本月初，Intel發(fā)布了首款消費(fèi)級QLC固態(tài)硬盤——660p。

性能上達(dá)到主流M.2 NVMe的水準(zhǔn)，最高連續(xù)讀寫速度可達(dá)1800MB/s。同時，價格相當(dāng)給力，512GB賣99.99美元（約合683元）。

不過，澳媒報道稱，接近IMFlash閃存工廠（Intel/美光合資）的人士透露，目前第一代64層QLC閃存的良率只有48%，也就是生產(chǎn)出來的成片過半報廢。對比之下，64層TLC閃存的良率已經(jīng)達(dá)到了90%以上。

這意味著，4bit QLC看似容量密度提高了，但實(shí)際成本是高于3bit TLC的。

更糟糕的是，消息人士稱，Intel/美光第一代QLC閃存糟糕的良率將伴隨整個生命期。

對于QLC閃存，大家普遍關(guān)心的問題其實(shí)就兩個，一個是價格，一個就是可靠性，英特爾發(fā)布的首款消費(fèi)級QLC硬盤660P的512GB版只要100美元，1TB版也只要200美元，折合每GB價格才1.3元，是目前最便宜的M.2 SSD，這就是QLC顆粒的最大優(yōu)勢，通過提升密度來降低成本，畢竟現(xiàn)在首發(fā)的QLC閃存核心容量就達(dá)到了1024Gb，是TLC閃存的2-4倍。

可靠性方面，根據(jù)Intel官方給出的是0.1DWPD，按照Intel自己的PE計(jì)算方式：0.1×365×5=182.5，再考慮寫入放大的因子2~5，那么最終PE將會在365~912.5之間，也符合之前說QLC顆粒PE次數(shù)在1000左右的說法，200TB應(yīng)該是Intel比較保守的數(shù)值。

英特爾的660P硬盤的性能也沒什么挑剔的，讀寫1800MB/s，隨機(jī)讀寫220K IOPS，不算多高，但也不算低，在低價M.2硬盤中紙面性能是說得過去的。

從現(xiàn)在的情況來看，首款上市的消費(fèi)級QLC硬盤不論性能、可靠性還是售價都比當(dāng)初三星首發(fā)TLC閃存的硬盤時好很多，至少沒多少明顯的槽點(diǎn)。

不過在廠商這邊，QLC閃存的問題還沒有解決，Tweaktown表示他們得到的消息稱英特爾64層堆棧的QLC閃存良率并不好，目前只有48%，不到一半的晶圓核心可以用于制造SSD硬盤，一半多的核心都要廢掉。

這也意味著消費(fèi)者買到的QLC閃存硬盤雖然比TLC閃存硬盤更便宜，但在廠商這邊QLC閃存現(xiàn)在的成本是比TLC閃存還要高的。

對于以上消息，尚無其它報道形成佐證。這會否造成以660p為代表的初代QLC SSD延遲上市或者漲價還需要觀察。