中國北京(2022年8月19日) — 業界領先的半導體器件供應商兆易創新GigaDevice(股票代碼 603986)宣布,推出突破性的1.2V超低功耗SPI NOR Flash產品——GD25UF系列。該系列在數據傳輸速度、供電電壓、讀寫功耗等關鍵性能指標上均達到國際領先水平,在針對智能可穿戴設備、健康監測、物聯網設備或其它單電池供電的應用中,能顯著降低運行功耗,有效延長設備的續航時間。

隨著物聯網技術的發展,新一代智能可穿戴設備需要擁有更豐富的功能來滿足消費者的需求,這種空間敏感型產品對系統功耗提出了更嚴苛的要求,希望進一步提升產品的續航能力。從系統設計層面來看,一些先進工藝器件的工作電壓已低至1.2V,如果所需的Flash可支持1.2V的電壓操作,這對于主控而言,將能夠有效簡化電源設計并優化系統成本。

應此需求,兆易創新推出了GD25UF產品系列,該系列工作電壓可擴展至1.14~1.6V,具有單通道、雙通道、四通道、和DTR四通道的SPI模式,支持不同容量選擇,能夠滿足智能設備所需的代碼存儲要求。在讀寫性能方面,GD25UF最高時鐘頻率STR 120MHz,DTR 60MHz,擁有10萬次的擦寫壽命,數據有效保存期限可達20年。在安全性方面,該產品具有128bit Unique ID來實現加密效果,為應用帶來高安全保障。

同時,為進一步滿足低功耗的需求,GD25UF產品系列特別提供了Normal Mode和Low Power Mode 兩種工作模式。在Normal Mode下,器件讀取電流在四通道120MHz的頻率下低至6mA;在Low Power Mode下,器件讀取電流在四通道1MHz頻率下低至0.5mA,擦寫電流低至7mA,睡眠功耗低至0.1uA。相比于1.8V供電的SPI NOR Flash,1.2V GD25UF系列在Normal Mode下,相同電流情況下的功耗降低了33%,而在Low Power Mode下,相同頻率下的功耗降低了70%,有效延長了設備的續航時間。另外GD25UF系列產品的供電電壓支持1.14~1.6V的寬電壓范圍,可顯著延長單電池供電應用的使用壽命。并且該系列產品支持SOP8、WSON8、USON8、WLCSP封裝,全溫度工作范圍覆蓋-40℃~85℃, -40℃~105℃, -40℃~125℃。

兆易創新存儲器事業部執行總監陳暉先生表示:“GD25UF系列產品進一步豐富了兆易創新的Flash Memory產品線。其具備的1.2V低電壓和超低功耗模式可以幫助小容量電池供電設備提高續航能力,即使在不可避免的電池衰減過程中,也可以保持出色且穩定的運行狀態,增加應用的可靠性。如今,電池續航能力已經成為消費者選購產品的重要指標,GD25UF系列產品的問世會是下一代可穿戴設備的理想選擇。作為國內外鮮少擁有1.2V SPI NOR Flash產品線的企業,兆易創新走在了需求前端,為下一代應用的設計開發緩解了壓力,從一定程度上縮短了客戶的研發成本,讓他們能夠在日益激烈的市場競爭中保持領先地位。”

目前,兆易創新GD25UF系列可提供64Mb容量樣品,更多容量產品將陸續推出,客戶可聯絡銷售代表或授權代理商了解相關的信息。

關于兆易創新(GigaDevice)

兆易創新科技集團股份有限公司(股票代碼603986)是全球領先的Fabless芯片供應商,公司成立于2005年4月,總部設于中國北京,在全球多個國家和地區設有分支機構,營銷網絡遍布全球,提供優質便捷的本地化支持服務。兆易創新致力于構建以存儲器、微控制器和傳感器業務板塊為核心驅動力的完整生態,為工業、汽車、計算、消費電子、物聯網、移動應用以及通信領域的客戶提供完善的產品技術和服務,并已通過DQS ISO9001及ISO14001等管理體系的認證,與多家世界知名晶圓廠、封裝測試廠建立戰略合作伙伴關系,共同推進半導體領域的技術創新。

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