功率半導體是實現電能轉換的核心器件，能夠對電壓電流的運用進行有效控制，通過開關狀態的變化，實現逆變、整流、變頻等多種功能，控制電子電力系統的能量輸出，將整個電子電力系統的能耗控制在最低范圍內，從而達到對能量的合理管理，降低能耗，減少碳排放。

　　功率半導體已經成為發電、輸配電、用電等多個領域的核心器件。例如在發電的光伏逆變器、風電變流器等設備，在輸配電領域的直流換流閥、交直流斷路器等設備，用電領域的電動汽車電驅、電力機車電驅、充電樁、儲能換流器、工業變頻器或變流器等設備中，功率半導體均發揮著突出作用。

　　IGBT、MOSFET是當前市面上最常見的功率半導體器件。由于所需驅動功率小、開關速度快，硅基的MOSFET在600V以下的應用中占據主流。由于導通損耗低、開關速度較快、耐壓等級高、工作結溫高、驅動方便，硅基的IGBT占據了600V~6500V高壓應用市場。

　　IGBT具備包括輸入阻抗高、控制功率小、驅動電路簡單、開關速度快、通態電流大、導通壓降低、損耗小等諸多優點，因此在當前市場環境中具有絕對優勢。

　　IGBT是一個非通即斷的開關器件，通過柵源極電壓的變化控制其關斷狀態，能夠根據信號指令來調節電壓、電流、頻率、相位等，以達到精準調控的目的。因此，IGBT成為當前功率半導體市場最主流的器件，在新能源發電、電動汽車及充電樁、電氣化船舶、直流輸電、儲能、工業電控和節能等眾多領域均有廣泛應用。

　　由于儲能逆變器與光伏逆變器技術相近，進入儲能逆變器的行業的競爭者大多為光伏逆變器廠商；IGBT作為逆變器的核心器件成為了新的“兵家必爭之地”。

　　一、IGBT具有廣泛的應用層，在光伏/儲能逆變器中較MOSFET更具優勢

　　低壓IGBT：指電壓等級在1000V以內的IGBT器件，例如常見的650V應用于新能源汽車、家電、工業變頻等領域。

　　中壓IGBT：指電壓等級在1000-1700V區間的IGBT器件，例如1200V應用于光伏、電磁爐、家電、電焊機、工業變頻器和新能源汽車領域，1700V應用于光伏和風電領域。

　　高壓IGBT：指電壓等級3300V及以上的IGBT器件，比如3300V和6500V應用于高鐵、動車、智能電網，以及工業電機等領域。

　　IGBT因其通態電流大、耐壓高、電壓驅動等特點，使其在中、高壓容量的系統中更具優勢。

　　在實際項目中IGBT已逐漸取代MOSFET作為光伏逆變器和風力發電逆變器的核心器件，新能源發電行業的迅速發展將成為IGBT行業持續增長的全新動力。

　　二、光伏+儲能雙驅動，IGBT市場潛力巨大

　　在“碳達峰”、“碳中和”目標的驅動作用下，國家推動綠色能源發展，光伏發電屬于綠色環保的發電方式，符合全球綠色化環保化發展趨勢，國內外光伏行業前景廣闊。我國光伏應用市場增速明顯，裝機量、發電量不斷提高。儲能裝機量逐年提升，儲能逆變器規模不斷加大。

　　政策支持疊加技術進步，光伏行業長期發展明確。其中國內風光大基地和“整縣光伏”等項目加快推進，國內風光基地一期項目批復規模約100GW，工商業分布式光伏和戶用光伏快速增長。

　　海外市場在后疫情時代和電價上漲的趨勢下需求強勢復蘇，其中歐洲市場和美國市場依然是裝機的主力。據券商預測，新能源發電方向2022年全球IGBT需求達107億元，2025年有望增進至200億元。

　　IGBT作為功率半導體期間，其技術迭代速度較慢，周期較長，一代產品的使用時間非常長，超過十年。因此，雖然國內IGBT廠家的起步較晚，但是行業留給了本土IGBT廠家充足的發展和追趕的時間，目前國內IGBT廠商技術進步較快，已經有產品能大批量滿足下游客戶需求。

　　臺灣茂矽推出了幾款適用于中壓范圍6寸晶圓片適用于各類光伏逆變器，如光伏逆變和儲能等。與行業同類產品相比，溫升更低、可靠性更高。

　　由工采網代理的臺灣茂硅生產的IGBT晶圓FS工藝6寸IGBT晶圓片P81MV022NL0013P、P81MV020NL0011P、P81MV023NL0014P這三款主要有以下特性：

　　1、1200V壕溝和現場停止技術 2、低開關損耗 3、正溫度系數  4、簡易平行）可應用于中等功率驅動器；不間斷電源。

　　臺灣茂矽IGBT產品已經逐步進入新能源汽車、充電樁、電池管理以及光伏逆變器等領域，并受到客戶的青睞，ISweek工采網擁有一整套完整的解決方案

更多信息可以來這里獲取==>>電子技術應用-AET<<