臺積電當下的10nm工藝苦陷良率較低的難題，導致聯發科的helio X30未能如期上市，在這個當口其推出了16nm FinFET的改進版12nm FinFET工藝，這應該是華為海思和聯發科的更好選擇。

臺積電目前依然在對10nm工藝進行改進，并用于生產蘋果的A10X處理器，到了三季度該工藝又將用于生產蘋果的A11處理器，在這樣的情況下其10nm工藝的產能緊張狀況將至少延續到今年三季度，而且由于其向來優先照顧蘋果的傳統能分給華為海思和聯發科的產能必然會相當有限。

臺積電的12nm FinFET在當前的16nm FinFET工藝上改進而來，擁有更高的晶體管密度和更低的功耗，在當前10nm工藝良率低下的情況下，12nm FinFET工藝可以幫助它吸引客戶。

華為海思將在今年10月-11月之間發布新款的高端芯片，估計命名為麒麟970，如果其選擇臺積電的10nm工藝的話由于臺積電的10nm工藝產能緊張就有可能重演2015年的麒麟950延遲量產的覆轍，在這樣的情況下選擇臺積電的12nm工藝將是不錯的選擇。

去年華為海思就選擇了穩妥的辦法，采用臺積電成熟的16nm FinFET工藝生產其新款高端芯片麒麟960，按計劃推出了這款芯片。聯發科則希望率先采用臺積電的10nm工藝，通過采用更先進的工藝獲得更低的功耗和更高的性能以與高通競爭，結果就是當下的尷尬局面，受制于臺積電的10nm量產進程和良率問題helio X30遲遲未能上市，聯發科的另一款芯片P35同樣因臺積電的10nm工藝量產影響，讓中國手機企業失去了耐心，紛紛放棄采用其芯片。

在helio X30和P35失去了中國手機企業支持的情況下，聯發科推新款芯片就勢在必行，但是在臺積電的10nm工藝產能緊張的情況下，采用12nm FinFET工藝可以確保其新款芯片的上市。

另一個是12nm FinFET工藝是在16nm FinFET上改進而來，工藝更成熟，良率高，成本自然更低，聯發科的毛利已創下新低；華為海思的芯片主要是自家使用，規模較小，同樣需要控制成本，在這樣的情況下采用成本較10nm工藝更低的12nm對它們來說也是十分合適的。