3 月 27 日消息，根據(jù)瑞士蘇黎世聯(lián)邦理工學院研究人員的最新研究，AMD 的 Zen2 至 Zen4 架構處理器也會受到 Rowhammer 內(nèi)存攻擊影響。AMD 官方就此給出了回應和緩解措施。

Rowhammer 攻擊利用了現(xiàn)代 DRAM 內(nèi)存的物理特性，通過對內(nèi)存的反復讀取和寫入，改變相鄰存儲單元中的電荷狀態(tài)，實現(xiàn)位翻轉(zhuǎn)。攻擊者可通過誘導特定位置的位翻轉(zhuǎn)，實現(xiàn)對敏感數(shù)據(jù)的訪問或提升權限。

Rowhammer 攻擊此前常見于英特爾 CPU 和 Arm 架構處理器上。在 AMD 部分，由于內(nèi)存系統(tǒng)的設計區(qū)別，該類型攻擊難以實現(xiàn)。

不過，研究人員這次還是通過對 AMD 復雜內(nèi)存尋址功能的逆向工程，成功為 AMD 處理器構建了一個名為 ZenHammer 的 Rowhammer 攻擊變體。

研究人員在 Zen2 架構的銳龍 5 3600X CPU 和 Zen3 架構的銳龍 5 5600G APU 上進行了測試，結果在這兩款使用 DDR4 DRAM 內(nèi)存的系統(tǒng)上，十次嘗試中分別有 7 次和 6 次取得了成功。

此外，研究者還在采用 DDR5 內(nèi)存的 AMD Zen4 架構平臺上進行了測試，結果在十次嘗試中僅在一套基于銳龍 7 7700X 處理器的系統(tǒng)上取得了成功。

這顯示新平臺由于內(nèi)存支持片上 ECC、高內(nèi)存刷新率和改進的 Rowhammer 攻擊緩解措施，較難受到 ZenHammer 影響。

就這一最新研究，AMD 方面發(fā)布公告，建議用戶聯(lián)系硬件制造商，以確定是否對 ZenHammer 攻擊敏感，并給出了如下的緩解建議：

使用支持 ECC 的 DRAM 內(nèi)存

使用高于 1 倍的內(nèi)存刷新率

禁用內(nèi)存突發(fā) / 延遲刷新

對于使用 DDR4 內(nèi)存的 EPYC 霄龍平臺，使用支持最大激活計數(shù)（MAC）的內(nèi)存控制器；

對于使用 DDR5 內(nèi)存的 EPYC 霄龍平臺，使用支持 Refresh Management 的內(nèi)存控制器。