8月20日消息，據(jù)國外媒體報道，在消費電子產(chǎn)品領(lǐng)域業(yè)務(wù)廣泛的三星電子，在終端產(chǎn)品及關(guān)鍵零部件方面都實力強勁，他們也是當前全球最大的存儲芯片制造商，在DRAM和NAND閃存市場的份額都遠高于其他廠商。
而從韓國媒體最新的報道來看，三星電子在30年前，也就是1992年，就成為了全球最大的DRAM廠商，并在次年成為了最大的存儲芯片制造商。
韓國媒體是在報道三星電子位于京畿道器興的新半導(dǎo)體研發(fā)園區(qū)動工時，提及三星電子在1992年成為最大的DRAM制造商、次年成為最大存儲芯片制造商的。
韓國媒體在報道中表示，器興對三星電子存儲芯片業(yè)務(wù)意義非凡，他們在器興研發(fā)出了全球首款64Mb DRAM，這一產(chǎn)品使得三星電子隨后成為最大的DRAM制造商和存儲芯片廠商。
三星電子位于器興的新半導(dǎo)體研發(fā)園區(qū)，是在周五正式動工的，三星集團實際控制人、三星電子副會長李在镕及其他多位高管，出席了動工儀式，新的研發(fā)園區(qū)占地10.9萬平方米，計劃2025年開始投入運營，2028年全部建成，到全部建成時將投資20萬億韓元，也就是約150億美元。
隨著新研發(fā)園區(qū)的動工，器興園區(qū)在三星電子的存儲芯片業(yè)務(wù)中，將繼續(xù)占有重要地位，并為三星存儲芯片業(yè)務(wù)的發(fā)展發(fā)揮關(guān)鍵的作用。
2016年7月7日，在韓國首爾三星電子公司總部，人們從三星的標志旁走過。新華社/法新
三星電子說，該研發(fā)中心將引領(lǐng)存儲和系統(tǒng)芯片的高端研發(fā)，以及基于長期路線圖的新技術(shù)研發(fā)，企業(yè)“正尋求克服半導(dǎo)體微縮的極限”。
除新建研發(fā)中心以外，三星電子在人才引進方面也取得進展。據(jù)“韓國商業(yè)”網(wǎng)站不久前報道，在美國蘋果公司供職9年的芯片專家金宇平(音譯)已經(jīng)轉(zhuǎn)投三星電子。金宇平曾在美國得州儀器公司和高通公司工作。加盟三星電子后，他將在一個新成立的封裝解決方案中心擔(dān)任總監(jiān)。
三星電子6月30日宣布開始量產(chǎn)3納米芯片。這家企業(yè)曾于5月份表示，今后5年將在半導(dǎo)體和生物技術(shù)領(lǐng)域投資450萬億韓元(約合2.3萬億元人民幣)。這一投資規(guī)模比過去5年增加120萬億韓元(約合6150億元人民幣)，增幅達36%。
根據(jù) IC Insights 的數(shù)據(jù)，三星電子、SK 海力士和美光科技在 2021 年合計占據(jù)了全球 DRAM 市場 94% 的份額，其中三星和 SK 海力士共同占據(jù)了 71.3% 的市場份額。
IC Insights 表示，三星去年仍然是全球最大的 DRAM 供應(yīng)商，銷售額達到近 419 億美元，占全球市場份額的 44%。
在 2020 年 3 月成為第一個使用極紫外 (EUV) 光刻技術(shù)的公司后，三星于 2021 年 10 月開始大規(guī)模生產(chǎn)基于 EUV 的 14nm DRAM。在此過程中，它在其最先進的 14nm 上將 EUV 層數(shù)從兩層增加到了五層IC Insights 指出，DDR5 DRAM 工藝。三星還推出了其首款支持新 Compute Express Link (CXL) 互連標準的 DRAM 內(nèi)存模塊，并推出了專為自動駕駛電動汽車和高性能信息娛樂系統(tǒng)設(shè)計的 2GB GDDR6 和 2GB DDR4 汽車 DRAM。
IC Insights 表示，排名第二的 SK 海力士 DRAM 銷售額在 2021 年增長 39% 至 266 億美元，市場份額為 28%。該公司開始使用 EUV 光刻技術(shù)大規(guī)模生產(chǎn)基于其第四代 10nm 級工藝(稱為 1-alpha (1a nm) 工藝)的 8Gb LPDDR4 DRAM。
IC Insights 表示，美光是 2021 年第三大 DRAM 供應(yīng)商，銷售額為 219 億美元。美光的 DRAM 銷售額猛增 41%，占全球市場份額的 23%。美光推出了其 1a nm 內(nèi)存節(jié)點，該節(jié)點的設(shè)計部分是為了支持數(shù)據(jù)中心向 DDR5 DRAM 的過渡，由預(yù)計將于 2022 年晚些時候開始加速并在 2023 年獲得發(fā)展勢頭的新 CPU 平臺驅(qū)動。美光的 1a nm DRAM 也是應(yīng)用于低功耗通信應(yīng)用，包括 5G 智能手機。
美光的 1a nm DRAM 使用不需要 EUV 光刻的技術(shù)。然而，該公司已經(jīng)訂購了 EUV 設(shè)備，并計劃從 2024 年開始使用其 1-gamma (1g) nm 節(jié)點過渡到 EUV 技術(shù)來制造其 DRAM。
歷經(jīng)日本和韓國的DRAM演義，美光公司仍然在血雨腥風(fēng)的DRAM江湖存活下來。時至今日，就是美光公司成為了DRAM廠商的探花，也是美國DRAM廠商“獨苗”。2021年，美光公司銷售額達300億美元，其中DRAM銷售額達219億美元，占總銷售額比例約為73%，其DRAM量產(chǎn)技術(shù)節(jié)點已經(jīng)進入1x nm，采用193nm水浸沒式光刻技術(shù)，產(chǎn)品主要應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心、低功耗通信等場景。
三巨頭中，美光公司是最晚宣布在DRAM生產(chǎn)中引入EUV光刻的廠商。一方面，美光公司在招聘EUV光刻機工藝開發(fā)工程師，準備導(dǎo)入EUV光刻。另一方面，美光公司也在中國臺灣省和日本擴充現(xiàn)有產(chǎn)能。
2013年，美光公司收購了日本爾必達公司后，獲取了原爾必達公司在日本廣島的DRAM工廠。
2021年，美光公司宣布斥資70億美元在日本廣島現(xiàn)有工廠附近新建DRAM生產(chǎn)線，預(yù)計在2024年實現(xiàn)量產(chǎn)，主要生產(chǎn)應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心的DRAM芯片。據(jù)報道，日本政府可能會提供一部份資金補貼。
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