Intel日前一口氣官宣了未來四代酷睿處理器，包括Raptor Lake 13代、Meteor Lake 14代、Arrow Lake 15代、Lunar Lake 16代，據(jù)說后邊是Nova Lake 17代。
Intel同時也披露了一些初步細(xì)節(jié)，比如說Arrow Lake 15代酷睿，會繼續(xù)使用非單一芯片整合封裝、Intel 4工藝，首次加入Intel 20A工藝（大致等于2nm），首次加入外部代工，來自臺積電3nm（可能對應(yīng)GPU部分），號稱擁有媲美獨立顯卡級性能的核顯。
其實早在去年8月，就有傳聞稱，Alder Lake－P移動版會采用最多6個Lion Cove架構(gòu)大核心、8個Skymont架構(gòu)小核心的組合（桌面版8＋32），而最高級別的GT3核顯則有320個單元（2560個核心），目前的12代也不過96個。
最新泄露的一份內(nèi)部路線圖，詳細(xì)展示了Arrow Lake－P的時間進(jìn)程，并確認(rèn)了一些關(guān)鍵規(guī)格。
按照這份規(guī)劃，Arrow Lake－P會在今年第48周（11月21－25日）完成ES1第一版工程樣品，明年第5周（1月23－27日）完成ES2第二版工程樣品，第27周（6月26－30日）完成QS質(zhì)量樣品，33周（8月7－11日）完成投產(chǎn)準(zhǔn)備，第四季度上市。
這個時間進(jìn)度有點太緊了，畢竟12代剛剛布局完畢，官方也說了今年下半年推出13代，明年上14代，2024年才會有15代。
不過路線圖上也承認(rèn)，臺積電3nm工藝存在不確定性，而且是第一次使用，時間規(guī)劃上可能會有幾個星期的延遲變動，而且Arrow Lake－P系列的優(yōu)先級高于桌面版Arrow Lake－S系列，自然會先行上市（現(xiàn)在是先出桌面版）。
回到規(guī)格上，Arrow Lake－P（代號Halo）確實會有Lion Cove（LNC）、Skymont（SKT）大小核架構(gòu)，分別最多6個、8個。
GT3核顯采用臺積電N3 3nm工藝，集成320個EU單元，面積初步估計80平方毫米左右，但根據(jù)臺積電晶圓工藝可能會更大一些。
有趣的是，路線圖上明確地寫著，Arrow Lake－P要競爭蘋果的14寸高級筆記本。
看起來，Intel被蘋果拋棄之后，始終是耿耿于懷，即便不能奪回訂單，也要在性能上超越之，尤其是蘋果強(qiáng)項的GPU水平。
在新工藝上，Intel、臺積電一路狂奔的時候，三星出事兒了……
相比于臺積電，三星的制造工藝一直差幾個檔次，其代工的NVIDIA RTX 30系列顯卡、高通驍龍8系列處理器，甚至是自家的Exynos 2200手機(jī)芯片，無論性能還是能效頗受詬病。
據(jù)DigiTimes報道，三星電子現(xiàn)在陷入了一樁丑聞，部分在職員工、前員工涉嫌偽造和虛報5nm、4nm、3nm工藝制程的良品率。
據(jù)悉，三星在批準(zhǔn)5nm、4nm工藝的量產(chǎn)計劃后，無論是三星自己，還是第三方芯片代工客戶，都發(fā)現(xiàn)良品率明顯低于預(yù)期。
為此，三星已經(jīng)開始對負(fù)責(zé)代工業(yè)務(wù)的三星設(shè)備解決方案（Samsung Device Solutions）事業(yè)部進(jìn)行初步調(diào)查，包括相關(guān)投資是否使用到位。
不過三星強(qiáng)調(diào)，該問題影響并不嚴(yán)重，具體結(jié)果將在調(diào)查完成后公布。
就在日前，還有消息稱，臺積電3nm工藝的良品率也存在問題，不得不多次修改路線圖。
據(jù)稱，蘋果、高通、Intel、AMD等都是臺積電3nm工藝的客戶，其中高通將拋棄三星代工，全面轉(zhuǎn)向臺積電，Intel則是首次引入臺積電代工服務(wù)。
現(xiàn)在高性能的處理器越來越復(fù)雜，工藝也先進(jìn)，但在物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域，有些芯片需要更低的功耗，IMEC比利時微電子中心今天宣布聯(lián)合多家合作伙伴造出了0．8um的IGZO銦鎵鋅氧化物晶體管技術(shù)的8位處理器，功耗可低至0．01W。
與硅基CMOS工藝的芯片相比，薄膜晶體管技術(shù)的芯片具有獨特的優(yōu)勢，包括低成本、輕薄、柔性、可彎曲等等，更適合物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域，比如RFID射頻標(biāo)簽、健康傳感器等等，還可以作為顯示器的驅(qū)動芯片。
這些領(lǐng)域缺少的是一個靈活的處理器，IMEC現(xiàn)在制造的就是全新的8位微處理器，可以執(zhí)行復(fù)雜的計算。
具體來說，這款8位處理器性能強(qiáng)，頻率可達(dá)71．4KHz（不是MHz，在該領(lǐng)域是高頻了），功耗非常低，其中10KHz頻率下只有11．6mW，最高速度下也只有134．9mW，也就是0．01W到0．13W之間。
制造這款處理器使用的是0．8um IGZOO銦鎵鋅氧化物晶體管技術(shù)，集成了1．6萬個晶體管，面積也只有24．9mm2，已經(jīng)是該技術(shù)中集成度、良率都很高的水準(zhǔn)了
