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消息稱三星計劃量產的1c DRAM使用MOR光刻膠

2024-04-30
來源:IT之家

4 月 30 日消息,根據韓媒 TheElec 報道,三星正在考慮在其下一代 DRAM 極紫外(EUV)光刻工藝中應用金屬氧化物抗蝕劑(MOR)。

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MOR 被業(yè)內認為是下一代光刻膠(PR),會接棒目前先進芯片光刻中的化學放大膠(CAR)。CAR 在 PR 分辨率、抗蝕刻性和線邊緣粗糙度方面已經無法完全滿足未來光刻的需求。

三星正考慮在第 6 代 10 納米 DRAM(1c DRAM)中使用 MOR,主要在六層或七層上使用 EUV PR,相關產品將于今年下半年投入生產。

消息稱三星正計劃向多家供應商采購 EUV MOR 光刻膠材料,除了 Inpria 之外杜邦、東進半導體、三星 SDI 等都在測試開發(fā)。


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