據(jù)傳臺(tái)積電7納米微縮制程大幅超前三星電子，成功奪走高通7納米處理器大單。韓國消息稱，三星恨得牙癢癢，打算直攻6納米制程扳回一城。
韓媒etnews27日報(bào)導(dǎo)，臺(tái)積電花最少精力研發(fā)10納米，跳級直取7納米的策略奏效，搶走三星的高通訂單。三星心有不甘，打算從10納米直攻基于7納米的6納米制程，目標(biāo)2019年量產(chǎn)6納米。據(jù)傳三星晶圓代工部門心知無力挽回轉(zhuǎn)單，重心放在6納米，今年將裝設(shè)兩臺(tái)艾司摩爾（ASML）極紫外光（EUV）微影設(shè)備“NXE3400B”，明年還會(huì)裝設(shè)7臺(tái)。
三星導(dǎo)入EUV可以減少光罩層數(shù)、節(jié)省成本。臺(tái)積電首批7納米制程并未使用EUV，仍使用ArF液浸設(shè)備，處理時(shí)間較長、成本也較高。半導(dǎo)體業(yè)界人士稱，三星電子曾跳過20納米，搶攻14納米，取得成功；臺(tái)積電也跳過10納米，直取7納米，贏得市場先機(jī)。如今三星購入EUV設(shè)備，將與臺(tái)積電激烈廝殺。
etnews稱，三星打算2019年量產(chǎn)6納米。臺(tái)積電擬于2018年量產(chǎn)7納米，并計(jì)劃在第二代7納米制程使用EUV機(jī)臺(tái)，目標(biāo)2019年量產(chǎn)二代7納米芯片。
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