近期，各大存儲原廠陸續公布最新財報，在存儲市場需求利好等因素推動下，三星、SK海力士、美光、西部數據等均交出了亮眼成績單。
01 存儲需求帶動，原廠業績上漲
三星電子（Samsung）
10月28日，三星電子公布截至2021年9月30日的第三季度財務業績。該季度三星營收達到73.98萬億韓元（約630億美元），較上年同期增長10%，創下歷史新高。營業利潤較上一季度增長26%至15.82萬億韓元（133.9億美元），為歷史第二高。三星表示，內存繼續保持有利的市場條件，代工和顯示器業務實現強勁銷售，這些因素帶動業績上漲。
其中，三星存儲部門營收20.83萬億韓元（178億美元），環比增長17%，同比增長46%。
三星透露，內存業務方面，整體價格形勢依然有利，尤其是在服務器銷售顯著增長的支持下，季度位元出貨量創下新紀錄。NAND方面，服務器SSD需求隨著主要服務器客戶投資的增加而恢復，數據中心對高容量產品的需求強勁，基于新CPU采用刺激的高容量趨勢。由于新機型的推出，移動市場需求一直穩固。
SK海力士（SK Hynix）
10月26日，SK海力士發布截至2021年9月30日的2021財年第三季度財務報告。該公司2021財年第三季度結合并收入為11.805萬億韓元（100億美元），環比增長14%，同比增長45%。營業利潤為4.172萬億韓元（35.3億美元），凈利潤為3.315萬億韓元（約28億美元）。
SK海力士自成立以來創下了歷史最高的季度收入，該公司表示，用于服務器和移動應用的存儲器的需求增加以及產品價格上漲是季度收入刷新歷史最高紀錄的主要原因。值得關注的是，SK海力士的NAND閃存事業在第三季度度終于轉虧為盈。
同時，該季SK海力士提高了1znm DRAM和128層4D NAND閃存等主流產品的良率，并擴大了主流產品的生產比率。
美光科技（Micron）
9月28日，美光科技公布2021年第四季度財報。該季美光實現營收82.74億美元，同比增長36.6%。凈利潤為27.2億美元，同比增長175.3%。美光2021財年總營收為277.05億美元，同比增長29.3%，凈利潤為58.61億美元，同比增長118.1%，2021財年美光順利收官。
業界認為，多重因素推動美光科技業績上漲，包括疫情推動遠程工作和在線學習進而提升云存儲需求，數據中心運營商增加容量，以適應云服務的需求激增等。
西部數據（Western Digital）
10月28日，西部數據公布2022財年第一季度財務業績（截至2021年10月1日）。該季西數收入約為51億美元，同比增長29%。其中，Flash收入25億美元，環比增長3%，同比增長20%。
按照部門劃分，該季西數云收入增長 72%，客戶收入增長 6%，消費者收入同比增長 10%。西數認為，不同終端市場的強勁需求，尤其是云產品的強勁需求等因素推動公司業績上漲。客戶端方面，西數閃存業務同樣實現了增長，特別是在移動、游戲、汽車、物聯網和工業應用方面。
02 擴產、DDR5、HBM3…原廠大動作盤點
財報亮眼的背后，原廠對產業的積極布局也受到關注。今年各大原廠在存儲市場持續發力，帶來了諸多新產品、新技術，并對外公布了投資與擴產新進展。
三星電子（Samsung）
3月10日，三星宣布推出首款DRAM-less NVME 980固態硬盤，面向普通電腦用戶、游戲玩家以及內容創業者。產品提供高達3500MB/s和3000MB/s順序讀寫速度，隨機讀寫性能達到500K和400K。
5月，三星發布了業界首款CXL（Compute Express Link，計算快速鏈接）內存擴展器，官方表示其能將內存容量和帶寬擴展至超過當今服務器系統所能達到的水平，10月三星又為CXL推出了開源軟件解決方案：可擴展內存開發工具包（SMDK），以擴大CXL內存平臺的采用。
8月24日，三星在Hot Chips 33會議上展示了其在內存內處理（PIM）技術方面的最新進展。三星首次成功將基于PIM的高帶寬存儲器（HBM-PIM）整合到商用化加速器系統中，并擴大PIM應用范圍至DRAM模組和移動內存，從而加速實現內存和邏輯的融合。三星計劃與其他行業領導者合作，在明年上半年實現PIM平臺標準化，從而擴展AI內存產品組合。
10月12日，三星宣布量產14納米EUV DDR5 DRAM。繼去年3月三星推出首款EUV DRAM后，三星將EUV層數增高至5層，實現了自身最高單位容量。三星介紹，與上一代DRAM工藝相比，14納米工藝可幫助降低近20%功耗。
據最新DDR5標準，三星的14納米DRAM將有助于釋放出之前DDR5產品所未有的速度：高達7.2Gbps，比DDR4的3.2Gbps快兩倍多。
三星還計劃擴展其14納米DDR5產品組合，以支持數據中心、超級計算機和企業服務器應用。另外，三星計劃將其14納米DRAM芯片密度提升至24Gb，以更好滿足快速增長的數據需求。
同樣在10月，三星在第五屆代工論壇（SFF）上公布芯片工藝技術路線圖，三星表示GAA（全環繞柵極晶體管工藝）已準備好供客戶采用，2022年量產3納米，2025年預計量產2納米。此外，三星透露正推進14納米工藝，以支持3.3V高電壓或閃存型嵌入式MRAM（eMRAM），從而提高寫入速度和密度。
SK海力士（SK Hynix）
今年2月1日，SK海力士宣布M16新廠竣工，該工廠于2018年11月開建，總投資3.5萬億韓元，將主要生產DRAM產品。SK海力士首次在M16配備EUV（極紫外）光刻機，該公司計劃運用EUV光刻機，從今年下半年起生產第四代1a納米級DRAM產品。
3月8日，SK海力士宣布開始量產業界最高容量的18GB LPDDR5 移動端DRAM產品。產品處理速度高達6400Mb/s，與至今搭載于智能手機的移動端DRAM（LPDDR5，5500Mb/s）相比提升約20%。
7月12日，SK海力士宣布已開始量產適用第四代10納米（1a）級工藝的8Gigabit（Gb）LPDDR4移動端DRAM產品。這是SK海力士首次采用EUV技術進行量產的DRAM，穩定支持LPDDR4移動端DRAM規格的最高速度（4266Mbps），并相較前一代產品其功耗也降低了約20%。SK海力士還計劃從明年初開始將1a納米級工藝導入于去年十月推出的全球首款DDR5 DRAM。
10月20日，SK海力士宣布開發業界第一款HBM3 DRAM（第四代高寬帶內存技術），能夠每秒處理819GB的數據，通過內置型ECC校檢可以自身修復DRAM單元(cell)的數據的錯誤，因此產品的可靠性也大幅提高。此次HBM3將以16GB和24GB兩種容量上市。其中，24GB是業界最大的容量。
10月29日，SK海力士宣布將以5760億韓元（4.93億美元）收購總部位于韓國的晶圓代工廠商Key Foundry。Key Foundry是韓國一家8英寸晶圓代工廠商，去年9月從MagnaChip半導體公司獨立出來，每月產能為8.2萬片8英寸晶圓，能夠生產用于消費、通訊、電腦、汽車與工業應用的芯片。SK海力士表示，期待此次收購將使其目前的8英寸代工產能翻一番。
美光科技（Micron）
今年1月27日，美光宣布批量出貨基于1α (1-alpha) 節點的DRAM產品，提供8Gb 至 16Gb 的密度，將助力美光現有的DDR4和LPDDR4系列產品延長生命周期。美光今年將1α節點全面導入其DRAM產品線，從而更好地支持廣泛的DRAM應用領域。
6月，美光宣布批量出貨基于1α節點的LPDDR4x和DDR4產品，同時還宣布出貨搭載176層NAND的PCIe 4.0固態硬盤。
7月，美光將上述NAND技術和性能成功應用于智能手機領域，宣布批量出貨全球首款基于176層NAND技術的通用閃存UFS 3.1 移動解決方案。據悉，該產品為高端旗艦手機量身打造，與前代產品相比可實現高達75%的順序寫入和隨機讀取性能提升。
10月20日，美光宣布計劃在未來十年內投資1500億美元，用于內存制造和研發（R&D），包括提高晶圓廠的產能，以滿足內存不斷增長的需求。稍早之前，美光被報道其計劃在日本廣島市新建一座DRAM芯片廠，有望在2024年投入運營，旨在滿足中長期數據中心及其他應用的需求。
西部數據（Western Digital）
今年2月，鎧俠與西部數據宣布兩家公司已經開發出第六代162層3D閃存技術。與上一代相比，新的3D閃存技術降低了每比特成本，并且將每片晶圓可制造的比特數提高了70%。
9月，西部數據在上海HDD Reimagine大會上宣布推出了全新閃存增強型磁盤架構設計，將用于西部數據的企業級硬盤系列產品和存儲平臺中。
這一基于OptiNAND技術的全新磁盤架構設計，整合了西部數據在HDD（硬盤驅動器）和閃存領域的創新能力，對HDD進行了優化，并將HDD與iNAND嵌入式閃存器件進行了集成。
西數已向部分客戶交付采用OptiNAND技術的新款九磁碟、20TB ePMR閃存增強型硬盤樣品。西數透露，該架構設計將用于西部數據的企業級硬盤系列產品和存儲平臺中。
10月，西數宣布11月開始批量出貨采用OptiNAND 技術的 20TB 硬盤。
鎧俠（KIOXIA）
2月，鎧俠與西部數據宣布已經開發出第六代162層3D閃存技術，3月鎧俠表示開始在日本四日市廠區建設新廠房以支持第六代3D閃存生產。
鎧俠透露，新廠一期施工計劃于2022年春季完工。施工將分為兩個階段，旨在確保尖端閃存產品的持續生產和出貨，以滿足持續的市場需求。
9月，鎧俠對外展示了基于PCIe 5.0的下一代高性能SSD解決方案，與市面主流PCIe 4.0 SSD 7 GB/s順序讀取速度相比，鎧俠演示的 PCIe 5.0 SSD，已將順序讀取翻倍到了14 GB/s 以上，順序寫入也有7GB/s。鎧俠計劃在2021年4季度推出首款 PCIe 5.0 x4 SSD。
英特爾（Intel）
英特爾決定將NAND閃存業務出售給SK海力士后，該公司的存儲業務重心便落到了傲騰身上。
今年以來英特爾發布了多款傲騰產品，如傲騰持久內存200系列、傲騰固態盤SSD P5800X、NAND固態盤SSD D5-P5316、傲騰SSD P1600X等，進一步強化了內存和存儲產品組合。
除此之外，今年8月英特爾透露其下一代客戶端架構酷睿處理器Alder Lake支持DDR5和PCIe 5.0。10月，英特爾Alder Lake正式發布，伴隨Alder Lake的問世，近期已有多家模組廠商宣布推出DDR5產品。
03 存儲市場后續發展，原廠怎么看？
展望第四季度與2022年，原廠在最新財報中都表達了較為樂觀的看法。
三星透露，第四季度公司將專注于滿足對內存和系統半導體產品的需求，即使部分客戶的組件短缺可能會影響需求。公司還將通過加強在高端細分市場的領導地位和陣容，在成品業務中保持穩健的盈利能力。
展望2022年，三星在存儲器業務方面，計劃通過量產14納米DRAM和第7代V-NAND以及基于行業領先的極紫外(EUV)技術的下一代產品來提高成本競爭力。同時，三星還將繼續擴大15納米DRAM和128層V-NAND的部分，積極應對服務器市場，并搶占安全NAND解決方案產品的需求。
SK海力士預測未來存儲器市場需求將穩步增長，公司今后在靈活應對市場環境變化的同時，專注與確保獲利性。此外，SK海力士期待年內完成收購英特爾NAND閃存業務，最近轉虧為盈的公司NAND事業部門的競爭力將更加強。
美光預計2022年存儲器需求將由不斷增長的數據中心、服務器部署、5G手機出貨以及汽車和工業市場的持續強勁拉動。但從短期的需求看，由于PC OEM客戶遭遇其他零部件短缺問題，影響到對存儲芯片的采購；此外美光自身供應鏈也面臨部分IC產品短缺，也會影響存儲器產品的出貨。
西數則預計，下一季度公司閃存業務營收將環比上升。
04 需求成長力道將小于供給，2022存儲市場進入跌價周期？
盡管原廠對存儲市場后續發展持樂觀的態度，但存儲市場呈現的供需變化態勢仍值得業界留意。
全球市場研究機構TrendForce集邦咨詢發布的最新調查預測，2022年DRAM的供給位元成長率約17.9%，然而由于目前買方庫存水位已偏高，加上2022年需求位元成長率僅16.3%，低于供給端成長速度，2022年DRAM產業將由供不應求將轉至供過于求，進入跌價周期。
NAND Flash方面，集邦咨詢預估供給位元年增長率約31.8%；而需求位元年成長幅度為30.8%，在需求成長收斂，而在供應商針對高層數產品的激烈競爭下，將使2022年整體NAND Flash市場同樣進入跌價周期。
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