3月25，據國外媒體報道，SK海力士是全球重要的存儲芯片制造商，他們在去年10月份同英特爾達成了協議，將以90億美元收購英特爾大部分的NAND閃存及存儲業務，收購之后就將超過日本的Kioxia，成為僅次于三星的全球第二大NAND閃存制造商，并會縮小與三星的差距。
Source：SK海力士
除了通過收購擴大規模、獲得知識產權及研發人員，SK海力士也在致力于研發更先進的DRAM和NAND產品。
韓國媒體的報道顯示，在2021年IEEE（電氣電子工程師學會）國際可靠性物理研討會上發表演講時，SK海力士CEO李錫熙（Lee Seok-Hee）就表示，在未來十年，他們將致力于克服材料、結構和可靠性方面的挑戰，開發10nm以下工藝的DRAM和600堆疊層的NAND。
在報道中，韓國媒體表示，研發10nm以下工藝的DRAM，要求SK海力士等半導體廠商，克服光刻技術方面的挑戰。
在NAND方面，SK海力士已經研發出了176層堆疊的3D NAND。
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