4 月 25 日消息，據(jù)韓媒 Viva100 報道，SK 海力士在今日舉行的一季度財(cái)報電話會議上表示其 12 層堆疊（12Hi）HBM3E 內(nèi)存開發(fā)有望三季度完成，而下半年整體內(nèi)存供應(yīng)可能面臨不足。

目前三星電子已發(fā)布其 12Hi HBM3E 產(chǎn)品，該內(nèi)存單堆棧容量達(dá) 36GB，目前已開始向客戶出樣，預(yù)計(jì)下半年大規(guī)模量產(chǎn)。

SK 海力士表示，今年客戶主要聚焦 8Hi HBM3E 內(nèi)存，SK 海力士將為明年客戶對 12Hi HBM3E 需求的全面增長做好準(zhǔn)備。

HBM3E 內(nèi)存在價格方面相較 HBM3 更為昂貴，因?yàn)樾庐a(chǎn)品可提供更大的帶寬和容量。

電話會議上，SK 海力士稱，其將優(yōu)先確保擁有更高附加值且需求能見度更高的 HBM 內(nèi)存供應(yīng)；HBM 內(nèi)存芯片尺寸又是常規(guī) DRAM 的兩倍。

這些因素會相對擠壓常規(guī) DRAM 的晶圓投片量，預(yù)計(jì)下半年產(chǎn)能將受到限制。

SK 海力士預(yù)估，如果下半年 PC 和智能手機(jī)需求復(fù)蘇導(dǎo)致現(xiàn)有庫存耗盡，內(nèi)存市場將面臨緊張局勢。

對于未來的 HBM4 內(nèi)存，SK 海力士表示混合鍵合技術(shù)的應(yīng)用將被推遲，因?yàn)樵摷夹g(shù)存在較大難度，貿(mào)然引入會對產(chǎn)能和質(zhì)量帶來風(fēng)險。

SK 海力士將在 16Hi HBM 中沿用現(xiàn)有的 MR-MUF（批量回流模制底部填充，Mass reflow molded underfill）鍵合技術(shù)，待到混合鍵合成熟后再進(jìn)行使用。