從目前來看聯發科去年押寶10nm已成為一個大錯，X30不受市場歡迎，另一款采用10nm工藝的P35據說可能會被放棄，而改用12nm工藝的P30來救場。

去年聯發科押寶臺積電的10nm工藝，希望在自己的中端芯片P30和高端芯片X30上同時引入10nm工藝，憑借功耗和性能優勢猛攻高通。不過事與愿違的是，臺積電的10nm工藝量產時間遲到今年初，之后又出現了良率問題，這導致聯發科X30的上市時間一再推遲而被大陸手機企業放棄。

P35本預計三季度投產上市，不過由于臺積電計劃在三季度將10nm工藝產能全力用于生產蘋果的A11處理器，P35能否如期在三季度上市存有很大的疑問。

當前聯發科僅有X30支持大陸最大運營商中國移動要求的LTE Cat7及以上技術，而這款芯片已被大陸大多數手機企業放棄，P35又再延遲量產的話它在大陸市場將面臨極其尷尬的境況。正是在這樣的情況下臺媒傳出聯發科可能會放棄P35，而改推P30救場，P30會采用臺積電的12nmFinFET工藝。

臺積電的12nmFinFET工藝其實是16nmFinFET的改良版，并不算全新開發的工藝，它是為了與三星的14nmFinFET競爭而改用了這個名字，不過由于是在16nmFinFET工藝上的改良，因此工藝成熟、產能充足。

聯發科的P30芯片和P35都定位為中端芯片，前者是四核A72+四核A53架構，后者是雙核A73+四核A53+四核A35結構（相當于是X30的降頻版，也可知聯發科為了搶攻高通的苦心了），如此看來P30的架構與華為的麒麟950相當，只是工藝方面稍為領先，在性能和功耗方面P30應該弱于P35，但是比麒麟950強。

聯發科期待P30能與高通的驍龍660比拼一番。驍龍660采用了高通自家的kryo260核心，采用三星的14nmFinFET工藝，性能方面甚至接近其上一代的高端芯片驍龍820，麒麟950要比驍龍820弱10%左右，因此估計P30的性能即使比麒麟950稍強還是要比驍龍660弱；基帶方面則是驍龍660的強項，其集成了高通X12基帶支持最高下行600Mbps，而P30支持LTE Cat10最高支持600Mbps下行。不過P30壓制高通的驍龍630則不在話下，驍龍630是八核A53架構。

當然考慮到聯發科一貫的價格策略，預計P30的價格將會比驍龍660低，而且在今年上半年其芯片出貨量不佳的情況下估計它也愿意以更進取的價格爭取大陸手機品牌的支持，但是這樣的話無疑將會導致聯發科今年的毛利再創新低。

在X30不受歡迎，P35難產可能被放棄的情況下，P30成為能否幫助聯發科提振當前低萎業績的關鍵，只是真要如此做，它需要加快速度了，因為高通的驍龍660和驍龍630正在快速贏得大陸的手機企業的支持，OPPO很快將發布采用驍龍660的R11手機，vivo、小米等估計也會很快跟進，P30最有可能爭取的客戶是魅族。