0 引言

　　隨著信道容量急劇增加，通信系統(tǒng)采用多種調(diào)制方式相結(jié)合的非恒包絡(luò)調(diào)制技術(shù)，這對(duì)功率放大器的線性度提出了更高要求，為了適應(yīng)當(dāng)前低功耗及高效率的功率放大器的要求，本文就負(fù)載線和傳統(tǒng)功率放大器理論，設(shè)計(jì)了應(yīng)用于1.95 GHz WCDMA發(fā)射機(jī)的線性功率放大器。

　　SOI(Silicon-On-Insulator，絕緣襯底上的硅)有著成為主流硅工藝的趨勢(shì)。SOI是近十多年的新型微電子材料，可以有效解決高電壓、高集成和低功耗的問(wèn)題。SOI有著非常低的器件噪音和可以抑制浮體效應(yīng)，對(duì)于像濾波器和選頻電路等對(duì)噪音要求非常嚴(yán)格的電路來(lái)說(shuō)，這無(wú)疑是更好的解決方案。SOI工藝可以通過(guò)將疊加MOS器件的形式來(lái)解決其耐壓?jiǎn)栴}，而且它有著非常低的功耗和所有的器件都集成在一塊相互絕緣的硅襯底上，并有很好的隔離作用，因此SOI工藝是實(shí)現(xiàn)單片射頻功率放大器的一個(gè)很好的選擇。

1 電路設(shè)計(jì)

　　功率放大器一般輸出功率高而增益較低，為了輸出較高增益和兼顧整體功率放大器的效率與線性度并且實(shí)現(xiàn)較低靜態(tài)功耗，最終選擇電路的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)為三級(jí)AB類(lèi)放大器結(jié)構(gòu)，如圖1所示。

　　整個(gè)功率放大器除了輸出匹配網(wǎng)絡(luò)(OMN)和輸入匹配網(wǎng)絡(luò)(IMN)，還有級(jí)間匹配網(wǎng)絡(luò)(MMN)，級(jí)間匹配網(wǎng)絡(luò)可調(diào)整放大器之間的增益平坦度并使每級(jí)的效率最高。先設(shè)計(jì)輸出級(jí)，最后設(shè)計(jì)輸入級(jí)，且每級(jí)都必須無(wú)條件穩(wěn)定。輸出匹配網(wǎng)絡(luò)將50 Ω變換成功率輸出級(jí)最優(yōu)阻抗的共扼，此時(shí)的匹配并不是傳統(tǒng)的共扼匹配，因?yàn)樽顑?yōu)輸出阻抗并不是輸出最大資用功率時(shí)的阻抗，這里的共扼只是為了消除MOS管的輸出電容。輸出匹配網(wǎng)絡(luò)決定了放大器的輸入反射系數(shù)，所以級(jí)間匹配將50 Ω的波源阻抗轉(zhuǎn)換到根據(jù)式(2)計(jì)算出來(lái)的阻抗，輸入級(jí)與波源共扼匹配而實(shí)現(xiàn)最大功率傳輸。第二級(jí)放大器的設(shè)計(jì)指標(biāo)根據(jù)第三級(jí)的輸入1 dB壓縮點(diǎn)功率IP1 dB，3，設(shè)計(jì)本級(jí)的輸出1 dB壓縮點(diǎn)OP1 dB，2，要求滿足關(guān)系為：

　　式(1)的目的是在第二級(jí)的線性范圍內(nèi)，保證第三級(jí)輸出也在線性范圍內(nèi)，第二級(jí)的輸出匹配與輸入匹配思想與第三級(jí)的設(shè)計(jì)思路相同，這樣就可以保證每級(jí)都能達(dá)到預(yù)定的1 dB壓縮點(diǎn)輸出功率。

　　1.1 MOS晶體管的選擇與尺寸估算

　　MOS管的尺寸參數(shù)主要是柵寬與溝道長(zhǎng)度，在能實(shí)現(xiàn)功能指標(biāo)的情況下一般都選擇其最小的溝道長(zhǎng)度，這是因?yàn)镸OS器件的發(fā)展趨勢(shì)是每年按比例縮小的，因此設(shè)計(jì)也應(yīng)該適應(yīng)當(dāng)前的MOS工藝。

　　傳統(tǒng)功率放大器輸出電流的基波項(xiàng)可為[4]：

　　式中Imax表示漏極允許通過(guò)的最大電流，Ion，max表示單位柵寬允許通過(guò)的最大電流，不過(guò)這里求得的柵寬是一個(gè)估算值，因此在設(shè)計(jì)過(guò)程中可以根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行優(yōu)化。

　　1.2 偏置電路設(shè)計(jì)

　　為了實(shí)現(xiàn)全集成電路設(shè)計(jì)，選擇在片內(nèi)集成偏置電路，本文采用的偏置電路如圖2所示。通過(guò)合理調(diào)節(jié)MOS管M1和M2的寬長(zhǎng)比，可以實(shí)現(xiàn)任意偏置電壓，不過(guò)在設(shè)計(jì)中應(yīng)該選擇使功耗最小的設(shè)計(jì)方案。

　　對(duì)于圖2所示的電路，可得其漏極電流表達(dá)式為：

　　由式(11)~式(12)可知，通過(guò)合理調(diào)節(jié)MOS管M1和M2的寬長(zhǎng)比，可以實(shí)現(xiàn)任意偏置電壓，不過(guò)在設(shè)計(jì)中應(yīng)該選擇使功耗最小的設(shè)計(jì)方案。

　　1.3 輸出匹配電路

　　匹配電路的類(lèi)型有L型、PI型和T型，在對(duì)Q值沒(méi)特定要求的情況下，可以選用元件最小的L型匹配網(wǎng)絡(luò)，通過(guò)使用雙L型匹配網(wǎng)絡(luò)還可以增加放大器的帶寬，不過(guò)其缺點(diǎn)是降低了電路的Q值。由于功率放大器的輸入端是調(diào)制信號(hào)，因此選取L型中高通匹配網(wǎng)絡(luò)，而級(jí)間匹配采用雙L型或者是T型匹配網(wǎng)絡(luò)，輸出匹配網(wǎng)絡(luò)使用L型中的高通匹配網(wǎng)絡(luò)，如圖1(b)所示。

2 電路仿真與討論

　　仿真軟體采用Agilent公司的ADS2011，其仿真結(jié)果如下：放大器穩(wěn)定性分析仿真結(jié)果如圖3(a）所示，穩(wěn)定因子在中心頻率處K=4.6>1，因此整個(gè)功率放大器在中心頻率處是無(wú)條件穩(wěn)定的。對(duì)電路進(jìn)行S參數(shù)仿真，如圖3(b）所示，功率放大器的正向增益為27.7 dB。根據(jù)功率增加效率的表達(dá)式，可以描繪輸出功率與PAE曲線，如圖4所示。圖4(a)中，標(biāo)記m10和m11對(duì)應(yīng)的輸出功率分別為31.440 dBm，29.860 dBm，輸入功率為2.5 dBm。結(jié)果顯示在輸出功率為30 dB時(shí)，PAE約為42%。功率放大器對(duì)輸入反射系數(shù)要求較高，因?yàn)檩敵鲆话憬拥氖翘炀€，因此對(duì)輸出反射系數(shù)要求有所下降，因?yàn)楣β史糯笃饕话阋筝敵龃蠊β剩@會(huì)造成輸出不匹配現(xiàn)象。圖5(a)顯示本設(shè)計(jì)的整體電路的輸入反射系數(shù)在中心頻率處為-22.35 dB，輸入和輸出反射系數(shù)的史密斯曲線如圖5(b)所示。

3 結(jié)束語(yǔ)

　　本文討論了SOI工藝的物理特性及其在MOS器件中的應(yīng)用情況，并結(jié)合LoadPull技術(shù)和IBM公司0.18 μm SOI CMOS工藝，設(shè)計(jì)一種應(yīng)用于1.95 GHz的WCDMA全集成功線性率放大器。功率放大器采用三級(jí)AB類(lèi)放大器級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)，在工作電壓為2.5 V的情況下，CMOS射頻功率放大器無(wú)條件穩(wěn)定，1 dB壓縮點(diǎn)輸出功率約為30 dBm，增益約為28 dB，最大功率附加效率(PAE)約為42％，最后通過(guò)仿真軟件給出模擬結(jié)果。

參考文獻(xiàn)

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