導讀：12月28日，據科技日報報道，由西安理工大學和西安奕斯偉設備技術有限公司共同研制的國內首臺新一代大尺寸集成電路硅單晶生長設備在西安實現一次試產成功。

　　報道指出，本次試產實現了采用自主研發的國產技術裝備，拉制成功大尺寸、高品質集成電路級硅單晶材料的重大突破并實現產業化。本次制成的單晶硅棒長度為2.1米，直徑達300mm，切割出的12寸硅片可用于28nm以下先進工藝芯片制造。

　　2018年起，西安理工大學劉丁教授團隊與西安奕斯偉合作，以開發新一代大尺寸集成電路硅單晶生長設備及核心工藝為目標，針對7-20nm集成電路芯片要求開展技術攻關。

　　2019年7月23日，西安奕斯偉宣布拉出首根硅晶棒。同年12月18日，西安奕斯偉硅材料生產線產出首批樣品，送達客戶進行驗證后進入量產階段。

　　據介紹，西安奕斯偉硅材料生產線主要生產12英寸（300毫米）集成電路用硅單晶拋光片和外延片。項目總投資約110億元，占地面積800余畝，于2017年四季度正式啟動，分兩期進行建設。項目一期滿產后，產能將達50萬片/月。

　　西安奕斯偉材料技術有限公司首席執行官楊新元表示：“從全球格局來看，目前位于日本、中國臺灣、德國、韓國等地的全球前五大廠商占據12英寸硅片市場98%以上的份額，國內12英寸硅片生產剛剛起步，是我國半導體產業鏈上亟待加強的一環。西安奕斯偉投建12英寸硅材料生產線，寄望突破產業短板，為推進我國集成電路產業健康發展及全面提升做出貢獻，這也是我們投身這個產業發展的初心。”