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ARM 賽靈思 臺積電合力 2018年量產(chǎn)7nm

2016-12-12
關(guān)鍵詞: TSMC 三星 7nm ARM

       TSMC、三星不僅要爭搶10nm,再下一代的 7nm 更為重要,因為 10nm 節(jié)點被認為是低功耗型過渡制程,7nm才是真正的高性能制程。現(xiàn)在 ARM 宣布已將 Artisan 物理IP內(nèi)核授權(quán)給賽靈思(Xilinx)公司,制造制程則是TSMC公司的7nm。該晶片明年初流片,不過2018年才會正式上市。

  Xilinx 是重要的 FPGA 晶片公司,也是 TSMC 公司的大客戶之一,TSMC 的新制程大多是 FPGA 晶片首發(fā),這次合作也不例外。ARM 授權(quán) Xilinx 賽靈思公司在 TSMC 公司的7nm制程上使用自家的 Artisan 物理IP內(nèi)核,后者是 ARM 開發(fā)的PGA(Power Grid Architect),可以優(yōu)化集成電路的電源柵極,號稱減少10%的晶片面積,提升20%的面積利用率。

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  根據(jù) ARM、Xilinx 的消息,該物理IP預計在明年初流片,2017年出樣給客戶,不過正式上市要等到2018年。這個時間點跟 TSMC 宣布的7nm量產(chǎn)時間差不多,該公司之前多次強調(diào)會在2018年量產(chǎn)7nm制程。

  那么7nm制程到底能帶來多大的提升?恰好 TSMC 這兩天公布了部分7nm制程細節(jié),他們已經(jīng)使用7nm制程試產(chǎn)了 256MB SRAM 電路,cell單元面積只有0.027mm2,讀寫電壓0.5V,與 16nm 制程相比速度可以提升40%,或者功耗降低65%。

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  不過 TSMC 這個對比中還隔了一個10nm,他們之前也公布過與10nm制程的對比,7nm制程下晶體管速度提升20%,或者能耗降低40%。


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