" 三足鼎立 " 的格局會演變?yōu)?" 一家獨大 " 嗎？

據媒體 2 月 7 日報道，SK 海力士制定了 " 一個團隊戰(zhàn)略 "，其中包括與臺積電合作開發(fā)第六代 HBM 芯片（HBM4）。

據悉，臺積電將負責部分 HBM4 的工藝制造——極有可能是封裝工藝，以提升產品兼容性。

HBM（High Bandwidth Memory，高寬帶內存）的優(yōu)勢是可以將專用數(shù)據處理器直接集成在 DRAM 中，將部分數(shù)據計算工作從主機處理器轉移到存儲器當中，從而滿足 AI 芯片訓練的高寬帶要求，因而 HBM 也被認為是加速下一代 AI 技術發(fā)展的領先存儲技術。

相較于前三代 HBM，HBM4 擬更新為更寬的 2048 位內存接口，以解決此前 1024 位內存接口 " 寬但慢 " 的問題，這就需要臺積電的先進封裝技術來驗證 HBM4 的布局和速度。

有業(yè)內人士向媒體表示：

" 封裝的重要性在下一代人工智能半導體中正在擴大。"

" 這兩家被認為是市場巨頭的公司之間的合作產生了很大的影響。"

目前，HBM 市場呈現(xiàn) " 三足鼎立 " 的局面：SK 海力士、三星、美光是全球僅有的三家 HBM 供應商。行業(yè)數(shù)據顯示，2022 年 HBM 市場，SK 海力士占據 50% 的市場份額，三星占比 40%，美光占比 10%。

2023 年下半年開始，SK 海力士、三星和美光這三家 HBM 供應商基本同步開啟了 HBM3E 的測試，預計從 2024 年第一季度能實現(xiàn)批量供應。

華爾街見聞此前提及，SK 海力士擬擴大其 HBM 的生產設施投資，以應對高性能 AI 產品需求的增加。公司計劃，對通過硅通孔（TSV）相關的設施投資將比 2023 年增加一倍以上，力圖將產能翻倍，并計劃在 2024 年上半年開始生產其第五代高帶寬內存產品 HBM3E。

今年發(fā)布最新財報時，SK 海力士表示，公司在籌備支持 HBM3E 方面穩(wěn)步地取得進展，將推進大規(guī)模生產 HBM3E，正處于開發(fā)下一代 HBM4 產品的正軌之上。

有觀點認為，此次 "AI 聯(lián)盟 " 是針對三星電子建立的統(tǒng)一戰(zhàn)線。

此前有分析預測，三星于 2023 年底獲英偉達驗證通過后，將從 2024 年第一季開始擴大對英偉達的 HBM3 供應——在此之前，英偉達的 HBM 由 SK 海力士獨家供應，但如今三星、美光都將加入。

另外，OpenAI 首席執(zhí)行官 Sam Altman 近日訪問了三星電子并討論 AI 半導體的開發(fā)和生產，或進一步彰顯三星電子的優(yōu)勢正在凸顯。

有半導體行業(yè)相關人士向媒體表示：

" 臺積電和 SK 海力士聯(lián)手，是因為決心鞏固在 AI 半導體市場對三星電子的勝利 "

" 三星電子的司法風險已經部分化解，但仍存在不確定性……面臨巨大挑戰(zhàn)。"