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臺積電或將較原計劃提前采用High NA EUV光刻機

2024-05-29
來源:芯智訊

5月28日消息,根據wccftech的報道,雖然此前臺積電公開表示其路線圖上的最尖端制程A16仍將不會采用High NA EUV光刻機,但是最新的消息顯示,臺積電有可能會修正其既定計劃,提前導入High NA EUV光刻機進行試驗和學習。

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為了在先進制程技術上重回領先地位,英特爾已經率先斥巨資拿下了ASML的首批High NA EUV光刻機,預計先在即量產的Intel 18A制程節點上進行驗證和學習,然后再將High NA EUV光刻機應用于Intel 14A制程的量產。

相比之下,臺積電業務開發資深副總經理張曉強曾公開表示,雖然對High NA EUV能力印象深刻,但設備價格超過 3.5 億歐元(3.78 億美元)。目前的標準型EUV光刻機,仍可以支持臺積電尖端制程的生產到2026年,其最新曝光的尖端制程A16也將會繼續采用標準型EUV光刻機來進行生產。

不過,據《韓國商報》報道,在5月26日的臺積電“2024年技術論壇臺北站”的活動上,臺積電總裁魏哲家罕見沒有參加,原因是其秘密訪問了ASML位于荷蘭的總部。ASML CEO Christopher Fuke和其激光光源設備供應商TRUMPF執行長Nicola Leibinger-Kammüller近日在社群媒體上貼文中披露了魏哲家到ASML拜訪。

這也使得市場傳出消息稱,在英特爾拿下首批幾套的High NA EUV曝光機之后,魏哲家這次的密訪動作就是表達了也希望能獲得該新設備的立場。

報道指出,雖然臺積電預計在A16制程技術后的產品才考慮采用High NA EUV光刻機,但是魏哲家密訪ASML總部的動作引發了大家的議論,臺積電有可能會修正其原定的計劃,提前采用High NA EUV光刻機。不過,即使臺積電獲得High NA EUV光刻機,也不能立刻用到其最新的制程上,需要提前對新設備進行各種試驗與學習。


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