在動態(tài)隨機存取內(nèi)存（DRAM）工藝陸續(xù)進入1X及1Y工藝領(lǐng)域之后，全球 DRAM 龍頭韓國三星21日宣布，首次業(yè)界開發(fā)第3代10 納米等級（1Z 納米工藝）8GB 高性能 DRAM。這也是三星發(fā)展 1Y 納米工藝 DRAM 之后，經(jīng)歷 16 個月，再開發(fā)出更先進工藝的 DRAM 產(chǎn)品。

　　據(jù)了解，新一代 1Z 納米工藝 DRAM，三星在不使用極紫外線光刻機（EUV）的情況下打造，這顯示三星進一步提高了 DRAM 的生產(chǎn)極限，并拉高競爭對手的生產(chǎn)門坎。隨著 1Z 納米工藝產(chǎn)品問世，并成為業(yè)界最小的內(nèi)存生產(chǎn)節(jié)點，目前三星已準備好用新的 1Z 納米工藝 DDR4 DRAM 滿足日益成長的市場需求，生產(chǎn)效率比以前 1Y 納米等版 DDR4 DRAMUL4 高 20% 以上。

　　三星表示，1Z 納米工藝 8GB DDR4 DRAM 的正是大量生產(chǎn)時間將落在 2019 下半年，以因應(yīng)下一代企業(yè)服務(wù)器需求，并有望能在 2020 年支持新高階個人計算機。除了提供市場需求，三星還指出，跨入 1Z 納米工藝的 DRAM 生產(chǎn)，將為全球 IT 加快朝向下一代 DRAM 接口，包括 DDR5、LPDDR5 和 GDDR6 等預做準備。這些具更高容量和性能的 1Z 納米工藝產(chǎn)品將增強三星在市場的業(yè)務(wù)競爭力，鞏固其高階 DRAM 市場應(yīng)用的領(lǐng)導地位，包括服務(wù)器、圖形和行動裝置等領(lǐng)域。

　　另市場消息指出，與一家CPU制造商就8GB DDR4模塊全面驗證后，三星將積極與全球客戶合作，提供一系列即將面世的內(nèi)存解決方案。為了滿足目前的行業(yè)需求，三星計劃增加主要內(nèi)存生產(chǎn)比重。