
圖1 壓控環(huán)形振蕩器的整體結(jié)構(gòu)框圖
 
  這里,V是電荷泵的輸出電壓經(jīng)低通環(huán)路濾波器去除高頻成分后的直流分量,用來控制每級延遲單元的延遲時(shí)間。Venable是來自外部控制電路的使能信號,當(dāng)Venable為低電平時(shí)每級差分輸出的兩端均為“0”,此時(shí)整個(gè)VCO電路關(guān)閉,停止振蕩;當(dāng)Venable為高電平,電路正常工作時(shí),環(huán)路在連續(xù)的電壓結(jié)點(diǎn)之閘以的延遲振蕩,產(chǎn)生的振蕩周期為8TD。只要在輸入電壓和延遲時(shí)間TD之問建立起線形的關(guān)系,輸出信號的頻率F∝1/TD,就能夠?qū)崿F(xiàn)VCO所需的輸入電壓和輸出頻率之間的線性關(guān)系。
  2.2單元電路設(shè)計(jì)
  振蕩器延遲單元的電路結(jié)構(gòu)如圖2所示,電路采用RS觸發(fā)結(jié)構(gòu)來產(chǎn)生差分輸出的信號,這在消除靜態(tài)功耗的同時(shí),具有較好的抗噪聲性能。圖中的M1管和M4管分別提供對電容C1和C2充電時(shí)的電流。M2管和M5管作為電流源提供電容放電時(shí)的電流,其電流大小隨控制電壓V而改變,從而實(shí)現(xiàn)對電容放電速度的調(diào)節(jié)。另外,電容C1和C2是用源漏端接地的NMOS管制成的MOS柵氧電容,具有很高的單位面積電容值,以及較好的精度。
圖2 延遲單元電路圖
  下面計(jì)算單元電路的延遲時(shí)間,以C1為例,當(dāng)輸入為高電平時(shí),電路通過電流源M2管對電容放電,當(dāng)電容兩端電壓降至輸入與非門NAND1的翻轉(zhuǎn)點(diǎn)Vs時(shí),與非門輸出狀態(tài)轉(zhuǎn)換,其狀態(tài)從“0”到“1”的轉(zhuǎn)換時(shí)間為:
  這里由于C1電容遠(yuǎn)大于M1、M2管的漏端電容和與非門NAND1的輸入電容之和,因此可忽略它們的影響,Id2為V受控制的電流源M2管的電流。
  當(dāng)輸人為低電平時(shí),電路通過M1管對電容進(jìn)行充電。當(dāng)電容充電至三輸入與非門NAND1的翻轉(zhuǎn)點(diǎn)Vs時(shí),與非門輸出并不立即改變,因?yàn)榻徊骜詈系牧硪粋€(gè)與非門NAND2的輸出仍為低電平,需C2電容放電至Vs以下,輸出才會改變。因此與非門NAND1的輸出從“1”到“0”轉(zhuǎn)換的時(shí)問由電容C2的放電時(shí)間決定,為:
  其中Id5為受V控制的電流源M5管的電流。
  為了保證每級單元電路的差分輸出端有相同的延遲,電路中各個(gè)對應(yīng)的晶體管具有相同的寬長比,即C1與C2相等,Id2與Id5相等,因此t1=t2,且因?yàn)镃1、C2的電容值較大,相對于其充放電的時(shí)間,三輸入與非門和反向器的延遲時(shí)間可以忽略不計(jì),  因此,單元電路總的延時(shí)時(shí)間為:
  設(shè)計(jì)時(shí)三輸入與非門的翻轉(zhuǎn)點(diǎn)Vs是一個(gè)需考慮的問題。為了避免隨著控制電流的增大,控制管在電容放電過程中進(jìn)入線性區(qū),導(dǎo)致壓控振蕩器的線性覆蓋頻率范圍減少,Vs的值應(yīng)盡可能的大。但是如果翻轉(zhuǎn)點(diǎn)Vs過高,會使電容放電時(shí)間變短,當(dāng)Vs接近Vdd時(shí),三輸入與非門和反向器的延遲時(shí)間不再可以忽略,此時(shí)振蕩器的頻率調(diào)節(jié)范圍將大大減少。綜合以上兩方面,另外考慮到噪聲容限、速度、面積等因素,這里設(shè)計(jì)的三輸入與非門的翻轉(zhuǎn)點(diǎn)Vs為2.6V。
  3 仿真結(jié)果與分析
  根據(jù)以上分析,采用SMIC的0.35斗μmCMOS工藝模型進(jìn)行仿真,圖4為控制電壓為2V時(shí)VCO的X1端的輸出波形圖。另外,由于采用的是四級環(huán)形振蕩器結(jié)構(gòu),可以方便的產(chǎn)生正交時(shí)鐘信號,其中X1端的輸出波形與X3端正交,X2端的輸出波形與X4端正交。圖5為當(dāng)VCO的控制電壓在0.9V~3.5V變化時(shí)輸出頻率的變化圖,從圖中可以看到VCO的頻率調(diào)節(jié)范圍達(dá)到2MHz~90MHz.在中心頻率46MHz附近有很好的調(diào)節(jié)線性度。當(dāng)控制電壓高于3V以后,頻率變化呈一定的非線性,這是因?yàn)殡S著控制電壓的增大,在電容放電過程中,控制管會進(jìn)入線性區(qū),導(dǎo)致控制電壓對電流源變化的影響減小。但由于本文設(shè)計(jì)的VCO應(yīng)用于DSP芯片的典型運(yùn)行頻率為40MHz,因此VCO在中心頻率附近的高線性度可完全滿足DSP時(shí)鐘系統(tǒng)的要求。
圖5 環(huán)形壓控振蕩器的電壓一頻率特性曲線
  4 結(jié)論
  本文設(shè)計(jì)了一種應(yīng)用于DSP內(nèi)嵌鎖相環(huán)的低功耗、高線性CM0S壓控環(huán)形振蕩器。電路采用四級延遲單元能方便的獲得正交輸出時(shí)鐘,每級采用RS觸發(fā)結(jié)構(gòu)來產(chǎn)生差分輸出信號,在有效降低靜態(tài)功耗的同時(shí).具有較好的抗噪聲能力。在延遲單元的設(shè)計(jì)時(shí)。綜合考慮了電壓控制的頻率范圍以及調(diào)節(jié)線性度,選擇了合適的翻轉(zhuǎn)點(diǎn)。 仿真結(jié)果表明.電路叮實(shí)現(xiàn)2MHz至90MHz的頻率調(diào)節(jié)范圍,在中心頻率附近具有很高的調(diào)節(jié)線性度,可完全滿足DSP芯片時(shí)鐘系統(tǒng)的要求。
  本文作者創(chuàng)新點(diǎn):本文作者設(shè)計(jì)的CMOS壓控環(huán)形振蕩器電路采用四級延遲單元能方便的獲得正交輸出時(shí)鐘.每級采用RS觸發(fā)結(jié)構(gòu)來產(chǎn)生差分輸出信號,在有效降低靜態(tài)功耗的同時(shí),具有較好的抗噪聲能力。在延遲單元的設(shè)計(jì)時(shí)。綜合考慮了電壓控制的頻率范圍以及調(diào)節(jié)線性度,選擇了合適的翻轉(zhuǎn)點(diǎn)。
 
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