或許是巧合！12月30日，長江存儲的國家存儲器基地與華力二期12英寸生產線這兩個持續受到業界關注的重大項目，同日舉行了開工啟動儀式。

長江存儲是國內最大的存儲器項目之一，瞄準3D NAND技術，建成后將扭轉我國存儲器有市場無產品的窘境；華力微電子12英寸生產線建設項目則是“909工程”的二次升級改造，將建設邏輯芯片的代工生產線，建成后將使我國擁有從0．5微米到14納米各工藝節點的生產平臺，追趕國際先進水平。

隨著《國家集成電路產業發展推進綱要》的推進，中國IC業掀起一輪高速發展的投資熱潮，其中又以晶圓制造為重點發展領域。經過近兩年發展，一批重大項目陸續進入開工建設階段，預計2017年將成為中國IC業的重要建設期。未來隨著這些產線的投產，拼技術、工藝、良品率以及成本將成為“主旋律”，也是檢驗這些項目最終能否成功的關鍵。

兩大項目同日開工

12月30日，紫光集團聯合國家集成電路產業基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資建設的國家存儲器基地項目，在武漢東湖高新區正式動工建設。據了解，此次正式開工建設的國家存儲器基地項目位于武漢東湖高新區的武漢未來科技城，將建設3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash FAB 廠房、1座總部研發大樓和其他若干配套建筑，其核心生產廠房和設備每平方米的投資強度超過3萬美元。該項目總投資240億美元，主要生產存儲器芯片，總占地面積1968畝。項目一期計劃2018年建成投產，2020年完成整個項目，總產能將達到30萬片／月，年產值將超過100億美元。

紫光集團董事長兼長江存儲公司董事長趙偉國強調，國家存儲器基地正式動工建設不僅僅是一個項目的開工，更具有特別的意義：一是存儲器基地項目是中國集成電路存儲芯片產業規模化發展“零”的突破，相當于中國科技領域的遼寧號航空母艦出海試航；二是存儲器基地項目的運作，是一種新模式的成功探索，這種新模式就是“國家戰略推動、地方大力支持、企業市場化運作”的三合一；三是存儲器基地項目投資強度大，是中國集成電路行業單體投資最大的項目，也是湖北省最大的投資項目，還是中國最大的單體投資項目。

就在同一天，華力微12英寸先進工藝生產線項目也舉行了開工儀式。該項目總投資為387億元，將建設一條月產能4萬片的12英寸集成電路芯片生產線，工藝從28納米起步，最終具備14納米三維工藝的高性能芯片生產能力。本次開工建設的華力12英寸先進工藝集成電路生產線，是“909工程”的二次升級改造項目，被列為國家《“十三五”集成電路產業重大生產力布局規劃》的重點項目，也是“十三五”期間上海最大的產業投資項目。項目建成后，華虹集團將擁有從0．5微米到14納米各工藝節點的生產平臺。根據項目規劃，項目將于2017年底完成基建工程，2018年底完成工藝集成、試生產，逐步提高工藝等級和產能并達綱。

降低成本是關鍵

由于全球集成電路大廠紛紛看好中國大陸市場，陸續在我國大陸投資設立12英寸廠，包括臺積電南京廠、聯電廈門廠、英特爾大連廠、三星電子西安廠、力晶合肥廠等，分別覆蓋了先進邏輯工藝、NAND Flash、DRAM及LCD驅動IC等產品領域。 而我國集成電路產業目前則面臨著嚴峻的“兩個在外”挑戰，即集成電路設計企業的產品主要在海外加工；集成電路制造企業的主要業務也在海外。集成電路制造企業的產能和工藝技術能力均不能滿足國內設計企業的需求。應對國際競爭，立足提高芯片自制能力，近年來我國集成電路制造企業也在不斷謀求產能擴展和工藝技術能力提升，主要廠商接連啟動新的擴產計劃。

本次開工的兩個項目具有很強的代表性。存儲器是應用最廣泛的芯片產品之一，其重要性不在CPU之下，在數據中心大規模建設的推動下，其市場規模還在不斷擴大。而晶圓制造則是IC產業鏈中最重要的環節之一，《國家集成電路產業發展推進綱要》中便強調要以制造為基礎，發展我國的IC產業。

但是，挑戰也十分嚴峻。有業內人士表示：“長江存儲，開工易，研發難；儀式易，做事難；起點易，終點難。”我國在大規模投資建設了這些生產項目之后，如何盡快提高成品率，實現盈虧平衡，將是未來企業需要面對的最重要的考驗。根據SEMI的數據，目前處于規劃或建設階段，預計將于2017年～2020年間投產的62座半導體晶圓廠，其中26座設于中國大陸，占全球總數42％。中國集成電路企業在這個市場環境中想要繼續運營發展，不斷擴大投入是必然之舉。但是，關建是要解決積累與擴張的平衡之道，以期盡快解決盈虧平衡問題。

半導體專家莫大康也指出，快速降低成本是最關鍵的一環，特別是對于存儲器來說，拼的就是工藝和成本，只有將成品率提上來，成本降下去，發展才具有持續性。“在投產初期，成本至少要控制在國際企業的1～2倍才有希望。否則任何企業也做不到持續投入，經不起長期的虧損。”他說。