2018年12月12日，橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST）在IEDM2018國(guó)際電子器件展會(huì)上，公布了內(nèi)置嵌入式相變存儲(chǔ)器（ePCM）的28nm FD－SOI汽車微控制器（MCU）技術(shù)的架構(gòu)和性能基準(zhǔn)，并從現(xiàn)在開始向主要客戶提供基于ePCM的微控制器樣片，預(yù)計(jì)2020年按照汽車應(yīng)用要求完成現(xiàn)場(chǎng)試驗(yàn)，取得全部技術(shù)認(rèn)證。這些微控制器是世界上首批使用ePCM的微控制器，將被用于汽車傳動(dòng)系統(tǒng)、先進(jìn)安全網(wǎng)關(guān)、安全／ADAS系統(tǒng)以及車輛電動(dòng)化。

隨著汽車系統(tǒng)的要求越來(lái)越高，提升處理能力、節(jié)能降耗、更大存儲(chǔ)容量等需求迫使微控制器廠商開發(fā)新的車用MCU架構(gòu)。隨著固件復(fù)雜性和代碼量驟然大幅提高，對(duì)容量更大的嵌入式存儲(chǔ)器的需求是當(dāng)前汽車工業(yè)面臨的最大挑戰(zhàn)之一。ePCM解決方案可以克服這些芯片級(jí)和系統(tǒng)級(jí)的挑戰(zhàn)，滿足AEC－Q100 0級(jí)汽車標(biāo)準(zhǔn)的要求，最高工作溫度達(dá)到＋165℃。此外，意法半導(dǎo)體的ePCM技術(shù)保證在高溫回流焊工序后固件／數(shù)據(jù)保存完好，并且抗輻射，為數(shù)據(jù)提供更多的安全保護(hù)。

在12月4日舊金山2018年IEDM（國(guó)際電子器件）展會(huì)上，意法半導(dǎo)體以一個(gè)28納米FD－SOI汽車微控制器的16MB EPCM陣列為例，介紹了其嵌入式相變存儲(chǔ)器在架構(gòu)和性能方面取得的最新進(jìn)展。

意法半導(dǎo)體汽車與分立器件產(chǎn)品部總裁Marco Monti表示：“通過(guò)應(yīng)用ST的制造工藝、設(shè)計(jì)、技術(shù)和專長(zhǎng)，我們開發(fā)出一個(gè)創(chuàng)新的ePCM解決方案，成為首家有能力整合這種非易失性存儲(chǔ)器與28nmFD－SOI工藝，研制高性能的低功耗汽車微控制器的廠商。現(xiàn)在樣片已經(jīng)送到部分主要客戶手中，我們正在與客戶確認(rèn)ePCM優(yōu)異的溫度性能和滿足所有汽車標(biāo)準(zhǔn)的能力，積極的反饋意見進(jìn)一步加強(qiáng)了我們對(duì)其應(yīng)用普及和市場(chǎng)成功的信心。

技術(shù)細(xì)節(jié)

相變存儲(chǔ)器（PCM）是采用鍺銻碲（GST）合金制成，利用材料的物理性質(zhì)在非晶態(tài)和晶態(tài)之間的快速熱控變化來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。非晶態(tài)對(duì)應(yīng)邏輯0，晶態(tài)對(duì)應(yīng)邏輯1，這兩種狀態(tài)在導(dǎo)電性質(zhì)上存在差異，非晶態(tài)電阻高（邏輯0），晶態(tài)電阻低（邏輯1）。另外，閃存重寫數(shù)據(jù)需要至少一次字節(jié)或扇區(qū)擦寫操作，而PCM技術(shù)支持單個(gè)數(shù)據(jù)位修改，從而簡(jiǎn)化了數(shù)據(jù)存儲(chǔ)過(guò)程中的軟件處理環(huán)節(jié)。意法半導(dǎo)體的相變存儲(chǔ)器得益于其與存儲(chǔ)單元和支持高溫?cái)?shù)據(jù)保存的GST合金相關(guān)的專利技術(shù)。