IC Insights在其《2018年麥克萊恩報告》的9月更新中披露，在過去兩年中，DRAM制造商的存儲器晶圓廠一直滿載運行，這導致DRAM價格穩(wěn)步上升，并為供應商帶來可觀的利潤。圖1顯示，2018年8月DRAM的平均銷售價格（ASP）達到了6.79美元，比兩年前的2016年8月增長了165%。雖然今年的DRAM ASP增速已經放緩，但2018年前八個月仍保持穩(wěn)健上升趨勢。

　　圖 1

　　眾所周知，DRAM市場是非常周期性的，在經歷了兩年的強勁增長之后，歷史的先例現(xiàn)在強烈表明DRAM平均售價（和市場）將很快開始下滑。一個顯示DRAM平均價格即將下滑的指標是DRAM資本支出連續(xù)幾年大幅增加以擴大或增加新晶圓廠產能（圖2）。2017年DRAM資本支出增長81%至163億美元，預計今年將再增加40%至229億美元。如此水平的資本支出通常會導致大量的新產能和隨后的價格快速下降。

　　圖 2

　　然而，這次稍有不同的在于，與前幾代產品相比，頂級DRAM供應商現(xiàn)在使用的低于20nm工藝節(jié)點通常與顯著的支出升級相關的大的生產率提升要小得多。

　　在今年早些時候舉行的分析日活動中，美光公司提供的數(shù)據(jù)顯示，制造低于20納米節(jié)點的DRAM需要增加35%的掩模層數(shù)，每個關鍵掩模層增加110%的非光刻步驟數(shù)量，以及增加80%的每晶圓潔凈室面積。因為制造20nm以下的器件，需要更多的設備（每個設備比上一代具有更大的占位面積）。在向較小的技術節(jié)點過渡之后，先前平均約50%的位體積增加是在≤20nm節(jié)點處的該量的一小部分。最終結果是由于DRAM位產出增長較少而使供應商必須投入更多的資金。因此，最近資本支出的上漲雖然不尋常，但可能不會像過去那樣導致類似數(shù)量的產能過剩。

　　如圖2所示，預計2018年DRAM平均售價將上漲38%至6.65美元，但IC Insights預測隨著更多產能上線和供應限制開始放緩，DRAM市場增長將會降溫（值得一提的是，據(jù)報道，由于客戶需求預期疲軟，三星和SK海力士于3季度推遲部分擴張計劃）。

　　當然，過去幾年出現(xiàn)的中國新生存儲器公司是DRAM市場的一個變數(shù)。據(jù)估計，中國約占DRAM市場的40%，約占閃存市場的35%。

　　至少有兩家中國IC供應商睿力集成和福建晉華的產品將進入今年的DRAM市場。雖然中國的產能和制造工藝一開始不能與三星，SK海力士或美光公司相媲美，但是中國的創(chuàng)業(yè)公司表現(xiàn)如何以及它們是否只為中國的國家利益服務，或者它們是否會擴展到滿足全球需求，讓我們拭目以待。