根據國際半導體貿易統(tǒng)計組織(WSTS)的數據，2010年Q1全球半導體市場銷售值達692億美元，較上季(09Q4)成長2.8%，較去年同期(09Q1)成長58.3%；銷售量達1,614億顆，較上季(09Q4)成長4.2%，較去年同期(09Q1)成長66.7%。

     根據國際半導體設備材料產業(yè)協會(SEMI)公布最新3月的訂單出貨報告，訂單出貨比(B/B Ratio)為1.19，較2月份的1.23顯著成長，目前已連續(xù)9個月處于1以上的水準，顯示半導體產業(yè)景氣持續(xù)維持在復蘇之水準，半導體產業(yè)的投資腳步也隨之逐步放大。

     以下是2010年第一季半導體產業(yè)部分重大事件分析：

 雷凌并購誠致

     臺灣地區(qū)IC設計公司雷凌與誠致宣布將于2010年10月1日合并，雷凌為存續(xù)公司。雷凌為目前臺灣第一大WLAN芯片供貨商，而誠致為臺灣第一大xDSL寬頻IC設計業(yè)者。合并后可達成整合無線網絡及寬頻網絡技術，擴大經營規(guī)模。

     雷凌與誠致合并后，新雷凌將結合雙方無線及有線傳輸芯片優(yōu)勢。不僅技術產品互補，行銷資源也擁有互補效益，可共同擴展WiFi及xDSL的市占率。以2009年二家營收來看，將可躋身全球前30大IC設計公司，未來將更可挑戰(zhàn)瑞昱龍頭地位。

 宏力與華虹NEC共建12寸晶圓生產線

     上海宏力半導體與華虹NEC宣布合作成立華立微電子，共同建設12寸半導體生產線，將采用45nm及其以下先進制程技術，是中國國家集成電路產業(yè)重大尖端科技項目-909項目的升級工程。此項目投資總額預算約145億元人民幣，其中華立微電子注冊資本約66億元人民幣，由華虹NEC和宏力一起出資21億元人民幣，加上上海地方政 府投資的45億元人民幣。

     此目標是建成“第一條國資控股、主要面向中國國內市場、90nm到65nm再到45nm的制程技術等級、月產3.5萬片的12寸集成電路生產線”，目前基本規(guī)劃是2010年底月產能將達1萬片，2011年2萬片，2012年3.5萬片，主要將以邏輯芯片、閃存產品為主。

     以往中芯國際為中國大陸唯一具有12寸晶圓廠的晶圓代工公司，宏力與華虹NEC合資建立12寸晶圓廠，一方面代表官方整合產業(yè)，以求做大做強的企圖，二來也是為營造在高端制程市場的良性競爭，并強化中國大陸在半導體制造業(yè)的長期競爭力。

Infineon宣布采用臺積電40納米制程技術生產3G基頻芯片

    德國IDM大廠英飛凌(Infineon)宣布，推出3G智能型手機架構專用的輕薄型調制解調器平臺XMM6260，該平臺具備X-GOLD 626基頻芯片及SMARTi UE2射頻收發(fā)器，其中基頻芯片將交由臺積電以40納米生產。

     臺積電在45/40納米及28納米等先進制程領先同業(yè)，因此幾乎囊括了全球各主要IDM廠的先進制程委外代工訂單，而在可編程邏輯組件大廠Xilinx決定在28納米與臺積電合作后，全球前10大IC設計公司亦全數成為臺積電客戶。

     以往IDM大廠都將先進產品由自家晶圓廠生產，以確保技術、品質、交期。但在無線通訊芯片的設計公司諸如高通(Qualcomm)、聯發(fā)科(MediaTek)的強大競爭力下，以及資源有限無法兼顧IC設計及制造兩端的情況下，愈來愈多的IDM將會釋出高端制程代工訂單給專業(yè)晶圓代工公司。

日本東芝與南通富士通合資成立“無錫通芝公司”

     日本東芝子公司東芝半導體(無錫)和南通富士通已達成協議，將于2010年4月成立合資“無錫通芝公司”。新公司初期東芝半導體(無錫)出資80%、南通富士通出資20%，但數年后會調整出資比率，南通富士通將持過半股份。

     目前日本東芝為了整并正不斷提高SoC后段制程的海外生產比率，南通富士通將成為東芝在中國封測外包事業(yè)的重要合作伙伴，未來將可獲得東芝及其子公司等日系高階封測訂單。東芝為了有效降低成本，將擴大封測委外代工，預計2010年底委外比重將提升至80%。

     由此跡象顯示，未來日本東芝將逐漸淡出封測的生產。南通富士通將承接世界一流企業(yè)封裝產能轉移，有利于向高端封裝技術邁進，特別是QFN、BGA等先進技術。對于南通富士通而言，無論在擴大企業(yè)規(guī)模、拓展市場空間，還是提升技術層次，都具有十分重要的意義。

     未來南通富士通將可能把觸角延伸到世界封裝技術的前沿，也將帶動中國本土封測業(yè)的技術提升。日本IDM大廠正不斷提高委外生產比率并推進無廠化，先進代工產能有轉移中國跡象，未來勢必與中國IC產業(yè)鏈產生緊密聯結。