國產存儲三大勢力之一的合肥長鑫正式投片，產品規格為8Gb LPDDR4，這是國產DRAM產業的一個里程碑，加上早前宣布在3D NAND Flash取得進展的長江存儲，國內企業在國際主流存儲器上都取得了重大突破，為推動存儲國產化掀開了重要一頁。
無獨有偶，合肥長鑫合作方兆易創新的創始人朱一明先生在昨晚宣布辭去公司總經理職務，但將繼續擔任公司董事長及董事會相關職業委員會職務。雖然公告沒有透露朱一明先生的下一步動向，但據知情人士告訴半導體行業觀察記者，朱一明下一步赴合肥長鑫擔任重要職位，推動國產DRAM的發展。這進一步夯實了國內企業攻堅DRAM的決心。而這也是中國電子產業發展到今天必須要推進的一個領域。
打造國產DRAM勢在必行
DRAM因為其應用的廣泛性和重要性，是電子產品必不可少的一種重要半導體元件。也是原器件領域的一個重要組成部分。根據IHS Markit的數據，去年(2017)全球動態隨機存取存儲器(DRAM)的市場規模為722億美元，較2016年的415億美元增長了74%。更重要的一點的是，從2016年開始，DRAM的價格多次提高，2017年的價格漲幅更是高達40%。讓一些終端廠商，尤其是國內的廠商叫苦不堪。這一方面是因為國內在這方面的缺失。
過往的經驗表明，無論是面板、指紋識別芯片，還是CIS，只要有國產參與其中，他們不但能把產品的價格拉的比較低，還能倒逼國外的供應商降低價格，利好于終端廠商。但在DRAM這個領域，國內幾近一片空白。
IHS Markit的數據顯示，在2017年的DRAM市場，三星電子以44.5%的市場份額穩居市場第一，SK海力士則以27.9%的市場份額緊追其后。美光科技（22.9%）、南亞科技（2.2%）、華邦電子（0.8%）分列其后。這幾家幾乎囊括了全球所有的DRAM供應。
如果說他們能夠公平地做生意，在一個全球分工的時代，這也是個能被勉強接受的局面。但最新消息顯示，作為DRAM龍頭的三星，在過去一年的DRAM上漲過程中，似乎耍了一些手段。
據騰訊科技昨日的報道，因為漲價的影響，包括DRAM和NAND Flash在內的存儲產品在2017年較之2016年的800億美元暴漲了65%。但進入今年NAND Flash開始走弱，但是DRAM還價格還在持續上揚，據透露，三星的蓄意減產是造成這個結局的一個重要原因。
在之前，市場還傳出了三星18nm工藝的內存芯片遭遇良率問題，需要兩三個月時間才能解決，這或將導致高端市場內存缺貨，但這是在三星18nm產品亮相兩年后出現的傳聞，這就讓人對三星的操作有所懷疑。瑞銀分析師Timothy Arcuri更是表示，三星18nm芯片良率導致減產問題，可能只是暫停生產以控制產品供應量。他指出三星在內存價格下跌之前就延遲增產，這個舉動不尋常，他認為三星此舉是貫徹了過去幾年中該公司“利潤第一”的管理方式。
況且，數據顯示，DRAM需求在未來幾年會迅速增長。國內作為主要的制造大國，對其需求有增無減。多方面的因素綜合，迫使中國去打造自主可控的DRAM企業。
合肥長鑫將扮演重要角色
安徽合肥和福建晉華兩個地方政府和相關人士看到了國產DRAM的不足，就投入了相關相關的DRAM的研發，這次投片的合肥長鑫將扮演國產DRAM的一個重要角色。
據天眼查資料顯示，合肥長鑫集成電路有限責任公司是由合肥市產業投資控股（集團）有限公司和合肥產投新興戰略產業發展合伙企業（有限合伙）投資建立的。公司成立于2016年，由中芯國際前CEO王寧國主導。
2017年5月25日，長鑫宣布，預計由合肥長鑫投資72億美元，興建12寸晶圓廠以發展DRAM產品，未來完成后，預計最大月產將高達12.5萬片規模。
這邊廂合肥長鑫做的如火如荼，另一邊廂，國內Nor Flash龍頭兆易創新也在尋找DRAM的破局之法。
2016年，他們宣布欲以65億元的價格收購北京矽成（ISSI）。因為該公司在DRAM方面有不錯的積累，兆易創新就想借助這個企業涉足DRAM。但到了2017年年初，兆易創新宣布終止了這單交易，這就宣告了兆易創新第一次布局DRAM的出師未捷。
到了2017年10月，兆易創新再次宣布，將與合肥市產業投資控股（集團）有限公司合作開展工藝制程19nm存儲器的12英寸晶圓存儲器（含DRAM等）研發項目。據公告規定，本項目內容為在合肥市經濟技術開發區空港經濟示范區內開展工藝制程19nm 存儲器的 12 英寸晶圓存儲器（含 DRAM 等）的研發，目標是在 2018 年12 月 31 日前研發成功，即實現產品良率（測試電性良好的芯片占整個晶圓的比例）不低于 10%。
按照項目產能的約定。在保證合法合規的前提下，項目研發及生產的 DRAM 產品優先供本公司銷售并滿足本公司客戶的市場需求，價格參照市場行情且給予最佳優惠。項目優先承接本公司 DRAM 產品的代工需求，為本公司設計產品的流片、生產提供支持與便利，價格參照市場行情且給予最佳優惠。
從目前的發展上看，兆易創新和合肥長鑫的這次合作非常順利。
據集微網報道，王寧國今年四月在出席合肥舉辦的“國家集成電路重大專項走進安徽活動”上表示，合肥長鑫的一廠廠房已經于2018年1月建設完成，設備也開始安裝。根據計劃，長鑫將于2018年年底推出8Gb DDR4工程樣品，2019年三季度推出8Gb LPDDR4，到2019年年底，產能將達到2萬片一個月。從2020年開始，公司則開始規劃二廠，2021年則完成17nn的研發。
從這次投產時間來看，一切都在計劃之內。而在短短兩年的發展中，公司方面也獲得了不少的積累。王寧國同時指出，合肥長鑫在短短的兩年內，在元件、設計、光罩、制造和測試領域都做了不少的積累。截至2017年底，已申請專利354件，2018年計劃申請專利1155件：其中計劃申請元件專利126件、設計專利144件、成像專利224件。計劃至2018年底，申請專利數量總計達到1509件。
合肥長鑫的技術積累（source：集微網）
雖然合肥長鑫已經邁出了重要一步，但在強敵環伺下，他們未來還有很長的一段路要走。同時希望福建晉華的DRAM項目也能及時傳來好消息。
