三星15日在韓國宣布，開始大規(guī)模量產(chǎn)64層堆疊、256Gb（32GB）、3bit的V-NAND閃存芯片，是為第四代3D閃存。
其實在今年1月，三星已經(jīng)向關(guān)鍵的大客戶出貨采用64層 V-NAND介質(zhì)的SSD產(chǎn)品，如今半年過去，產(chǎn)能擴(kuò)充，消費級用戶可以順利用上了。
新的閃存芯片將用于生產(chǎn)手機(jī)UFS存儲、PC/服務(wù)器固態(tài)盤、外置存儲卡等產(chǎn)品。
三星強(qiáng)調(diào)，新一代64層V-NAND的帶寬速率高達(dá)1Gbps，是目前業(yè)界最快，是上一代48層3bit的1.5倍。
另外，在功耗方面，電壓從3.3V降低到2.8V，說明工藝改良了不少，漏電極大減少，從而使效能提升30%。
競爭對手方面，東芝的64層也已經(jīng)少量出貨，SK海力士計劃在今年底量產(chǎn)更激進(jìn)的72層產(chǎn)品。不過，三星強(qiáng)調(diào)，作為一哥和3D NAND的始創(chuàng)者，它們有信心繼續(xù)保持領(lǐng)先，并在年底前將64層閃存的產(chǎn)能覆蓋到月度總量的50%以上。
可以預(yù)見，以TB為單位的固態(tài)盤、以及128GB以上的UFS3.0手機(jī)閃存或?qū)⒀杆倨占伴_來。
本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外，轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無法一一聯(lián)系確認(rèn)版權(quán)者。如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問題，請及時通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當(dāng)措施，避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟(jì)損失。聯(lián)系電話：010-82306118；郵箱：aet@chinaaet.com。