6 月 11 日消息，韓媒 ZDNet Korea 今日表示，三星 1b nm（12nm 級） DRAM 內(nèi)存良率仍不足五成。
這一數(shù)據(jù)遠(yuǎn)低于 80~90% 的業(yè)界一般目標(biāo)，三星已于上月就此成立專門工作組應(yīng)對。
參考IT之家以往報(bào)道，三星電子于 2023 年 5 月宣布 16Gb 版 12nm 級 DDR5 內(nèi)存開始量產(chǎn)，后又于 2023 年 9 月宣布 12nm 級 32Gb DDR5 內(nèi)存開發(fā)成功。
▲ 三星電子 12nm 級 32Gb DDR5 內(nèi)存
32Gb 的顆粒容量意味著三星可在不使用 TSV 工藝的情況下就能生產(chǎn) 128GB 容量的高密度 DDR5 RDIMM 內(nèi)存條。
相比采用 TSV 的 3DS DIMM 內(nèi)存，這種常規(guī)內(nèi)存條功耗減少 10%，制造成本也顯著降低。
因此，12nm 級制程的 32Gb DDR5 內(nèi)存顆粒被三星電子視為未來的主力產(chǎn)品。此番成立專門工作組旨在迅速提升良率。
三星電子還決定積極擴(kuò)大 12nm 級 DRAM 的產(chǎn)量，未來華城 15 和平澤 P2 晶圓廠將成為這一產(chǎn)品的主要生產(chǎn)基地。后者目前主要生產(chǎn) 1z nm 內(nèi)存，將進(jìn)行工藝升級。
三星電子計(jì)劃將 12nm 級 DRAM 的產(chǎn)能從目前的每月 4 萬片晶圓擴(kuò)張到三季度的 7 萬片和四季度的 10 萬片，明年則將進(jìn)一步提升至每月 20 萬片晶圓。
本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外，轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點(diǎn)。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無法一一聯(lián)系確認(rèn)版權(quán)者。如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問題，請及時通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當(dāng)措施，避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟(jì)損失。聯(lián)系電話：010-82306118；郵箱：aet@chinaaet.com。