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華為自研HBM內(nèi)存正式公布
發(fā)表于：9/18/2025 1:00:39 PM
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高帶寬閃存HBF即將崛起
發(fā)表于：9/12/2025 10:24:51 AM
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先進(jìn)制程設(shè)備及HBM成為AI芯片產(chǎn)能瓶頸
發(fā)表于：9/12/2025 10:07:31 AM
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谷歌最強(qiáng)AI平臺(tái)第七代TPU架構(gòu)Superpod曝光
發(fā)表于：8/26/2025 10:51:01 AM
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三星HBM低價(jià)20-30%打進(jìn)NVIDIA供應(yīng)鏈
發(fā)表于：8/22/2025 9:57:27 AM
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二季度全球DRAM市場(chǎng)規(guī)模環(huán)比增長(zhǎng)20%
發(fā)表于：8/20/2025 9:06:42 AM
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傳英偉達(dá)將自研HBM Base Die
發(fā)表于：8/19/2025 12:35:32 PM
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SK海力士終結(jié)三星33年霸主地位 成為全球最大DRAM制造商
發(fā)表于：8/18/2025 10:13:32 AM
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SEMI報(bào)告顯示HBM滲透率達(dá)25%將引領(lǐng)硅晶圓將供不應(yīng)求
發(fā)表于：8/13/2025 9:10:59 AM
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傳三星12層堆疊HBM3E已通過(guò)英偉達(dá)認(rèn)證
發(fā)表于：8/13/2025 9:03:31 AM
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卡住AI脖子 HBM成韓國(guó)出口王牌
發(fā)表于：8/12/2025 9:13:40 AM
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SK海力士將1c DRAM制造引入六層EUV工藝
發(fā)表于：8/12/2025 9:05:36 AM
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SK海力士預(yù)言HBM市場(chǎng)未來(lái)十年年增30%
發(fā)表于：8/11/2025 10:30:45 AM
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三星DDR4停產(chǎn)時(shí)間延后至2026年底
發(fā)表于：8/7/2025 9:13:50 AM
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NEO半導(dǎo)體公布X-HBM架構(gòu)概念
發(fā)表于：8/6/2025 1:52:38 PM
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三星計(jì)劃大幅降低HBM3e價(jià)格以吸引英偉達(dá)
發(fā)表于：8/1/2025 8:41:58 AM
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2025Q2全球半導(dǎo)體硅片出貨面積同比增長(zhǎng)9.6%
發(fā)表于：7/31/2025 2:29:15 PM
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消息稱三星2018年錯(cuò)失與英偉達(dá)CUDA綜合深度合作良機(jī)
發(fā)表于：7/23/2025 11:52:17 AM
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傳英偉達(dá)今年將在AI產(chǎn)品中部署80萬(wàn)個(gè)SOCAMM內(nèi)存模塊
發(fā)表于：7/16/2025 9:39:20 AM
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LG電子啟動(dòng)混合鍵合設(shè)備開(kāi)發(fā)追逐未來(lái)HBM內(nèi)存制造關(guān)鍵技術(shù)
發(fā)表于：7/14/2025 11:39:47 AM
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銷(xiāo)路不佳 三星HBM3E內(nèi)存產(chǎn)量砍半
發(fā)表于：7/7/2025 2:25:00 PM
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2026年日本半導(dǎo)體設(shè)備銷(xiāo)售額將突破5萬(wàn)億日元
發(fā)表于：7/4/2025 5:34:00 PM
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HBM內(nèi)存價(jià)格戰(zhàn)風(fēng)雨欲來(lái)
發(fā)表于：7/2/2025 9:35:38 AM
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美光披露其對(duì)美國(guó)2000億美元投資計(jì)劃細(xì)節(jié)
發(fā)表于：7/2/2025 8:52:25 AM
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美光最新一季HBM營(yíng)收環(huán)比大漲50%
發(fā)表于：6/27/2025 9:06:07 AM
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英偉達(dá)在SK海力士HBM內(nèi)存銷(xiāo)售額占比降至80%
發(fā)表于：6/25/2025 11:12:01 AM
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SK海力士已向英偉達(dá)小批量供應(yīng)HBM4
發(fā)表于：6/20/2025 2:59:12 PM
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AMD發(fā)布CDNA 4架構(gòu)
發(fā)表于：6/19/2025 1:41:50 PM
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亞馬遜AWS新一代AI芯片Trainium3搭載144GB HBM3E內(nèi)存
發(fā)表于：6/18/2025 10:01:00 AM
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亞馬遜攜手SK部署6萬(wàn)顆AI GPU搭建韓國(guó)最大AI數(shù)據(jù)中心
發(fā)表于：6/18/2025 8:57:22 AM
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