相信所有人對“存儲器”這個名詞一點(diǎn)都不陌生，因?yàn)樗械碾娮赢a(chǎn)品都必須用到存儲器，且通常用到不只一種存儲器，說它是一種“戰(zhàn)略物資”也不為過。
存儲器：DRAM和NAND
存儲器是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲器中，它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲器是現(xiàn)代信息技術(shù)中用于保存信息的記憶設(shè)備，有了存儲器，計(jì)算機(jī)才有記憶功能，才能保證正常工作。隨著移動設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的興起，對于節(jié)能的數(shù)據(jù)儲存與內(nèi)存技術(shù)需求日益增加，目前的內(nèi)存技術(shù)以DRAM與NAND閃存為主流。
DRAM,即動態(tài)隨機(jī)存取存儲器，最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間，為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。
NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲方案，這在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得尤為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品。NAND閃存是一種非易失性存儲技術(shù)，即斷電后仍能保存數(shù)據(jù)。它的發(fā)展目標(biāo)就是降低每比特存儲成本、提高存儲容量。
韓國是全球存儲芯片市場的主流廠商
市場對DRAM和NAND的需求很多，包括來自數(shù)據(jù)中心、移動電話、個人計(jì)算機(jī)、汽車、智能家電及智能城市等龐大需求。而全球主要內(nèi)存芯片供貨商的門坎很高，哪怕經(jīng)歷了幾十年的起伏，市場也一直被三星、SK海力士等廠商主導(dǎo)，并已經(jīng)形成壟斷局面。
有調(diào)查數(shù)據(jù)顯示，截至今年第三季度，韓國芯片巨頭三星在DRAM和NAND閃存市場繼續(xù)保持著統(tǒng)治優(yōu)勢，這主要是因?yàn)轫n國本土券商集體看好芯片業(yè)務(wù)給三星電子業(yè)績帶來的推動作用。
報(bào)告顯示，按照營收計(jì)算，三星電子第三季度占據(jù)了全球DRAM內(nèi)存芯片市場44．5％的份額；另一家韓國廠商SK海力士緊隨其后，市場份額達(dá)到27．9％。美國存儲芯片制造商美光科技在該榜單中位居第三，市場份額達(dá)到22．9％；中國臺灣的南亞科技位居第四，市場份額為2．2％。
雖然全球芯片市場將在不久后失去熱度，但隨著帶有人工智能和物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)產(chǎn)品的不斷上市，預(yù)計(jì)存儲芯片市場的需求仍將會繼續(xù)上漲。與中國芯片制造商相比，韓國的三星電子和SK海力士仍在不斷提升技術(shù)競爭優(yōu)勢，上述兩家公司在未來仍將是全球存儲芯片市場的主流廠商。
存儲器產(chǎn)業(yè)走寒，遭遇困境
隨著近兩年內(nèi)存芯片業(yè)務(wù)的迅猛發(fā)展，已逐步呈現(xiàn)“衰落”之勢，因NAND閃存芯片價(jià)格自2017年第四季已開始反轉(zhuǎn)，且DRAM內(nèi)存芯片在2018年首季之后的供需動態(tài)能見度已經(jīng)下滑。2017年DRAM價(jià)格上漲超過四成，同期NAND的價(jià)格漲幅也近四成。NAND的主要市場為PC機(jī)內(nèi)存和手機(jī)內(nèi)存，DRAM需求逐漸趨緩，庫存、定價(jià)壓力與日俱增，而NAND閃存供過于求，價(jià)格將進(jìn)一步走低。
今年第一和第二季度，DRAM依然持上漲之勢，三星、SK海力士和美光等廠商也都先后宣布了擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃。但最近局面似乎有所轉(zhuǎn)變，存儲器價(jià)格走低，一方面是PC、移動設(shè)備和數(shù)據(jù)中心這三大應(yīng)用產(chǎn)品的需求動能在過去幾周明顯趨緩，這恐怕會讓第三季度報(bào)價(jià)一路走低。另一方面，由于需求降溫的關(guān)系，三星電子、SK 海力士的庫存也在增加。表現(xiàn)在DRAM層面，由于三星、SK海力士增產(chǎn)的影響，預(yù)估2018年、2019年的DRAM供給量將分別上揚(yáng)20％、20－25％。這將為市場帶來壓力，而需求也將相對收縮，外資相繼調(diào)降美光目標(biāo)價(jià)。
NAND遭遇了同樣困境。根據(jù)下半年智能手機(jī)市場出貨表現(xiàn)將相對疲弱，NAND閃存的供給過剩情況將日益惡化。因而有業(yè)內(nèi)人士分析稱2019年上半年NAND價(jià)格將重挫，目前的存儲定價(jià)周期與2014年末到2015年初情況相似，當(dāng)時也出現(xiàn)存儲器需求大跌的狀況。
三星、海力士發(fā)力，價(jià)格戰(zhàn)一觸即發(fā)
近日，有韓媒指出，今年第一季三星電子和SK海力士（SK Hynix）的半導(dǎo)體庫存雙雙創(chuàng)下新高，滿坑滿谷的記憶體賣不動，三星或許因此殺紅了眼。
今年Q1季末，三星電子的半導(dǎo)體庫存達(dá)7．4萬億韓元，寫下同季歷史新高。SK海力士的半導(dǎo)體庫存為2．2萬億韓元，更創(chuàng)下該公司史上之最。一般而言，企業(yè)都趕在新年之前盡量消化庫存，Q4應(yīng)是出貨旺季，但Q4庫存增加速度之快，幾乎前所未見。
三星半導(dǎo)體庫存連年提高，近來更急速成長。今年Q1超越7萬億韓元，和去年同期相比，Q1庫存飆升了1．7萬億韓元。主要原因應(yīng)是記憶體買氣驟減，Q1三星記憶體部門營收年減3，700萬億韓元。
與此同時，常理上SK海力士的庫存大都在1．5萬億韓元以下，不料去年年底突然暴增至1．9萬億韓元，今年Q1又一舉突破2萬億韓元。SK海力士的庫存資產(chǎn)占總資產(chǎn)比重一路攀升，庫存爆滿，其主要問題是記憶體前景欠佳，需求仍淡，業(yè)者可能會啟動更激烈的殺價(jià)戰(zhàn)，出清庫存。
記憶體業(yè)凄慘，又有新技術(shù)出來搶市場，前景更為黯淡。日前，有媒體報(bào)導(dǎo)，“相變化記憶體”因成本太高，智慧機(jī)等行動裝置無法采納，過去15年來一直應(yīng)用在光碟片等科技產(chǎn)品。然而，IBM現(xiàn)在不但降低了成本，還想出新的方法，可在每個記憶單位中儲存3位元資訊、即使周遭溫度較高也毫無障礙，未來可能會讓記憶體領(lǐng)域出現(xiàn)巨變。
三星趁著對手SK海力士、美光轉(zhuǎn)進(jìn)20奈米不順之際，增產(chǎn)搶市占，意圖趕盡殺絕，DRAM恐怕只剩三星一家獨(dú)活。
韓媒在4月網(wǎng)站兩篇報(bào)導(dǎo)指出，制程微縮難度高，美光和SK海力士都在20nm遇到瓶頸，原先預(yù)期記憶體產(chǎn)出將因此大減，沒想到三星在一旁虎視眈眈，趁著對手碰壁時，奪取市占。DRAM僅剩三大廠，通常產(chǎn)業(yè)整合后，大家會較為節(jié)制，結(jié)果三星非但沒松手，還想把DRAM市占從當(dāng)前的40％、提高至近50％。
國產(chǎn)存儲器加緊布局，有望實(shí)現(xiàn)“彎道超車”
這是一個得存儲器者得天下的時代。存儲器被普遍稱為“半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的皇冠”。如今正成為手機(jī)、電腦等產(chǎn)品硬件配置升級的重要賣點(diǎn)。同時，漲價(jià)侵蝕著原本競爭激烈、利潤微薄的智能手機(jī)產(chǎn)業(yè)，一路打價(jià)格戰(zhàn)的智能手機(jī)企業(yè)橫迎來史上首次漲價(jià)潮。
存儲器漲價(jià)從2016年下半年開始，到2017年DRAM價(jià)格漲幅將達(dá)到39％，NAND漲幅也將達(dá)到25％。這是由于需求增長和供給收縮。主要由于以三星、海力士為代表的企業(yè)正投入一場存儲器創(chuàng)新競賽，將2DNANDFlash轉(zhuǎn)移至三維閃存3DNANDFlash的技術(shù)革命，以及國產(chǎn)品牌手機(jī)出貨量持續(xù)增長，新一代iPhone產(chǎn)品推出，存儲器產(chǎn)能正被大量消耗導(dǎo)致產(chǎn)能增長放緩。
國內(nèi)存儲器目前主要依靠進(jìn)口，根據(jù)數(shù)據(jù)，我國每年進(jìn)口的存儲器金額約為600億美元。為此，國家下定決心發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)。在這樣的格局中，國家已經(jīng)下定決心發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)，通過自主研發(fā)關(guān)鍵技術(shù)與引入半導(dǎo)體巨頭。
國產(chǎn)存儲器正在南京、武漢、晉江三地建構(gòu)著三足鼎立之勢，2016年7月，紫光控股、國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北國芯產(chǎn)業(yè)投資基金合伙企業(yè)（有限合伙）和湖北省科技投資集團(tuán)共同出資240億美元成立了長江存儲。長江存儲主要從事3DNANDFlash的芯片與制造，旗下?lián)碛腥Y子公司武漢新芯。武漢新芯成立于2006年，2008年開始量產(chǎn)，擁有12英寸集成電路技術(shù)研發(fā)與生產(chǎn)制造能力，其閃存與影像傳感器制造技術(shù)位居世界前列，并且布局了物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域，同時從事SOC、三維集成、MCU平臺等工藝技術(shù)的研發(fā)與生產(chǎn)。
在全球存儲器產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵時刻，不知中國企業(yè)能夠也能開拓出一片屬于自己的市場。中國存儲器產(chǎn)業(yè)起步較晚，我國作為全球最重要的存儲器市場，在國家產(chǎn)業(yè)政策扶持以及大量資本投入的背景下，通過自主研發(fā)關(guān)鍵技術(shù)與引入半導(dǎo)體巨頭，有望實(shí)現(xiàn)存儲器產(chǎn)業(yè)的“彎道超車”，在全球競爭中占有一席之地。