碳納米管將取代硅晶體管
IBM研究人員發明了在碳納米管上移動電子的技術。碳納米管直徑是人類頭發的萬分之一，導電能力非常強。IBM周四公布的突破是，它發明了一種技術，能在原子量級上把特定類型金屬與碳納米管結合，創建一個在不影響芯片性能的情況下在碳納米管上移動電子所需要的極其微小的觸點。這是一個關鍵的突破，未來研究人員可以利用碳納米管取代硅晶體管。
這一研究意味著，芯片廠商可能生產晶體管間距接近3納米的芯片。目前，最先進芯片晶體管間距在11-14納米，但要縮短間距越來越困難。今年早些時候，IBM高調宣布已經生產出晶體管間距為7納米的芯片。
信息經濟的基礎是，由于芯片廠商能推出集成度不斷提高的芯片，計算和存儲設備的價格越來越低。正是在這一被稱作摩爾定律的發展趨勢的推動下，計算機的計算能力和存儲容量有了指數級的增長。
但是，隨著目前芯片制造工藝物理極限的臨近，計算產業發展速度面臨停擺的威脅。晶體管間距小到一定程度時，會發生電子泄露現象。解決電子泄露問題需要復雜和昂貴的制造工藝。
英特爾首席執行官科再奇(Brian Krzanich)今年早些時候在一次投資者電話會議上表示，該公司發布新芯片的節奏將落后于摩爾定律，因為縮短芯片上晶體管間的間距越來越困難了。這正是IBM的研究希望解決的問題。
本站內容除特別聲明的原創文章之外，轉載內容只為傳遞更多信息，并不代表本網站贊同其觀點。轉載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權歸版權所有權人所有。本站采用的非本站原創文章及圖片等內容無法一一聯系確認版權者。如涉及作品內容、版權和其它問題，請及時通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當措施，避免給雙方造成不必要的經濟損失。聯系電話：010-82306118；郵箱：aet@chinaaet.com。