存儲器兇險的江湖
從莫大康的《存儲器熱要冷思考》一文了解到，存儲器江湖的壟斷格局早已成定局。從1999年開始，歷經(jīng)六次大的兼并與退出，廠家數(shù)量上己經(jīng)越來越少，在DRAM塊，剩下三家，包括三星，海力士及美光（它于2012年兼并日本的爾必達），以及在NAND塊剩下四組，分別為三星，東芝/新帝，海力士以及美光/英特爾。盡管臺灣地區(qū)尚有幾家，但由于實力不濟，紛紛依附于美光，或者轉型代工。其中一個鮮明的事實是從未再有“新進者“呈現(xiàn)。
三星及海力士兩家壟斷的局面己經(jīng)持續(xù)多年，三星己連續(xù)24年稱霸全球。如依2015年計，韓國的DRAM及NAND全球市場份額分別達73%%及43.7%。如果從存儲器的周期性計，在2001至2010年期間，僅三星和海力士兩家盈利80億美元，而其它諸廠累積虧損達130億美元。反映全球存儲器業(yè)的競爭十分激烈，以及壟斷格局己成定局。
這樣的背景下，再加上頂級大廠將目光聚焦中國，中國這場馬拉松大賽到底會跑到什么名次？
本期《中國芯勢力》的主角就是中國三大存儲器主力軍之一——長江存儲。
誕生
2016年3月，總投資約1600億元人民幣的國家存儲器基地在武漢啟動。四個月后“長江存儲”集團正式成立，紫光集團參與了長江存儲的二期出資[1]。
（[1]據(jù)武漢新芯介紹，長江存儲的注冊資本分兩期出資。一期由國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北國芯產(chǎn)業(yè)投資基金和武漢新芯股東湖北省科技投資集團共同出資，武漢新芯的基礎上建立長江存儲。二期將由紫光集團和國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金共同出資。）
2016年12月19日，紫光控股與大基金、湖北國芯投資和湖北省科投共同簽訂了《長江控股出資協(xié)議》。長江控股注冊資本為386億元，紫光控股以貨幣出資197億元，占長江控股注冊資本的51.04%；大基金、湖北國芯投資和湖北省科投以股東權益加貨幣出資，合計占長江控股注冊資本48.96%。
中科院微電子所所長葉甜春表示，目前中國還沒有真正意義上的存儲芯片生產(chǎn)能力，該項目的布局可謂中國半導體產(chǎn)業(yè)的“淮海戰(zhàn)役”。
這里提一下武漢新芯，它成立于2006年，是湖北省與武漢市的重大戰(zhàn)略投資項目，成立之初，原計劃主打生產(chǎn)動態(tài)存儲器（DRAM），孰料遭遇全球DRAM市場的價格崩盤，利潤一再下滑。在此背景下，武漢新芯被迫將產(chǎn)品線轉向閃存。命運多舛的武漢新芯，歷經(jīng)幾次管理權變更，直到長江存儲的出現(xiàn)，其法定代表人是紫光國芯董事長趙偉國，將全力布局大規(guī)模存儲器與延續(xù)武漢新芯在物聯(lián)網(wǎng)方向的戰(zhàn)略規(guī)劃。
據(jù)長江日報報道，趙偉國透露，按照計劃，2017年8月，主體廠房就要建成，2018年試生產(chǎn)，2019年就要實現(xiàn)一期項目10萬片滿負荷生產(chǎn)。一旦試生產(chǎn)開始后，就會同時開展二期建設，到2020-2021年完成二期建設，總共形成每個月30萬片晶圓的產(chǎn)能。
隨后在IC咖啡首屆國際智慧科技產(chǎn)業(yè)峰會（ICTech Summit 2017）上，長江存儲CEO楊士寧匯報了3D NAND存儲器進展，表示32層3D NAND芯片順利通過電學特性等各項指標測試，達到預期要求。
紫光的垂涎
然而作為主要股東之一的紫光，“到底會不會百分百并購長江存儲”這一話題，一直受業(yè)界高度關注。
在今年4月19日，紫光國芯首次披露重組標的為長江存儲，擬通過發(fā)行股份收購標的公司全部或部分股權。
5月4日，紫光國芯披露了對長江存儲重組的最新進展。公告稱，根據(jù)目前的工作進度，公司預計無法按照原計劃在5月20日前披露重組預案。不過，紫光國芯已與交易對方紫光控股簽署了發(fā)行股份認購資產(chǎn)的框架協(xié)議。
7月16日，紫光國芯發(fā)布公告：由于本次重大資產(chǎn)重組的標的資產(chǎn)長江存儲的存儲器芯片工廠項目投資規(guī)模較大，目前尚處于建設初期，短期內(nèi)無法產(chǎn)生銷售收入，公司認為收購長江存儲股權的條件尚不夠成熟，同意終止本次股權收購。這是紫光國芯在一年多的時間里第二次終止重大資產(chǎn)重組項目，此前是800億人民幣非公開發(fā)行項目。
隨即，紫光國芯發(fā)布關于這次終止籌劃重大資產(chǎn)重組的情況澄清聲明，表示收購長江存儲股權的條件還不夠成熟。
如何突圍？
目前來看，三星和海力士壟斷存儲市場多年。并且根據(jù)三星英特爾近期發(fā)布的財報來看，三星最終以銷售額158億美元超過了英特爾的147.6億美元，取代英特爾成為芯片市場新的霸主。對此，有業(yè)內(nèi)人士分析，全球內(nèi)存芯片需求上漲導致價格飆升，令三星電子業(yè)績顯著受益。據(jù)行業(yè)追蹤機構DRAMeXchange的數(shù)據(jù)，過去一年NAND現(xiàn)貨價格上漲了50%，DRAM價格上漲115%。并且由于內(nèi)存芯片供應短缺的情況持續(xù)，三星電子至少在今年底之前有望一直維持龍頭地位。
如此形勢之下，中國存儲器發(fā)展應該注意什么？賽迪智庫集成電路研究所所長霍雨濤曾表示，國產(chǎn)存儲芯片要想取得更大的進展，需要合理規(guī)劃和統(tǒng)籌布局，做好長期持續(xù)大投入的準備；要聚焦核心技術和人才，立足自主研發(fā)，完善產(chǎn)業(yè)生態(tài)；要抓住計算和存儲產(chǎn)業(yè)深度融合帶來的機遇。
可見技術專利和人才是重中之重。
今年有消息爆出，為避免再度上演類似過去與Rambus、東芝等半導體同業(yè)間的專利大戰(zhàn)，SK海力士近期特意與專利分析團隊中新成立大陸工作小組，以研究學習大陸商業(yè)法、專利法等相關法律。
暫時大陸半導體技術并未趕上韓國，但為防患于未然，SK海力士才會決定盡早防范未來可能的專利紛爭。韓國業(yè)界對此評估稱，韓國與大陸廠商間的技術差距僅剩3~5年。
可見國際存儲大廠也在不斷壘高技術壁壘。目前，三星在3D NAND方面處于領先地位，主流技術已經(jīng)是64層的3D NAND，且其3D NAND產(chǎn)出己經(jīng)占到其NAND總出貨量的40%。東芝公司的追趕也很快。東芝計劃在2017年3D NAND占NAND產(chǎn)出的50%，2018年達80%。國際企業(yè)給中國大陸發(fā)展存儲產(chǎn)業(yè)的機會窗口期將不長。
還有就是人才方面，但中國半導體企業(yè)的高薪挖人一直讓國外公司聞風喪膽，據(jù)說國內(nèi)企業(yè)為這些人才開出的年薪是韓國企業(yè)的3-10倍，同時還提供住房和車，并承諾解決子女教育問題等。
之前有韓國媒體報道，盡管連政府調查機關都已經(jīng)出動，嚴防國內(nèi)半導體尖端技術外泄，但是依然難以阻止人才和技術的流失，比如退休人員再就業(yè)就很難監(jiān)管。甚至還有很多韓國人在幫忙：一名曾擔任過三星電子和SK海力士高管的韓國人，兩年前成立了一家資源外包公司，也就是俗稱的中介，主要業(yè)務就是從韓國企業(yè)中挖來人才，再送往中國企業(yè)。
IC Insights卻認為，采用這種方法來發(fā)展半導體制程技術十分危險。
IC Insights 舉例指出，2003 年臺積電曾經(jīng)狀告才剛量產(chǎn)第2 年的中芯國際。原因是中芯國際雇用了100 多名臺積電前員工，并誘使這些員工向中芯國際泄露臺積電的商業(yè)機密。臺積電宣稱，中芯國際此舉侵犯了臺積電8 項半導體制程技術專利。時至2005 年，中芯國際最后以支付臺積電1.75 億美元罰款，并將中芯國際8% 的股份售予臺積電而達成和解。
正如莫大康所說，中國存儲器之前暫時的落后如今要迎頭趕上去，尤如參加一場馬拉松賽跑，中國不參與進去是一點希望都沒有。至于在短時期勇奪第一或者第二尚不敢胡言，但是一定要鼓足勇氣,樹立信心盡最大的可能跑在前列方陣中，把差距縮到最小。