7 月 4 日消息，韓媒 NewDaily 報道稱，三星電子通過了英偉達的 HBM3e（高帶寬內(nèi)存）質(zhì)量測試。三星即將開始大規(guī)模生產(chǎn) HBM 內(nèi)存芯片，并就供應問題與英偉達展開談判。
▲ 三星電子 HBM3e 12 層產(chǎn)品
三星電子最近收到了來自英偉達的 HBM3e 質(zhì)量測試 PRA（產(chǎn)品準備批準）通知。這是三星應英偉達要求，派遣負責 HBM 內(nèi)存開發(fā)的高管前往美國一個多月后取得的成果。
據(jù)IT之家此前報道，今年 3 月，英偉達 CEO 黃仁勛表示已經(jīng)開始驗證三星的 HBM 內(nèi)存芯片。5 月有消息稱三星 HBM 內(nèi)存芯片因發(fā)熱和功耗問題未通過英偉達測試。黃仁勛在 2024 臺北國際電腦展上，表示仍在認證三星公司的 HBM 內(nèi)存，否認三星 HBM 未通過任何英偉達測試。
外媒稱，三星迫切需要向英偉達供應 HBM，通過英偉達測試意味著從下半年開始，HBM 的業(yè)績可能實現(xiàn)“飛躍”。受此消息影響，三星電子股價 7 月 4 日上漲 3.6%，達到 4 月 12 日以來的最高點；SK 海力士（英偉達 HBM 內(nèi)存的主要供應商之一）股價下跌 4.7%，創(chuàng) 6 月 24 日以來最大跌幅。
本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外，轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無法一一聯(lián)系確認版權(quán)者。如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問題，請及時通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當措施，避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟損失。聯(lián)系電話：010-82306118；郵箱：aet@chinaaet.com。