6月20日消息，據(jù)市場研究機構(gòu)TrendForce的最新報告指出，DRAM和NAND閃存的現(xiàn)貨價格不太可能很快上漲，原因有兩個：首先，市場上有大量庫存；其次，中國政府最近打擊走私翻新DRAM的行動進一步影響了DRAM的價格。

在DRAM市場，現(xiàn)貨價格持續(xù)下跌，與合約價格形成鮮明對比。這種情況的發(fā)生是因為存儲芯片模塊公司的庫存水平過高，這些公司往往在現(xiàn)貨市場上購買DRAM。此外，消費類市場的疲軟也導(dǎo)致了價格的下跌，硬件制造商也不需要從現(xiàn)貨市場購買更多的存儲芯片。

另外，中國市場對走私的打擊，這導(dǎo)致重新定價的DRAM芯片價格進一步下跌。重新焊接是一種通過更換芯片下側(cè)的焊球來修復(fù)DRAM芯片的技術(shù)，焊球用于將芯片連接到電路板。在許多情況下，這使它們能夠再次工作，但這種芯片不如原裝的新的DRAM可靠。

從現(xiàn)貨市場價格來看，自5月底以來，DDR4 1Gx 8 2666MT/s芯片的平均現(xiàn)貨價格下降了2.54%，僅在過去一周就從1.881美元降至1.835美元。雖然這些下降看起來并不顯著，但它們是一致的。

同樣，由于固態(tài)硬盤制造商（其中一些生產(chǎn)世界上最好的固態(tài)硬盤）的庫存水平充足，現(xiàn)貨NAND閃存市場的交易疲軟，盡管現(xiàn)貨供應(yīng)商降價，但仍阻止了需求的復(fù)蘇。這已經(jīng)導(dǎo)致現(xiàn)貨價格和合約價格之間的持續(xù)分歧。

此外，2024年第三季度庫存補充的潛在需求也存在不確定性。值得注意的是，512Gb 3D TLC NAND晶片的現(xiàn)貨價格本周下跌了0.57%，達到3.309美元。

總的來說，由于需求疲軟，DRAM和NAND閃存市場在定價方面都面臨著重大挑戰(zhàn)。TrendForce預(yù)計，由于市場需求不強以及政府打擊走私等外部壓力，價格不會在短期內(nèi)回升。

本周早些時候，存儲芯片大廠鎧俠（Kioxia）停止了3D NAND存儲器的減產(chǎn)，并將增加產(chǎn)量，這可能會提高市場份額。這一舉措可能對3D NAND的供應(yīng)和價格產(chǎn)生重大影響。